Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
8 (800) 775-38-88
Бесплатно по РФ
+7 (812) 612-99-82
Санкт-Петербург
    Заказать звонок
    info@lenlasers.ru Скопировано!
    ru en
    Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
    Личный
    кабинет
    Заказать
    звонок
    Отправить
    письмо
    Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
    InGaAs PIN фотодиоды
    каталог
    Новости

    InGaAs PIN фотодиоды

    Фильтры
    Производитель
    Производитель
    Высокоскоростной 25 Гбит чип серии CPC0002A
    Высокоскоростной 25 Гбит чип серии CPC0002A
    Wooriro
    Диапазон длин волн
     1100-1640 нм
    Диаметр чувствительной области
     20 мкм
    Чувствительность
     0.85 А/Вт
    Скорость
     25 Гбит
    Ширина полосы (-3 дБ)
     22 ГГц
    Серия высокоскоростных 25 Гбит/с чипов для Ethernet
    PDF
    В корзину
    Высокоскоростной 56 Гбит чип серии CPL5012S
    Высокоскоростной 56 Гбит чип серии CPL5012S
    Wooriro
    Диапазон длин волн
     1100-1640 нм
    Диаметр чувствительной области
     12 мкм
    Чувствительность
     0.8 А/Вт
    Скорость
     56 Гбит
    Ширина полосы (-3 дБ)
     37 ГГц
    Серия высокоскоростных чипов для Ethernet
    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
    InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    600 - 1700 нм
    Апертура
    950 - 3000 мкм
    Корпус
    TO-46/3P; TO-39/3P
    Темновой ток 
     2 - 30 нА
    Сопротивление шунта
    5 - 100 МОм
    InGaAS PIN фотодиод с длиной волны отсечки 1,7 мкм

    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
    InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    1200 - 2200 нм
    Апертура
    950 - 1850 мкм
    Корпус 
    TO-46/3P; TO-39/3P
    Темновой ток 
     2 - 12 мкА
    Сопротивление шунта
    15 - 50 кОм
    InGaAs PIN-фотодиод с длиной волны отсечки 2,2 мкм

    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
    InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    600 - 1700 нм
    Апертура
    950 - 3000 мкм
    Темновой ток 
     2 - 30 нА
    Сопротивление шунта
    5 - 100 МОм
    Емкость
     120 - 1200 пФ (при 0 В); 60 - 600 пФ (при -5 В)
    InGaAS PIN фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,7 мкм

    PDF
    В корзину
    Фотодетектор серии RPD3000
    Фотодетектор серии RPD3000
    Applied Optoelectronic
    Диапазон длин волн
    1100 - 1600 нм
    Диаметр активной области
    40 - 80 мкм
    Вх. мощность
    10 мВт
    Частот. полоса пропускания
    1 - 3000 МГц
    Чувствительность
    0.80 - 0.85 мА/мВт
    Фотодетектор серии RPD3000

    PDF
    В корзину
    Фотодетектор серии MRPD3100
    Фотодетектор серии MRPD3100
    Applied Optoelectronic
    Диапазон длин волн
    1100 - 1600 нм
    Диаметр активной области
    40 мкм
    Вх. мощность
    10 мВт
    Частот. полоса пропускания
    2 - 3 ГГц
    Чувствительность
    0.75 - 0.80 мА/мВт
    Фотодетектор серии MRPD3100

    PDF
    В корзину
    Фотодетектор серии MRPD3000
    Фотодетектор серии MRPD3000
    Applied Optoelectronic
    Диапазон длин волн
    1100 - 1600 нм
    Диаметр активной области
    40 мкм
    Вх. мощность
    10 мВт
    Частот. полоса пропускания
    2 - 3 ГГц
    Чувствительность
    0.75 - 0.80 мА/мВт
    Фотодетектор серии MRPD3000

