Товар добавлен в корзину
Перейти в корзину
Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования.
Резидент Технопарка ИТМО
+7 (812) 612-99-82
Санкт-Петербург
+7 (964) 442-90-01
Новосибирск
+7 (964) 442-90-01
Владивосток
8 (800) 551-57-49
Звонок бесплатный по РФ
Перезвоните мне
Оставьте заявку
Ru En
0
Каталог

InGaAs PIN фотодиоды

Сортировать по:
Выберите сортировку
25 Гб/с чипы серии PD20xx
25 Гб/с чипы серии PD20xx
Спектральный диапазон
830-860 нм
Скорость
25 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,53  A / Вт
Высокая чувствительность
 0,53 A / Вт
Фотодиод/матрица фотодиодов GaAs 25 Гбит/с с большой оптической апертурой
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
56 Гб/с чипы серии PS40xx
56 Гб/с чипы серии PS40xx
Спектральный диапазон
1260-1620 нм
Скорость
56 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,8  A / Вт
Фотодиоды для приложений по передачи данных со скоростью 56 Гбит / с
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
2.5 Гб/с чипы серии PD0xj1
2.5 Гб/с чипы серии PD0xj1
Спектральный диапазон
980-1620 нм, 1260-1620 нм
Активная зона
150 мкм
Скорость
2.5 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,9 - 1,0 A / Вт
Фотодиоды для мониторинга и передачи данных со скоростью до 2,5 Гбит / с
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
1 Гб/с чипы серии PD00x1
1 Гб/с чипы серии PD00x1
Спектральный диапазон
800-860 нм, 1260-1620 нм
Активная зона
250 мкм
Скорость
1 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,6 - 1,1 A / Вт
1 Гб/с Фотодиоды для мониторинга
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
DC чипы серии PD00x1
DC чипы серии PD00x1
Спектральный диапазон
980-1620 нм, 1260-1620 нм
Темновой ток
 <1 нА
Чувствительность
0,95  A / Вт
Напряжение смещения
1,5 В
InGaAs Фотодиоды для мониторинга
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Высокомощный 20 Гб/с чип HPS20Y1
Высокомощный 20 Гб/с чип HPS20Y1
Спектральный диапазон
1310/1550 нм
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Полоса частот
22 ГГц 
HPS20Y1 - это высокомощный фотодиодный чип с высокой линейностью
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
40 Гб/с чипы серии PD40x1
40 Гб/с чипы серии PD40x1
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
43 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростные чипы InGaAs/InP
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
28 Гб/с чипы серии PD20xx
28 Гб/с чипы серии PD20xx
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
28 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
12 Гб/с чипы серии PD10x1
12 Гб/с чипы серии PD10x1
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
12 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
10 Гб/с чипы серии PD10x1
10 Гб/с чипы серии PD10x1
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм, 850 - 1620 нм
Скорость
10 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
Спектральный диапазон
600 - 1700 нм
Тип корпуса
TO-46/3P; TO-39/3P
Апертура
950 - 3000 мкм
Темновой ток 
 2 - 30 нА
Сопротивление шунта
5 - 100 МОм
InGaAS PIN фотодиод с длиной волны отсечки 1,7 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
Спектральный диапазон
1200 - 2200 нм
Апертура
950 - 1850 мкм
Корпус 
TO-46/3P; TO-39/3P
Темновой ток 
 2 - 12 мкА
Сопротивление шунта
15 - 50 кОм
InGaAs PIN-фотодиод с длиной волны отсечки 2,2 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
Спектральный диапазон
600 - 1700 нм
Апертура
950 - 3000 мкм
Темновой ток 
 2 - 30 нА
Сопротивление шунта
5 - 100 МОм
Емкость
 120 - 1200 пФ (при 0 В); 60 - 600 пФ (при -5 В)
InGaAS PIN фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,7 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
5 Гб/с чипы серии PD05x1
5 Гб/с чипы серии PD05x1
Спектральный диапазон
 1260-1620 нм, 830 - 860 нм, 
Скорость
5 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Фотодиоды с большой апертурой для цифровой и аналоговой передачи данных до 5 Гбит/с.
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
14 Гб/с чипы серии PD10x1
14 Гб/с чипы серии PD10x1
Спектральный диапазон
830-860 нм, 1260 - 1620 нм
Скорость
14 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
32 Гб/с чип PD20B1
32 Гб/с чип PD20B1
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
32 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в форме "T"
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
32 Гб/с чип PD20A1
32 Гб/с чип PD20A1
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
32 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод серии PDS
Фотодиод серии PDS
Длина волны
1000 - 1650 нм
Темновой ток 
0,1-0,5 нА
Чувствительность
 0,85 - 0,90 А/Вт, λ =1310нм
Чувствительность
 0,90 - 0,95 А/Вт, λ =1550нм
Емкость
0,45 - 0,65 пФ
3-pin коаксиальный фотодиод, диаметр 0,25 мм SM, черный пигтейл без разъема
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30619GH
Фотодиод с большой площадью C30619GH
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
0.2 мм^2
Тип корпуса
TO-18
Активный диаметр
0.5 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30619GH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30723GH
Фотодиод с большой площадью C30723GH
Спектральный диапазон
900-1700 нм
Активная зона
19.6 мм^2
Тип корпуса  
TO-8
Активный диаметр
5 мм
Тип корпуса
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30723GH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30665GH
Фотодиод с большой площадью C30665GH
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона  
7 мм^2
Тип корпуса 
TO-5
Активный диаметр
3 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30665GH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30642GH
Фотодиод с большой площадью C30642GH
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона  
3.1 мм^2
Тип корпуса
TO-5
Активный диаметр
2 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30642GH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30641GH
Фотодиод с большой площадью C30641GH
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
0.8 мм^2
Тип корпуса
TO-18
Активный диаметр
1 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30641GH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Высокоскоростные фотодиоды серии C30617
Высокоскоростные фотодиоды серии C30617
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
0.008 мм^2
Тип корпуса
 ТО-18, Керамическая подложка
Форма
Круглая
Активный диаметр
100 мкм
Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30617

