Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
ru en
Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
Товар добавлен в корзину
Перейти в корзину
Радиофотоника

Передача ВЧ/СВЧ сигнала с помощью EML лазеров

Описание
Схема
Компоненты
Измерительное оборудование

EML (electroabsorbtion modulated laser) в основном представляют собой монолитную интеграцию двух различных элементов: высокоскоростного электроабсорбционного модулятора (EAM) и лазерного источника с одной длиной волны. Большинство электроабсорбционных модуляторов выполнены в виде волновода с электродами для приложения электрического поля в направлении, перпендикулярном модулированному излучению. Электроабсорбционный модулятор представляет собой оптический модулятор на основе полупроводника. Его принцип действия основан на эффекте Франца–Келдыша, т.е. изменении спектра поглощения, вызванном приложенным электрическим полем, которое изменяет энергию запрещенной зоны, но обычно не предполагает существенного возбуждения носителей электрическим полем.

Область применений:

  • Беспроводная сеть и сетевая магистраль
  • OEM-приложения в оптических коммуникациях, сетях и датчиках
  • Сети кабельного телевидения, пассивные оптические сети (PON), DOCSIS 3.1
  • Сети связи DWDM, включая цифровые, аналоговые
  • Приложения, требующие очень хорошей линейности; такие как QAM

Лазерные диоды для передачи ВЧ/СВЧ сигнала
Фотоприёмники для передачи ВЧ/СВЧ сигнала

Лазерные диоды для передачи ВЧ/СВЧ сигнала

EML в основном используются для более высоких скоростей (≥ 25 Гбит/с, 40 Гбит/с) и больших расстояний (10-40 км) в телекоммуникационных системах. По сравнению с лазерами прямой модуляции, EML имеет меньшую хроматическую дисперсию со стабильной длиной волны при высокоскоростной работе, поскольку ток инжекции (входной сигнал) в лазерную секцию не модулируется и, следовательно, не изменяется.   Частотная характеристика EML зависит от емкости в секции EAM, что обеспечивает высокую рабочую скорость, даже на частоте более 40 ГГц.  

Основные характеристики и данные лазеров с прямой модуляцией:
  • Длины волн 1310 - 1610 нм – включая варианты для CWDM и DWDM
  • Мощность менее 10 мВт (CW)
  • Модуляция до 30-40 ГГц
  • SM волоконный выход
  • Высокое тепловыделение

Подходящие решения

 Лазерный EML.png Лазерный EML диод 43G, 1550 нм, 7-pin + RF Длина волны

1530 - 1565 нм
Выходная оптическая мощность

5 дБм
Ширина полосы

32 ГГц
 Лазерный EML DWDM диод.png Лазерный EML DWDM диод до 12 ГГц, 7-pin+RF Длина волны

1530 - 1564 нм
 (ITU по запросу)
Выходная оптическая мощность

10 мВт
Аналоговая частота

10 ГГц
 Передающий модуль серии LT40A до 40 ГГц.png Передающий модуль серии LT40A до 40 ГГц со встроенным модулятором (сделано в России) Длина волны 

1310 нм
Выходная оптическая мощность

3 - 41 мВт
Ширина полосы

от 10 МГц до 40 ГГц

Фотоприёмники для передачи ВЧ/СВЧ сигнала

Фотоприемники для построения трактов передачи ВЧ и СВЧ сигналов это неотъемлемая часть и необходимый компонент. Подобные фотоприемники имеют корпус с выводами и СВЧ разъемом (как правило мама). Изготавливаются в герметичном корпусе для индустриального температурного диапазона. Чаще всего используются PIN-фотодиоды. Кремниевые фотоприемники работают на длинах волн 400-1100 нм, более широкое распространение получили InGaAs фотоприемники с рабочим диапазоном 1250-1600 нм.

  Основные преимущества:

  • Производство InGaAs, GaAs – PIN и APD фотоприемников
  • Диапазон до 40 ГГц
  • Форм-фактор: одноканальные и многоканальные чипы, чипы на носителе и модули с СВЧ-выходом
  • Низкая емкость: до 70пФ
  • Низкий темновой ток: до 2 нА
  • Высокая линейность

Подходящие решения

   Фотоприемник серии P40A до 40 ГГц (сделано в России).png 

Фотоприемник серии P40A до 40 ГГц (сделано в России)

Ширина полосы

0 - 40 ГГц
Диапазон длин волн

1260 - 1620 нм
Входная оптическая мощность (макс.)

+10 дБм
Фотоприемник от 100 кГц до 20 ГГц.png

Фотоприемник от 100 кГц до 20 ГГц

Ширина полосы

от 100 кГц до 20 ГГц
Диапазон длин волн

1280 - 1580 нм
Микроволновая входная мощность

+5 дБм
      Фотоприемник до 20 ГГц.png

Фотоприемник до 20 ГГц

Ширина полосы

до 20 ГГц
Диапазон длин волн

1260 - 1620 нм
Входная оптическая мощность (макс.)

+20 дБм
      Фотоприемник до 20 ГГц -2.png Фотоприемник до 20 ГГц

Ширина полосы

до 20 ГГц

Диапазон длин волн

1260 - 1610 нм

Входная оптическая мощность (макс.)

40 мВт

      Фотоприемник до 20 ГГц.png Фотоприёмник до 10 ГГц

Ширина полосы

до 10 ГГц

Диапазон длин волн

1260 - 1610 нм

Чувствительность

0.85 A/Вт @ 1310 нм

0.90 A/Вт @ 1550 нм


Вам также понадобятся:
Пассивные волоконные компоненты
Оптические волоконные усилители (EDFA)
Оптические полупроводниковые усилители (SOA)
Оптические сборки и разъемы для ответственных применений
Драйверы и отладочные платы для лазерных диодов
Связаться с инженером Бесплатный звонок