    PDF
    В корзину
    Фотодетектор серии PD3000
    Фотодетектор серии PD3000
    Applied Optoelectronic
    Диапазон длин волн
    1100 - 1650 нм
    Диаметр активной области
    40 - 80 мкм
    Вх. мощность
    10 мВт
    Частот. полоса пропускания
    3000 МГц
    Обратные потери
    -45 дБ
    Фотодетектор серии PD3000

    PDF
    В корзину
    Фотодетектор серии PD1000
    Фотодетектор серии PD1000
    Applied Optoelectronic
    Диапазон длин волн
    1100 - 1650 нм
    Диаметр активной области
    40 - 80 мкм
    Вх. мощность
    10 мВт
    Частот. полоса пропускания
    1 - 1000 МГц
    Обратные потери
    -45/-40 дБ
    Фотодетектор серии PD1000

    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30619GH
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30619GH
    Excelitas Technologies
    Активная зона
    0.2 мм^2
    Активный диаметр
    0.5 мм
    Тип корпуса
    TO-18
    Чувствительность (тип)
    0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
    Шунтовое сопротивление
    250 Ом
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30619GH

    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30723GH
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30723GH
    Excelitas Technologies
    Активная зона
    19.6 мм^2
    Активный диаметр
    5 мм
    Тип корпуса
    TO-8
    Чувствительность (тип)
    0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
    Шунтовое сопротивление
    5 Ом
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30723GH

    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30665GH
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30665GH
    Excelitas Technologies
    Активная зона
    7 мм^2
    Активный диаметр
    3 мм
    Тип корпуса
    TO-5
    Чувствительность (тип)
    0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
    Шунтовое сопротивление
    10 Ом
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30665GH

    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30642GH
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30642GH
    Excelitas Technologies
    Активная зона
    3.1 мм^2
    Активный диаметр
    2 мм
    Тип корпуса
    TO-5
    Чувствительность (тип)
    0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
    Шунтовое сопротивление (тип.)
    25 Ом
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30642GH

    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30641GH
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30641GH
    Excelitas Technologies
    Активная зона
    0.8 мм^2
    Активный диаметр
    1 мм
    Тип корпуса
    TO-18
    Чувствительность (тип)
    0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
    Шунтовое сопротивление
    50 Ом
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30641GH

    PDF
    В корзину
    Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30618
    Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30618
    Excelitas Technologies
    Форма
    Круглая
    Активная зона
    0.096 мм^2
    Активный диаметр
    350 мкм
    Чувствительность (тип)@ 1300 нм
    0.90 А/Вт (ТО-18 керамика), 0.75 А/Вт (для FC/ SC)
    Чувствительность (тип)@ 1550 нм
    0.95 А/Вт (ТО-18 керамика), 0.80 А/Вт (для FC/ SC)
    Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30618

    PDF
    В корзину
    Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30617
    Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30617
    Excelitas Technologies
    Форма
    Круглая
    Активная зона
    0.008 мм^2
    Активный диаметр
    100 мкм
    Чувствительность (тип)@ 1300 нм
    0.90 А/Вт (ТО-18 керамика), 0.75 А/Вт (для FC/ SC)
    Чувствительность (тип)@ 1550 нм
    0.95 А/Вт (ТО-18 керамика), 0.80 А/Вт (для FC/ SC)
    Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30617

    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN-фотодиод C30637ECERH
    InGaAs PIN-фотодиод C30637ECERH
    Excelitas Technologies
    Активный диаметр
    75 мкм
    Пиковая чувствительность
    0.95 А/Вт
    Ёмкость
    0.4 пФ
    Диапазон Bw
    3.5 ГГц
    Темновой ток
    < 1 нА
    InGaAs PIN-фотодиод C30637ECERH

    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN-фотодиод C30616ECERH
    InGaAs PIN-фотодиод C30616ECERH
    Excelitas Technologies
    Активный диаметр
    50 мкм
    Пиковая чувствительность
    0.95 А/Вт
    Ёмкость
    0.35 пФ
    Диапазон Bw
    3.5 ГГц
    Темновой ток
    < 1 нА
    InGaAs PIN-фотодиод C30616ECERH

