Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
8 (800) 775-38-88
Бесплатно по РФ
+7 (812) 612-99-82
Санкт-Петербург
    Заказать звонок
    info@lenlasers.ru Скопировано!
    ru en
    Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
    Личный
    кабинет
    Заказать
    звонок
    Отправить
    письмо
    Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
    InGaAs PIN фотодиоды
    каталог
    Новости

    InGaAs PIN фотодиоды

    Фильтры
    Производитель
    Производитель
    Спектральный диапазон
    Спектральный диапазон
    Темновой ток
    Темновой ток
    Тип корпуса
    Тип корпуса
    25 Гб/с чипы серии PD20xx
    25 Гб/с чипы серии PD20xx
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    830-860 нм
    Скорость
    25 Гб/с
    Тип корпуса
    Чип
    Чувствительность
    0,53  A / Вт
    Высокая чувствительность
     0,53 A / Вт
    Фотодиод/матрица фотодиодов GaAs 25 Гбит/с с большой оптической апертурой
    В корзину
    56 Гб/с чипы серии PS40xx
    56 Гб/с чипы серии PS40xx
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    1260-1620 нм
    Скорость
    56 Гб/с
    Тип корпуса
    Чип
    Чувствительность
    0,8  A / Вт
    Фотодиоды для приложений по передачи данных со скоростью 56 Гбит / с
    В корзину
    2.5 Гб/с чипы серии PD0xj1
    2.5 Гб/с чипы серии PD0xj1
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    980-1620 нм, 1260-1620 нм
    Активная зона
    150 мкм
    Скорость
    2.5 Гб/с
    Тип корпуса
    Чип
    Чувствительность
    0,9 - 1,0 A / Вт
    Фотодиоды для мониторинга и передачи данных со скоростью до 2,5 Гбит / с
    В корзину
    1 Гб/с чипы серии PD00x1
    1 Гб/с чипы серии PD00x1
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    800-860 нм, 1260-1620 нм
    Активная зона
    250 мкм
    Скорость
    1 Гб/с
    Тип корпуса
    Чип
    Чувствительность
    0,6 - 1,1 A / Вт
    1 Гб/с Фотодиоды для мониторинга
    В корзину
    DC чипы серии PD00x1
    DC чипы серии PD00x1
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    980-1620 нм, 1260-1620 нм
    Темновой ток
     <1 нА
    Чувствительность
    0,95  A / Вт
    Напряжение смещения
    1,5 В
    InGaAs Фотодиоды для мониторинга
    В корзину
    Высокомощный 20 Гб/с чип PQW20B-L
    Высокомощный 20 Гб/с чип PQW20B-L
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    1260 - 1620 нм
    Входная оптическая мощность
    +20 дБм
    Частотная полоса
    22 ГГц
    Линейность
    +30 дБм при 20 ГГц, 30 мА.
    Чувствительность
    0,5 A / Вт
    PQW20B-L - это высокомощный микроволновый фотодиодный модуль для преобразования оптических сигналов с частотой до 20 ГГц.
    В корзину
    Высокомощный 20 Гб/с чип HPS20Y1
    Высокомощный 20 Гб/с чип HPS20Y1
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    1310/1550 нм
    Тип корпуса
    Чип
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Полоса частот
    22 ГГц 
    HPS20Y1 - это высокомощный фотодиодный чип с высокой линейностью
    В корзину
    40 Гб/с чипы серии PD40x1
    40 Гб/с чипы серии PD40x1
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    1260 - 1620 нм
    Скорость
    43 Гбит/с
    Тип корпуса
    Чип
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Высокоскоростные чипы InGaAs/InP
    В корзину
    28 Гб/с чипы серии PD20xx
    28 Гб/с чипы серии PD20xx
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    1260 - 1620 нм
    Скорость
    28 Гбит/с
    Тип корпуса
    Чип
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
    В корзину
    12 Гб/с чипы серии PD10x1
    12 Гб/с чипы серии PD10x1
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    1260 - 1620 нм
    Скорость
    12 Гбит/с
    Тип корпуса
    Чип
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки
    В корзину
    10 Гб/с чипы серии PD10x1
    10 Гб/с чипы серии PD10x1
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    1260 - 1620 нм, 850 - 1620 нм
    Скорость
    10 Гбит/с
    Тип корпуса
    Чип
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP
    В корзину
    InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
    InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    600 - 1700 нм
    Тип корпуса
    TO-46/3P; TO-39/3P
    Апертура
    950 - 3000 мкм
    Темновой ток 
     2 - 30 нА
    Сопротивление шунта
    5 - 100 МОм
    InGaAS PIN фотодиод с длиной волны отсечки 1,7 мкм

    PDF
    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
    InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    1200 - 2200 нм
    Апертура
    950 - 1850 мкм
    Корпус 
    TO-46/3P; TO-39/3P
    Темновой ток 
     2 - 12 мкА
    Сопротивление шунта
    15 - 50 кОм
    InGaAs PIN-фотодиод с длиной волны отсечки 2,2 мкм

    PDF
    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
    InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    600 - 1700 нм
    Апертура
    950 - 3000 мкм
    Темновой ток 
     2 - 30 нА
    Сопротивление шунта
    5 - 100 МОм
    Емкость
     120 - 1200 пФ (при 0 В); 60 - 600 пФ (при -5 В)
    InGaAS PIN фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,7 мкм

