Товар добавлен в корзину
Перейти в корзину
Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования.
Резидент Технопарка ИТМО
+7 (812) 612-99-82
Санкт-Петербург
+7 (964) 442-90-01
Новосибирск
+7 (964) 442-90-01
Владивосток
8 (800) 551-57-49
Звонок бесплатный по РФ
Перезвоните мне
Оставьте заявку
Ru En
0
Каталог
Полупроводниковые чипы усиления

Полупроводниковые чипы усиления

Сортировать по:
Выберите сортировку
Бустерные п/п усилители C-диапазона серии BOA1007x
Бустерные п/п усилители C-диапазона серии BOA1007x
Длина волны
1550 нм
Мощность
18 дБм
Тип корпуса
чип / чип на радиаторе
Усиление
30 дБ 
Оптическая полоса
 85 нм 
BOA - это однопроходные усилители бегущей волны, которые хорошо работают как с монохроматическими, так и с многоволновыми сигналами
Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чипы с одной угловой гранью на 1620-1680 нм
Чипы с одной угловой гранью на 1620-1680 нм
Длина волны
1650 нм
Мощность
1.3 мВт
Тип корпуса
чип
Пиковое усиление
23 дБ 
Оптическая полоса
 90 нм 
SAF1091C предлагается на сабмаунте, а SAF1091H - с радиатором и подключенными катодным и анодным выводами
Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чипы с одной угловой гранью на L-диапазон
Чипы с одной угловой гранью на L-диапазон
Длина волны
1568 - 1608 нм
Мощность
60 мВт
Тип корпуса
сабмаунт / сабмаунт на радиаторе
Отражательная способность угловых граней
0,005%
Нормальная светоотражающая способность
 10% 
SAF1118C предлагается на сабмаунте, а SAF1118H - с радиатором и подключенными катодным и анодным выводами.
Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чипы с одной угловой гранью на C-диапазон
Чипы с одной угловой гранью на C-диапазон
Длина волны
1528 - 1568 нм
Мощность
60 мВт
Тип корпуса
сабмаунт / сабмаунт на радиаторе
Отражательная способность угловых граней
0,005%
Нормальная светоотражающая способность
 10% 
SAF1126C предлагается на сабмаунте, а SAF1126H - с радиатором и подключенными катодным и анодным выводами.
Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чипы с одной угловой гранью на 1420-1480 нм
Чипы с одной угловой гранью на 1420-1480 нм
Длина волны
1450 нм
Мощность
20 мВт
Тип корпуса
сабмаунт / сабмаунт на радиаторе
Пиковое усиление
33 дБ 
Оптическая полоса
 95 нм 
Данный чип 1450 нм SAF доступен в двух конфигурациях. SAF1093C предлагается на сабмаунте, а SAF1093H - с радиатором и подключенными катодным и анодным выводами.
Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чипы с одной угловой гранью на O-диапазон
Чипы с одной угловой гранью на O-диапазон
Длина волны
1320 нм
Мощность
20 мВт
Тип корпуса
сабмаунт / сабмаунт на радиаторе
Пиковое усиление
30 дБ 
Оптическая полоса
 50 нм 
Данный чип 1320 нм SAF доступен в двух конфигурациях. SAF1144C предлагается на сабмаунте, а SAF1144H - с радиатором и подключенными катодным и анодным выводами
Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чипы с одной угловой гранью на 1190-1250 нм
Чипы с одной угловой гранью на 1190-1250 нм
Длина волны
1220 нм
Мощность
1,0 мВт
Тип корпуса
чип на сабмаунте
Пиковое усиление
20 дБ 
Оптическая полоса
 80 нм 
Доступен в двух конфигурациях. SAF1145C предлагается на сабмаунте, а SAF1145H - с радиатором и подключенными катодным и анодным выводами.
Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чип SAF1900S в корпусе Half Butterfly на 1870-1930 нм
Чип SAF1900S в корпусе Half Butterfly на 1870-1930 нм
Длина волны
1900 нм
Мощность
7 мВт
Тип корпуса
 Half-Butterfly
Диапазон перестройки
170 нм
Разрешение регулировки
4 пм
Чипы усиления, установленные для легкой интеграции в лазеры с внешним резонатором
Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чипы в корпусе Half Butterfly на C-диапазон
Чипы в корпусе Half Butterfly на C-диапазон
Длина волны
1550 нм
Мощность
40 мВт
Тип корпуса
 Half-Butterfly
Диапазон перестройки
120 нм
Разрешение регулировки
1 пм
Семейство чипов обеспечивает среду усиления для света в диапазонах длин волн с центром в 1220, 1320, 1450, 1550 или 1900 нм
Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чип SAF1450S2 в корпусе Half Butterfly на 1430-1470 нм
Чип SAF1450S2 в корпусе Half Butterfly на 1430-1470 нм
Длина волны
1450 нм
Мощность
40 мВт
Тип корпуса
 Half-Butterfly
Диапазон перестройки
120 нм
Разрешение регулировки
3 пм
Семейство чипов обеспечивает среду усиления для света в диапазонах длин волн с центром в 1220, 1320, 1450, 1550 или 1900 нм
Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чип SAF1174S в корпусе Half Butterfly на O-диапазон
Чип SAF1174S в корпусе Half Butterfly на O-диапазон
Длина волны
1310 нм
Мощность
70 мВт
Тип корпуса
 Half-Butterfly
Диапазон перестройки
130 нм
Разрешение регулировки
1 пм
Семейство чипов обеспечивает среду усиления для света в диапазонах длин волн с центром в 1220, 1320, 1450, 1550 или 1900 нм
Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чип SAF1175S в корпусе Half Butterfly на 1200-1240 нм
Чип SAF1175S в корпусе Half Butterfly на 1200-1240 нм
Длина волны
1220 нм
Мощность
10 мВт
Тип корпуса
 Half-Butterfly
Диапазон перестройки
90 нм
Разрешение регулировки
1 пм
Семейство чипов обеспечивает среду усиления для света в диапазонах длин волн с центром в 1220, 1320, 1450, 1550 или 1900 нм
Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления на 1060 нм QLF101A-AA
Полупроводниковый чип усиления на 1060 нм QLF101A-AA
Длина волны 
1040 - 1080 нм (1060 нм тип.)
Выходная мощность  
80 мВт
Ширина полосы перестройки
43 нм
ASE мощность
10 мВт
Рабочий ток 
100 - 180 мА
Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GM-1140-120-YY-130
Полупроводниковый чип усиления GM-1140-120-YY-130
Центральная длина волны
1140 нм
Вых. мощность
21 дБм
Диапазон перестройки
120 нм
Длина волны с макс. мощностью
1170 нм
Полоса пропускания
30 нм

