Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
Заказать звонок
info@lenlasers.ru Скопировано!
ru en
Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
Личный
кабинет
Заказать
звонок
Отправить
письмо
Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
Товар добавлен в корзину
Перейти в корзину
InGaAs PIN фотодиоды
каталог
Новости

InGaAs PIN фотодиоды

Фильтры
Производитель
Производитель
Наличие товара
Наличие товара
Спектральный диапазон
Спектральный диапазон
Темновой ток
Темновой ток
Тип корпуса
Тип корпуса
Товары
25 Гб/с чипы серии PD20xx
25 Гб/с чипы серии PD20xx
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
830-860 нм
Скорость
25 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,53  A / Вт
Высокая чувствительность
 0,53 A / Вт
Фотодиод/матрица фотодиодов GaAs 25 Гбит/с с большой оптической апертурой
В корзину
56 Гб/с чипы серии PS40xx
56 Гб/с чипы серии PS40xx
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
1260-1620 нм
Скорость
56 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,8  A / Вт
Фотодиоды для приложений по передачи данных со скоростью 56 Гбит / с
В корзину
2.5 Гб/с чипы серии PD0xj1
2.5 Гб/с чипы серии PD0xj1
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
980-1620 нм, 1260-1620 нм
Активная зона
150 мкм
Скорость
2.5 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,9 - 1,0 A / Вт
Фотодиоды для мониторинга и передачи данных со скоростью до 2,5 Гбит / с
В корзину
1 Гб/с чипы серии PD00x1
1 Гб/с чипы серии PD00x1
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
800-860 нм, 1260-1620 нм
Активная зона
250 мкм
Скорость
1 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,6 - 1,1 A / Вт
1 Гб/с Фотодиоды для мониторинга
В корзину
DC чипы серии PD00x1
DC чипы серии PD00x1
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
980-1620 нм, 1260-1620 нм
Темновой ток
 <1 нА
Чувствительность
0,95  A / Вт
Напряжение смещения
1,5 В
InGaAs Фотодиоды для мониторинга
В корзину
Высокомощный 20 Гб/с чип PQW20B-L
Высокомощный 20 Гб/с чип PQW20B-L
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Входная оптическая мощность
+20 дБм
Частотная полоса
22 ГГц
Линейность
+30 дБм при 20 ГГц, 30 мА.
Чувствительность
0,5 A / Вт
PQW20B-L - это высокомощный микроволновый фотодиодный модуль для преобразования оптических сигналов с частотой до 20 ГГц.
В корзину
Высокомощный 20 Гб/с чип HPS20Y1
Высокомощный 20 Гб/с чип HPS20Y1
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
1310/1550 нм
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Полоса частот
22 ГГц 
HPS20Y1 - это высокомощный фотодиодный чип с высокой линейностью
В корзину
40 Гб/с чипы серии PD40x1
40 Гб/с чипы серии PD40x1
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
43 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростные чипы InGaAs/InP
В корзину
28 Гб/с чипы серии PD20xx
28 Гб/с чипы серии PD20xx
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
28 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
В корзину
12 Гб/с чипы серии PD10x1
12 Гб/с чипы серии PD10x1
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
12 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки
В корзину
10 Гб/с чипы серии PD10x1
10 Гб/с чипы серии PD10x1
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм, 850 - 1620 нм
Скорость
10 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP
В корзину
InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
Chunghwa Leading Photonics Tech
Спектральный диапазон
600 - 1700 нм
Тип корпуса
TO-46/3P; TO-39/3P
Апертура
950 - 3000 мкм
Темновой ток 
 2 - 30 нА
Сопротивление шунта
5 - 100 МОм
InGaAS PIN фотодиод с длиной волны отсечки 1,7 мкм

PDF
PDF
В корзину
InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
Chunghwa Leading Photonics Tech
Спектральный диапазон
1200 - 2200 нм
Апертура
950 - 1850 мкм
Корпус 
TO-46/3P; TO-39/3P
Темновой ток 
 2 - 12 мкА
Сопротивление шунта
15 - 50 кОм
InGaAs PIN-фотодиод с длиной волны отсечки 2,2 мкм

PDF
PDF
В корзину
InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
Chunghwa Leading Photonics Tech
Спектральный диапазон
600 - 1700 нм
Апертура
950 - 3000 мкм
Темновой ток 
 2 - 30 нА
Сопротивление шунта
5 - 100 МОм
Емкость
 120 - 1200 пФ (при 0 В); 60 - 600 пФ (при -5 В)
InGaAS PIN фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,7 мкм

