Решетки лазерных драйверов в импульсном режиме работы мощностью 320 Вт
Матрица с микроканальным охлаждением с выходной мощностью 500 Вт на линейку
Многомодовые лазерные модули с волоконным выходом II-VI BMU - это лазерные диоды, разработанные для получения высокой выходной мощности и стабильности излучения для современных систем накачки твердотельных и волоконных лазеров, а также при прямом применении излучения лазрных диодов. В основе модулей лежат одиночные лазерные излучатели II-VI c cобственной запатентованной технологией пассивации при создании выходного зеркала, разработанной в Цюрихе, которая предотвращает разрушение передней грани лазерного диода даже при чрезвычайно высокой оптической мощности. Модули выполнены в герметичном корпусе с волоконным выходом и имеют высокую временную и температурную стабюильность.
Особенности серии:
- Длина волны: 808 нм
- Мощность: 15 / 20 / 30 Вт
- Вывод в волокно с сердцевиной 200 мкм, 0.22 NA
- Герметичный 2-pin корпус
- Рукав для защиты волокна и SMA коннектор
- Свободный анод/катод
Одиночные лазерные излучатели II-VI Laser Enterprise - это лазерные диоды, разработанные для получения высокой выходной мощности излучения, высокой эффективности передачи мощности оптического излучения, а также высокой надежности и стабильности. Эти требования являются ключевыми в современных системах накачки твердотельных и волоконных лазеров, а также при прямом применении излучения лазрных диодов. Собственная запатентованная технология пассивации при создании выходного зеркала, разработанная в Цюрихе, предотвращает разрушения передней грани лазерного диода даже при чрезвычайно высокой оптической мощности. Одиночные чипы лазерных диодов монтированы p-стороной вниз на оптимизированные сабмаунты, которые, в свою очередь, установлены на медный открытый радиатор типа C-mount.
Особенности серии:
- Длина волны: 803 / 806 / 808 нм
- Мощность: 8 Вт
- Ширина излучателя: 190 мкм
- Лазерный диод 3.6 x 0.5 мм
- C-mount: медный открытый радиатор
- Высоконадежная структура с одиночной квантовой ямой, созданная с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии
Опции для заказа:
- SEC8-808A-01: 8W 806 ± 3 nm C-mount
- SEC8-808B-01: 8W 803 ± 3 nm C-mount
- SEC8-808C-01: 8W 808 ± 2.5 nm C-mount