Полупроводниковый чип усиления применяется при создании перестраиваемых лазеров с волоконным выходом. Чип устраняет необходимость в ряде компонентов, обычно используемых в схемах, что существенно ...

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GM-1060-150-YY-250
Полупроводниковый чип усиления GM-1060-150-YY-250
Центральная длина волны
1060 нм
Вых. мощность
24 дБм
Диапазон перестройки
150 нм
Длина волны с макс. мощностью
1100 нм
Полоса пропускания
30 нм

Полупроводниковый чип усиления применяется при создании перестраиваемых лазеров с волоконным выходом. Чип устраняет необходимость в ряде компонентов, обычно используемых в схемах, что существенно ...

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GM-1030-130-YY-200
Полупроводниковый чип усиления GM-1030-130-YY-200
Центральная длина волны
1030 нм
Вых. мощность
23 дБм
Диапазон перестройки
130 нм
Длина волны с макс. мощностью
1050 нм
Полоса пропускания
80 нм

Полупроводниковый чип усиления применяется при создании перестраиваемых лазеров с волоконным выходом. Чип устраняет необходимость в ряде компонентов, обычно используемых в схемах, что существенно ...

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GM-1030-150-YY-150
Полупроводниковый чип усиления GM-1030-150-YY-150
Центральная длина волны
1030 нм
Вых. мощность
22 дБм
Диапазон перестройки
150 нм
Длина волны с макс. мощностью
1060 нм
Полоса пропускания
60 нм

Полупроводниковый чип усиления применяется при создании перестраиваемых лазеров с волоконным выходом. Чип устраняет необходимость в ряде компонентов, обычно используемых в схемах, что существенно ...

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1330-70-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1330-70-TO-200-B
Средняя длина волны 
1325 нм
Рабочий диапазон 
1315 - 1335 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,7 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1330-70-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1310-60-TO-200-A
Полупроводниковый чип усиления GC-1310-60-TO-200-A
Средняя длина волны 
1310 нм
Рабочий диапазон 
1295 - 1325 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,5 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1310-60-TO-200-A от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1300-60-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1300-60-TO-200-B
Средняя длина волны 
1300 нм
Рабочий диапазон 
1285 - 1315 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,7 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1300-60-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1270-140-TO-200-A
Полупроводниковый чип усиления GC-1270-140-TO-200-A
Средняя длина волны 
1270 нм
Рабочий диапазон 
1260 - 1280 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,5 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1270-140-TO-200-A от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1270-130-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1270-130-TO-200-B
Средняя длина волны 
1270 нм
Рабочий диапазон 
1260 - 1280 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,7 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1270-130-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1270-60-TO-200-A
Полупроводниковый чип усиления GC-1270-60-TO-200-A
Средняя длина волны 
1270 нм
Рабочий диапазон 
1255 - 1285 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,6 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1270-60-TO-200-A от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1260-60-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1260-60-TO-200-B
Средняя длина волны 
1260 нм
Рабочий диапазон 
1245 - 1275 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,6 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1260-60-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1220-110-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1220-110-TO-200-B
Средняя длина волны 
1215 нм
Рабочий диапазон 
1200 - 1230 нм
Выходная мощность насыщения
 24 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,6 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1220-110-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1180-100-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1180-100-TO-200-B
Средняя длина волны 
1180 нм
Рабочий диапазон 
1155 - 1185 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
600 мА
Прямое напряжение 
1,6 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1180-100-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1180-80-TO-200-A
Полупроводниковый чип усиления GC-1180-80-TO-200-A
Средняя длина волны 
1180 нм
Рабочий диапазон 
1155 - 1185 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
600 мА
Прямое напряжение 
1,5 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1180-80-TO-200-A от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1160-90-TO-200-A
Полупроводниковый чип усиления GC-1160-90-TO-200-A
Средняя длина волны 
1160 нм
Рабочий диапазон 
1145 - 1175 нм
Выходная мощность насыщения
 24 дБм
Ток 
600 мА
Прямое напряжение 
1,5 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1160-90-TO-200-A от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1110-70-TO-300-A
Полупроводниковый чип усиления GC-1110-70-TO-300-A
Средняя длина волны 
1110 нм
Выходная мощность насыщения
 25 дБм
Ток 
600 мА
Прямое напряжение 
1,5 В
Температура термистора 
25 ° С

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1110-70-TO-300-A от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1105-130-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1105-130-TO-200-B
Средняя длина волны 
1105 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
400 мА
Прямое напряжение 
1,9 В
Температура термистора 
25 ° С

