Интернет-магазин представительского класса

+7 (812) 507-88-08

Заказать звонок

Задать вопрос

Войти

info@lenlasers.ru

199034, г. Санкт-Петербург, Биржевая линия, д. 16, офис 401

Отложенные 0 Корзина 0

КОНТАКТЫ

InGaAs PIN-фотодиод 1.85 мкм G12181-203K

№: G12181-203K

Цена по запросу

Варианты цен

Цена по запросу

Подробности

Цена по запросу

В корзину

Быстрый заказ

Характеристики

Светочувствительная область

—

Ø0.3 мм

Количество элементов

—

Корпус

—

Металлический

Тип корпуса

—

TO-8

Охлаждение

—

Двухкаскадное ТЭО

Спектральный диапазон

—

0.9 до 1.85 мкм

Длина волны макс. чувствит. (тип.)

—

1.75 мкм

Фоточувствительность (тип.) @λ=λp

—

1.1 А/Вт

Темновой ток (макс.) @Tc=-20 ℃, VR=0.5 В

—

0.5 нА

Частота среза (тип.) @Tc=-20 ℃, VR=0 В, R_L=50 Ом

—

150 МГц

Все характеристики

Пусконаладка и обучение персонала

Доступен лизинг, кредит, рассрочка

Подберем оборудование под ваши задачи

Гарантийное и постгарантийное обслуживание без привлечения производителя

Бесплатная доставка

Прямой поставщик Hamamatsu Photonics в РФ и странах Таможенного Союза АО «ЛЛС» предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции Hamamatsu Photonics в 2026 году, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.

InGaAs PIN-фотодиод G12181-203K представляет собой одноканальный приемник излучения в металлическом корпусе, оптимизированный для работы в спектральном диапазоне от 0.9 до 1.85 мкм. Модуль оснащен двухкаскадным термоэлектрическим охладителем (ТЭО), что обеспечивает стабильно низкий уровень шумов и высокую чувствительность для регистрации слабых сигналов в ближней инфракрасной области. Прибор сочетает высокую надежность и скоростные характеристики.

Ключевые особенности:

Максимальная длина волны: 1.85 мкм
Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение
Высокая чувствительность и низкий уровень шума
Высокое быстродействие
Низкая стоимость эксплуатации
Высокая надежность

АО «ЛЛС» является дистрибьютором и представляет весь спектр продукции Hamamatsu Photonics на территории РФ и стран СНГ и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов. Получить дополнительную информацию вы можете, обратившись в нашу компанию.

Документы

InGaAs PIN-фотодиод 1.85 мкм G12181-203K 1 мб

Светочувствительная область	Ø0.3 мм
Количество элементов	1
Корпус	Металлический
Тип корпуса	TO-8
Охлаждение	Двухкаскадное ТЭО
Спектральный диапазон	0.9 до 1.85 мкм
Длина волны макс. чувствит. (тип.)	1.75 мкм
Фоточувствительность (тип.) @λ=λp	1.1 А/Вт
Темновой ток (макс.) @Tc=-20 ℃, VR=0.5 В	0.5 нА
Частота среза (тип.) @Tc=-20 ℃, VR=0 В, R_L=50 Ом	150 МГц
Емкость перехода (тип.) @Tc=-20 ℃, VR=0 В, 1 МГц	20 пФ
Эквивалентная мощность шума (тип.)	3.5×10^-15 Вт/Гц^1/2
Условия измерений	Tc = -20 °C

Волоконно-оптическая связь
Спектроскопия
Тестирование и измерения
Детектирование излучений лазеров
Научные исследования