    PDF
    В корзину
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-40-TQ
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-40-TQ
    Optilab
    Оптимальный рабочий диапазон длин волн
    1260-1610 нм
    Эффективный рабочий диапазон длин волн
    850-1650 нм
    Максимальная входная оптическая мощность
    50 мВт
    S21 3 дБ частотный диапазон
    35 ГГц
    S22 характеристики
    < -10 дБ @20 ГГц
    Высоколинейный InGaAs PIN фотодетектор
    PDF
    В корзину
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-40-MM (Mногомодовое волокно)
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-40-MM (Mногомодовое волокно)
    Optilab
    Оптимальный рабочий диапазон длин волн
    1260-1610 нм
    Эффективный рабочий диапазон длин волн
    850-1650 нм
    Максимальная входная оптическая мощность
    10 мВт
    S21 3 дБ частотный диапазон
    33 ГГц
    S22 характеристики
    < -10 дБ @ 20 ГГц
    Высоколинейный InGaAs PIN фотодетектор с частотным диапазоном 40 ГГц
    PDF
    В корзину
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-40
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-40
    Optilab
    Оптимальный рабочий диапазон длин волн
    1260-1610 нм
    Эффективный рабочий диапазон длин волн
    850-1650 нм
    Максимальная входная оптическая мощность
    10 мВт
    S21 3 дБ частотный диапазон
    33 ГГц
    S22 характеристики
    < -10 дБ @30 ГГц
    InGaAs PIN фотодетектор, который идеально подходит для использования в оптоэлектронных (O/E) периферийных устройствах
    PDF
    В корзину
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-30-MM (Mногомодовое волокно)
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-30-MM (Mногомодовое волокно)
    Optilab
    Оптимальный рабочий диапазон длин волн
    1260-1610 нм
    Эффективный рабочий диапазон длин волн
    850-1650 нм
    Максимальная входная оптическая мощность
    30 мВт
    S21 3 дБ частотный диапазон
    30 ГГц
    S22 характеристики
    < -10 дБ @20 ГГц
    InGaAs PIN фотодетектор, который идеально подходит для использования в оптоэлектронных периферийных устройствах
    PDF
    В корзину
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-30-TQ
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-30-TQ
    Optilab
    Оптимальный рабочий диапазон длин волн
    1260-1610 нм
    Эффективный рабочий диапазон длин волн
    850-1650 нм
    Максимальная входная оптическая мощность
    40 мВт
    S21 3 дБ частотный диапазон
    31 ГГц
    S22 характеристики
    < -10 дБ @20 ГГц
    Высоколинейный InGaAs PIN фотодетектор с частотным диапазоном 30 ГГц
    PDF
    В корзину
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-30
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-30
    Optilab
    Оптимальный рабочий диапазон длин волн
    1260-1610 нм
    Эффективный рабочий диапазон длин волн
    850-1650 нм
    Максимальная входная оптическая мощность
    20 мВт
    S21 3 дБ частотный диапазон
    30 ГГц
    S22 характеристики
    < -10 дБ @ 20 ГГц
    InGaAs PIN фотодетектор с частотным диапазоном 30 ГГц
    PDF
    В корзину
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-20-TQ
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-20-TQ
    Optilab
    Оптимальный рабочий диапазон длин волн
    1260-1610 нм
    Эффективный рабочий диапазон длин волн
    850-1650 нм
    Максимальная входная оптическая мощность
    40 мВт
    S21 3 дБ частотный диапазон
    19 ГГц
    S22 характеристики
    < -10 дБ @20 ГГц
    InGaAs PIN фотодетектор с частотным диапазоном 20 ГГц
    PDF
    В корзину
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-20
    Линейный InGaAs PIN фотодетектор PD-20
    Optilab
    Оптимальный рабочий диапазон длин волн
    1260-1610 нм
    Эффективный рабочий диапазон длин волн
    850-1650 нм
    Максимальная входная оптическая мощность
    40 мВт
    S21 3 дБ частотный диапазон
    19 ГГц
    S22 характеристики
    < -10 дБ @ 12 ГГц; < - 6 дБ @ 20 ГГц
    InGaAs PIN фотодетектор с частотным диапазоном 20 ГГц
    PDF
    В корзину
    5 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD05P1 с фильтром
    5 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD05P1 с фильтром
    Albis Optoelectronics
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Спектральный диапазон (нм)
    1260 - 1620
    Темновой ток (нА)
    5
    Чувствительность (А/Вт)
    0,9
    Фотодиоды со входом света снизу и со встроенным оптическим фильтром
    В корзину
    5 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD05B1
    5 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD05B1
    Albis Optoelectronics