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1105-130-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1060-150-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1060-150-TO-200-B
Средняя длина волны 
1060 нм
Рабочий диапазон 
1045 - 1075 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
400 мА
Прямое напряжение 
1,9 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1060-150-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1030-160-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1030-160-TO-200-B
Средняя длина волны 
1030 нм
Рабочий диапазон 
1015 - 1045 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
400 мА
Прямое напряжение 
1,9 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1030-160-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1030-150-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1030-150-TO-200-B
Средняя длина волны 
1025 нм
Рабочий диапазон 
1015 - 1035 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
400 мА
Прямое напряжение 
1,7 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1030-150-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-950-110-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-950-110-TO-200-B
Средняя длина волны 
950 нм
Рабочий диапазон 
935 - 965 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
400 мА
Прямое напряжение 
1,8 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-950-110-TO-200-B  от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-920-90-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-920-90-TO-200-B
Средняя длина волны 
905 нм
Рабочий диапазон 
890 - 920 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
400 мА
Прямое напряжение 
2,1 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-920-90-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-800-40-TO-130-B
Полупроводниковый чип усиления GC-800-40-TO-130-B
Средняя длина волны 
 800 нм
Рабочий диапазон 
790 - 810 нм
Выходная мощность насыщения
 21 дБм
Ток 
250 мА
Прямое напряжение 
1,8 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-800-40-TO-130-B от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-800-40-TO-100-B
Полупроводниковый чип усиления GC-800-40-TO-100-B
Средняя длина волны 
 795 нм
Рабочий диапазон 
780 - 810 нм
Выходная мощность насыщения
 20 дБм
Ток 
250 мА
Прямое напряжение 
1,8 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-800-40-TO-100-B от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-780-40-TO-100-B
Полупроводниковый чип усиления GC-780-40-TO-100-B
Средняя длина волны 
 775 нм
Рабочий диапазон 
760 - 790 нм
Выходная мощность насыщения
 20 дБм
Ток 
250 мА
Прямое напряжение 
2 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-780-40-TO-100-B от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-780-40-TO-30-B
Полупроводниковый чип усиления GC-780-40-TO-30-B
Средняя длина волны 
 775 нм
Рабочий диапазон 
760 - 790 нм
Выходная мощность насыщения
 14 дБм
Ток 
150 мА
Прямое напряжение 
1,9 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-780-40-TO-30-B от Innolume

Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу
Конусный усилитель серии TA-1080-50-CM-3W
Конусный усилитель серии TA-1080-50-CM-3W
Длина волна при макс. мощности 
1080 нм
Выходная мощность 
35 дБм
Диапазон настройки 
50 нм
Входная мощность 
30 мВт
Расхождение луча 
18 градусов
Полупроводниковый конусный усилитель, сочетающий в себе высокую мощность лазеров широкого спектра действия и хорошее качество луча на выходе
Под заказ
Срок поставки - 3 недели
Цена по запросу
Добавить к заказу

Чип усиления является незаменимым компонентом при создании перестраиваемых диодных лазеров или диодных лазеров высокой стабильности. Устройство похоже на лазерный диод, за исключением того, что он имеет противоотражающее покрытие на одной или обеих гранях, что значительно увеличивает порог самогенерации или устраняет его. В этом разделе Вы можете купить полупроводниковый чип усиления по низкой цене с предоставлением гарантийного и постгарантийного обслуживания. Доставка осуществляется во все города России и стран СНГ.

Типовые конфигурации диодного лазера с внешним резонатором представляют собой резонаторы Литтроу, Литтмана - Меткалфа.

#separator#

 

Устройства делятся две основные категории:

  • Односторонний оптический доступ (типы A, B)

является идеальным компонентом для работы в схеме, где выходная мощность отводится от резонатора. Обычно поставляется в корпусе типа TO-can.

  • Двусторонний оптический доступ (типы C, D)

используется в схеме, которая отводит мощность непосредственно от грани устройства для уменьшения оптических потерь.


Компания «АО «ЛЛС» » предлагает полупроводниковые чипы усиления от компании Innolume.

ЛЛС является крупным поставщиком оборудования для области фотоники, который доставляет заказы в пределах страны. Профессионализм наших сотрудников позволяет решать задачи, различные по объему и уровню сложности, в работе как с крупными серийными производствами, так и с опытными конструкторскими бюро. Выбирая своим поставщиком ЛЛС, мы гарантируем высокое качество и своевременную доставку оборудования.

Для подробной информации, получения технической консультации или оформления заказа, просим Вас отправить заявку нашим инженерам.

Связаться с инженером Бесплатный звонок