PDF
PDF
В корзину
5 Гб/с чипы серии PD05x1
5 Гб/с чипы серии PD05x1
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
 1260-1620 нм, 830 - 860 нм, 
Скорость
5 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Фотодиоды с большой апертурой для цифровой и аналоговой передачи данных до 5 Гбит/с.
В корзину
14 Гб/с чипы серии PD10x1
14 Гб/с чипы серии PD10x1
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
830-860 нм, 1260 - 1620 нм
Скорость
14 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки
В корзину
32 Гб/с чип PD20B1
32 Гб/с чип PD20B1
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
32 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в форме "T"
В корзину
32 Гб/с чип PD20A1
32 Гб/с чип PD20A1
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
32 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
В корзину
Фотодиод с большой площадью C30619GH
Фотодиод с большой площадью C30619GH
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
0.2 мм^2
Тип корпуса
TO-18
Активный диаметр
0.5 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30619GH

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод с большой площадью C30723GH
Фотодиод с большой площадью C30723GH
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
900-1700 нм
Активная зона
19.6 мм^2
Тип корпуса  
TO-8
Активный диаметр
5 мм
Тип корпуса
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30723GH

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод с большой площадью C30665GH
Фотодиод с большой площадью C30665GH
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона  
7 мм^2
Тип корпуса 
TO-5
Активный диаметр
3 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30665GH

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод с большой площадью C30642GH
Фотодиод с большой площадью C30642GH
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона  
3.1 мм^2
Тип корпуса
TO-5
Активный диаметр
2 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30642GH

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод с большой площадью C30641GH
Фотодиод с большой площадью C30641GH
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
0.8 мм^2
Тип корпуса
TO-18
Активный диаметр
1 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30641GH

PDF
PDF
В корзину
Высокоскоростные фотодиоды серии C30617
Высокоскоростные фотодиоды серии C30617
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
0.008 мм^2
Тип корпуса
 ТО-18, Керамическая подложка
Форма
Круглая
Активный диаметр
100 мкм
Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30617

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод C30637ECERH
Фотодиод C30637ECERH
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
900-1700 нм
Активная зона
75 мкм 
Тип корпуса
 Керамическая подложка 
Пиковая чувствительность
0.95 А/Вт
Ёмкость
0.4 пФ
InGaAs PIN-фотодиод C30637ECERH

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод C30616ECERH
Фотодиод C30616ECERH
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
50 мкм
Тип корпуса
Керамическая подложка
Активный диаметр
 
Пиковая чувствительность
0.95 А/Вт
InGaAs PIN-фотодиод C30616ECERH

PDF
PDF
В корзину
InGaAs PIN фотодиод с большой площадью (1-3 мм)
InGaAs PIN фотодиод с большой площадью (1-3 мм)
Wooriro
Диапазон длин волн
1000 - 1650 нм
Полоса пропускания 
до 30 МГц
Диаметр активной области
1 мм; 2 мм; 3 мм
Чувствительность @1310 нм
0.95 А/Вт
Чувствительность @1550 нм
1.0 А/Вт
InGaAs PIN фотодиод для систем контроля оптической мощности
PDF
PDF
В корзину
Высокоскоростной 25 Гбит чип серии CPC0002A
Высокоскоростной 25 Гбит чип серии CPC0002A
Wooriro
Диапазон длин волн
 1100-1640 нм
Диаметр чувствительной области
 20 мкм
Чувствительность
 0.85 А/Вт
Скорость
 25 Гбит
Ширина полосы (-3 дБ)
 22 ГГц
Серия высокоскоростных 25 Гбит/с чипов для Ethernet
PDF
PDF
В корзину
Высокоскоростной 56 Гбит чип серии CPL5012S
Высокоскоростной 56 Гбит чип серии CPL5012S
Wooriro
Диапазон длин волн
 1100-1640 нм
Диаметр чувствительной области
 12 мкм
Чувствительность
 0.8 А/Вт
Скорость
 56 Гбит
Ширина полосы (-3 дБ)
 37 ГГц
Серия высокоскоростных чипов для Ethernet
PDF
PDF
В корзину
Высокоскоростные фотодиоды серии C30618
Высокоскоростные фотодиоды серии C30618
Excelitas Technologies
Форма
Круглая
Активная зона
0.096 мм^2
Активный диаметр
350 мкм
Чувствительность (тип)@ 1300 нм
0.90 А/Вт (ТО-18 керамика), 0.75 А/Вт (для FC/ SC)
Чувствительность (тип)@ 1550 нм
0.95 А/Вт (ТО-18 керамика), 0.80 А/Вт (для FC/ SC)
Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30618

PDF
PDF
В корзину