- Фотопроводящий терагерцовая антенна 800 нм, 2 ТГц
На сегодняшний день одним из самых популярных направлений развития оптики является терагерцовая спектрометрия, долгое время являющаяся недоступной для использования ввиду отсутствия источников излучения и приемников в данном диапазоне. В разработанных на сегодня методах, решающих эту проблему лежит генерации и детектирования сверхкоротких терагерцовых импульсов при возбуждении полупроводниковых антенн излучением лазеров.
В качестве основы и неотъемлемой частью фотодетекторов для таких спектрометров была разработана фотопроводящая антенна, которая генерирует и детектирует ТГц-импульсы с помощью короткоживущих носителей заряда, индуцированных сверхкороткими лазерными импульсами
Конструктивно антенна выполнена в форме фотопроводящего чипа, который состоит из двух металлических электродов, нанесенных на полуизолирующую полупроводниковую подложку с зазором между этими двумя электродами; и массива линз для обработки, попадающего на данный чип лазерного излучения.
В последствие антенна заключается в корпус с коаксиальным кабелем, оснащенным СВЧ разъемом для непосредственного подключения к спектрометру
Для генерации ТГц импульсов на электроды подается электрическое напряжение. Так как подложка является полуизолирующей, электрическая энергия запасается в области зазора и сверхкороткие лазерные импульсы играют роль быстродействующих переключателей, которые замыкают электрический контур и, тем самым, способствуют генерации ТГц импульса в результате ускоренного движения носителей в полупроводнике.
Компания BATOP optoelectronics представляет серию фотопроводящих антенн iPCA для терагерцовой спектроскопии, модели которой охватывают широкий диапазон, как длин волн, так и размеров чипа.
Ниже представлен пример как может выглядеть фотопроводящая антенна, заключенная в алюминиевый корпус и оснащенная кабелем для подключения; установленная на стальной стержень
АО «ЛЛС» является дистрибьютором и представляет весь спектр продукции BATOP на территории РФ и стран СНГ и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов. Получить дополнительную информацию вы можете, обратившись в нашу компанию.
|
Длина волны
|
800 нм |
|
Резонансная частота
|
2 ТГц |
|
Спектральный диапазон
|
0,1…4 ТГц |
|
Оптическая мощность
|
0,5…3 Вт |
|
Максимальная средняя мощность
|
200 мкВт |
|
Максимальное напряжение
|
<15 В |
|
Тип СВЧ разъема
|
BNC |
|
Тип кабеля
|
RG178 B/U |
|
Длина кабеля
|
1 м |
|
Импеданс
|
50 Ом |
|
Погонная емкость
|
96 пФ/м |
|
Материал подложки
|
GaAs |
|
Размеры чипа
|
4 х 4 мм |
|
Толщина чипа
|
650 мкм |
|
Размер активной области
|
1 х 1 мм |
|
Материал линз
|
кремний нелегированный HRFZ |
|
Индекс отражения
|
3,4 |
|
Диаметр линз
|
12 мм |
|
Материал корпуса
|
алюминий |
|
Диаметр корпуса
|
25,4 мм |
|
Толщина корпуса
|
6 мм |
Нужна консультация?
Бесплатная консультация инженера