    PDF
    PDF
    В корзину
    5 Гб/с чипы серии PD05x1
    5 Гб/с чипы серии PD05x1
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
     1260-1620 нм, 830 - 860 нм, 
    Скорость
    5 Гбит/с
    Тип корпуса
    Чип
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Фотодиоды с большой апертурой для цифровой и аналоговой передачи данных до 5 Гбит/с.
    В корзину
    14 Гб/с чипы серии PD10x1
    14 Гб/с чипы серии PD10x1
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    830-860 нм, 1260 - 1620 нм
    Скорость
    14 Гбит/с
    Тип корпуса
    Чип
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки
    В корзину
    32 Гб/с чип PD20B1
    32 Гб/с чип PD20B1
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    1260 - 1620 нм
    Скорость
    32 Гбит/с
    Тип корпуса
    Чип
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в форме "T"
    В корзину
    32 Гб/с чип PD20A1
    32 Гб/с чип PD20A1
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    1260 - 1620 нм
    Скорость
    32 Гбит/с
    Тип корпуса
    Чип
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
    В корзину
    Фотодиод с большой площадью C30619GH
    Фотодиод с большой площадью C30619GH
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
     900-1700 нм
    Активная зона
    0.2 мм^2
    Тип корпуса
    TO-18
    Активный диаметр
    0.5 мм
    Чувствительность (тип)
    0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30619GH

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод с большой площадью C30723GH
    Фотодиод с большой площадью C30723GH
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
    900-1700 нм
    Активная зона
    19.6 мм^2
    Тип корпуса  
    TO-8
    Активный диаметр
    5 мм
    Тип корпуса
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30723GH

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод с большой площадью C30665GH
    Фотодиод с большой площадью C30665GH
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
     900-1700 нм
    Активная зона  
    7 мм^2
    Тип корпуса 
    TO-5
    Активный диаметр
    3 мм
    Чувствительность (тип)
    0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30665GH

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод с большой площадью C30642GH
    Фотодиод с большой площадью C30642GH
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
     900-1700 нм
    Активная зона  
    3.1 мм^2
    Тип корпуса
    TO-5
    Активный диаметр
    2 мм
    Чувствительность (тип)
    0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30642GH

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод с большой площадью C30641GH
    Фотодиод с большой площадью C30641GH
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
     900-1700 нм
    Активная зона
    0.8 мм^2
    Тип корпуса
    TO-18
    Активный диаметр
    1 мм
    Чувствительность (тип)
    0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30641GH

    PDF
    PDF
    В корзину
    Высокоскоростные фотодиоды серии C30617
    Высокоскоростные фотодиоды серии C30617
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
     900-1700 нм
    Активная зона
    0.008 мм^2
    Тип корпуса
     ТО-18, Керамическая подложка
    Форма
    Круглая
    Активный диаметр
    100 мкм
    Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30617

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод C30637ECERH
    Фотодиод C30637ECERH
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
    900-1700 нм
    Активная зона
    75 мкм 
    Тип корпуса
     Керамическая подложка 
    Пиковая чувствительность
    0.95 А/Вт
    Ёмкость
    0.4 пФ
    InGaAs PIN-фотодиод C30637ECERH

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод C30616ECERH
    Фотодиод C30616ECERH
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
     900-1700 нм
    Активная зона
    50 мкм
    Тип корпуса
    Керамическая подложка
    Активный диаметр
     
    Пиковая чувствительность
    0.95 А/Вт
    InGaAs PIN-фотодиод C30616ECERH

    PDF
    PDF
    В корзину
    Высокоскоростной 25 Гбит чип серии CPC0002A
    Высокоскоростной 25 Гбит чип серии CPC0002A
    Wooriro
    Диапазон длин волн
     1100-1640 нм
    Диаметр чувствительной области
     20 мкм
    Чувствительность
     0.85 А/Вт
    Скорость
     25 Гбит
    Ширина полосы (-3 дБ)
     22 ГГц
    Серия высокоскоростных 25 Гбит/с чипов для Ethernet
    PDF
    PDF
    В корзину
    Высокоскоростной 56 Гбит чип серии CPL5012S
    Высокоскоростной 56 Гбит чип серии CPL5012S
    Wooriro
    Диапазон длин волн
     1100-1640 нм
    Диаметр чувствительной области
     12 мкм
    Чувствительность
     0.8 А/Вт
    Скорость
     56 Гбит
    Ширина полосы (-3 дБ)
     37 ГГц
    Серия высокоскоростных чипов для Ethernet
    PDF
    PDF
    В корзину
    Высокоскоростные фотодиоды серии C30618
    Высокоскоростные фотодиоды серии C30618
    Excelitas Technologies
    Форма
    Круглая
    Активная зона
    0.096 мм^2
    Активный диаметр
    350 мкм
    Чувствительность (тип)@ 1300 нм
    0.90 А/Вт (ТО-18 керамика), 0.75 А/Вт (для FC/ SC)
    Чувствительность (тип)@ 1550 нм
    0.95 А/Вт (ТО-18 керамика), 0.80 А/Вт (для FC/ SC)
    Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30618

    PDF
    PDF
    В корзину