Лавинный фотодиод InGaAs
Подробности
Описание—Лавинный фотодиод для OTDR, 3 Гбит/с, MMF 62.5/125/900, длина пигтейла 1 м, без коннектора, М=80
- Лавинный фотодиод для OTDR, 3 Гбит/с, MMF 62.5/125/900, длина пигтейла 1 м, без коннектора, М=80
- Лавинный фотодиод для OTDR, 3 Гбит/с, SMF 9/125/900, длина пигтейла 1 м, коннектор типа FC/APC, М=20
В корзину
Быстрый заказ
Характеристики
Прямой ток
—
10 мА
Обратный ток
—
0,5 мА
Обратное напряжение пробоя
—
45 В
Темновой ток
—
3 нА
Умноженный темновой ток
—
5 нА
Емкость терминала
—
0,35 пФ
Граничная частота
—
2,5 ГГц
Квантовый КПД
—
76-90% при λ = 1310 нм, M = 1; 65-77% при λ = 1550 нм, M = 1
Чувствительность
—
0,85-0,9 А/В при λ = 1310 нм, M = 1; 0,9-0,95 А/В при λ = 1550 нм, M = 1
Обратные оптические потери
—
40 дБ
Все характеристики
Пусконаладка и обучение персонала
Доступен лизинг, кредит, рассрочка
Подберем оборудование под ваши задачи
Гарантийное и постгарантийное обслуживание без привлечения производителя
Бесплатная доставка
Официальный дистрибьютор Shengshi Optical в РФ и странах Таможенного Союза АО «ЛЛС» предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции Shengshi Optical, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.
Ключевые особенности:
- Малый темновой ток: 1~10 нА
- Малая емкость выводов: CT = 0.35 пФ при 0.9 VBR
- Высокий квантовый КПД:
- η = 90% при λ = 1310 нм, M = 1; η = 77% при λ = 1550 нм, M = 1
- Высокая скорость отклика: fc = 2,5 ГГц при M = 10
- Размер зоны детектирования: 50 пм
- Различные разъемы и различные варианты фланцев
АО "ЛЛС" является дистрибьютором компании Shengshi Optical на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции и полную техническую поддержку.
Документы
InGaAs Pulsed APD For OTDR
363,4 кб
Прямой ток
|
10 мА |
Обратный ток
|
0,5 мА |
Обратное напряжение пробоя
|
45 В |
Темновой ток
|
3 нА |
Умноженный темновой ток
|
5 нА |
Емкость терминала
|
0,35 пФ |
Граничная частота
|
2,5 ГГц |
Квантовый КПД
|
76-90% при λ = 1310 нм, M = 1; 65-77% при λ = 1550 нм, M = 1 |
Чувствительность
|
0,85-0,9 А/В при λ = 1310 нм, M = 1; 0,9-0,95 А/В при λ = 1550 нм, M = 1 |
Обратные оптические потери
|
40 дБ |
Диапазон рабочих температур корпуса
|
от -40 до +85оС |
Диапазон температур хранения
|
от -40 до +85оС |
- OTDR системы
- оптоволоконная коммуникация
- дистанционные измерения