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Спектральный диапазон (нм)
    1260 - 1620
    Темновой ток (нА)
    5
    Чувствительность (А/Вт)
    1,1
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP
    В корзину
    10 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10X1
    10 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10X1
    Albis Optoelectronics
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Спектральный диапазон (нм)
    1260 - 1620
    Чувствительность (А/Вт)
    0,9
    Оптимизация под передачу данных
    10 Гбит/с
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP
    В корзину
    10 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10W1
    10 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10W1
    Albis Optoelectronics
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Спектральный диапазон (нм)
    1260 - 1620
    Темновой ток (нА)
    3
    Чувствительность (А/Вт)
    0,9
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с G-S-G конфигурацией контактной площадки
    В корзину
    10 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10G1
    10 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10G1
    Albis Optoelectronics
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Спектральный диапазон (нм)
    850 - 1620
    Темновой ток (нА)
    3
    Чувствительность (@1310нм) (А/Вт)
    0,9
    Чип фотодиода InGaAs/InP с G-S-G конфигурацией контактной площадки
    В корзину
    10 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10F1
    10 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10F1
    Albis Optoelectronics
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Спектральный диапазон (нм)
    1260 - 1620
    Темновой ток (нА)
    2
    Чувствительность (А/Вт)
    0,9
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки
    В корзину
    12 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10E1
    12 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10E1
    Albis Optoelectronics
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Спектральный диапазон (нм)
    1260 - 1620
    Темновой ток (нА)
    2
    Чувствительность (А/Вт)
    0,95
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки
    В корзину
    12 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10B1
    12 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10B1
    Albis Optoelectronics
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Спектральный диапазон (нм)
    1260 - 1620
    Темновой ток (нА)
    2
    Чувствительность (А/Вт)
    0,95
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
    В корзину
    14 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10A1
    14 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10A1
    Albis Optoelectronics
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Спектральный диапазон (нм)
    1260 - 1620
    Темновой ток (нА)
    2
    Чувствительность (А/Вт)
    0,9
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки
    В корзину
    28 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD20X1
    28 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD20X1
    Albis Optoelectronics
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Спектральный диапазон (нм)
    1260 - 1620
    Темновой ток (нА)
    5
    Чувствительность (А/Вт)
    0,85
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
    В корзину
    28 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD20D1
    28 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD20D1
    Albis Optoelectronics
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Спектральный диапазон (нм)
    1260 - 1620
    Чувствительность (А/Вт)
    0,8
    Оптимизация под передачу данных
    28 Гбит/с
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
    В корзину
    28 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD20C1
    28 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD20C1
    Albis Optoelectronics
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Спектральный диапазон (нм)
    1260 - 1620
    Темновой ток (нА)
    5
    Чувствительность (А/Вт)
    0,8
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
    В корзину
    32 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD20B1
    32 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD20B1
    Albis Optoelectronics
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Спектральный диапазон (нм)
    1260 - 1620
    Темновой ток (нА)
    5
    Чувствительность (@1310 нм) (А/Вт)
    0,6
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в форме "T"
    В корзину