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод C30637ECERH
Фотодиод C30637ECERH
Спектральный диапазон
900-1700 нм
Активная зона
75 мкм 
Тип корпуса
 Керамическая подложка 
Пиковая чувствительность
0.95 А/Вт
Ёмкость
0.4 пФ
InGaAs PIN-фотодиод C30637ECERH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод C30616ECERH
Фотодиод C30616ECERH
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
50 мкм
Тип корпуса
Керамическая подложка
Активный диаметр
 
Пиковая чувствительность
0.95 А/Вт
InGaAs PIN-фотодиод C30616ECERH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Квадрантные фотодиоды серии WQPDxK
Квадрантные фотодиоды серии WQPDxK
Диаметр фоточувствительной площадки
3 мм
Расстояние между элементами
0,025 мм
Перекрестные помехи
1-2 %
Диапазон длин волн
800-1700 нм
Сопротивление шунта
30 МОМ

Серия квадрантных фотодиодов, которая предусматривает чипы с двумя диаметрами фоточувствительных площадок: 3м и 2 мм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
InGaAs PIN фотодиод с большой площадью (1-3 мм)
InGaAs PIN фотодиод с большой площадью (1-3 мм)
Диапазон длин волн
1000 - 1650 нм
Полоса пропускания 
до 30 МГц
Диаметр активной области
1 мм; 2 мм; 3 мм
Чувствительность @1310 нм
0.95 А/Вт
Чувствительность @1550 нм
1.0 А/Вт
InGaAs PIN фотодиод для систем контроля оптической мощности
В наличии
Цена по запросу
Добавить к заказу
Высокоскоростной 25 Гбит чип серии CPC0002A
Высокоскоростной 25 Гбит чип серии CPC0002A
Диапазон длин волн
 1100-1640 нм
Диаметр чувствительной области
 20 мкм
Чувствительность
 0.85 А/Вт
Скорость
 25 Гбит
Ширина полосы (-3 дБ)
 22 ГГц
Серия высокоскоростных 25 Гбит/с чипов для Ethernet
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Высокоскоростной 56 Гбит чип серии CPL5012S
Высокоскоростной 56 Гбит чип серии CPL5012S
Диапазон длин волн
 1100-1640 нм
Диаметр чувствительной области
 12 мкм
Чувствительность
 0.8 А/Вт
Скорость
 56 Гбит
Ширина полосы (-3 дБ)
 37 ГГц
Серия высокоскоростных чипов для Ethernet
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Высокоскоростные фотодиоды серии C30618
Высокоскоростные фотодиоды серии C30618
Форма
Круглая
Активная зона
0.096 мм^2
Активный диаметр
350 мкм
Чувствительность (тип)@ 1300 нм
0.90 А/Вт (ТО-18 керамика), 0.75 А/Вт (для FC/ SC)
Чувствительность (тип)@ 1550 нм
0.95 А/Вт (ТО-18 керамика), 0.80 А/Вт (для FC/ SC)
Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30618

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Связаться с инженером Бесплатный звонок