Фотодиод c площадкой Ø5 мм и герметичным корпусом ТО-8
Подробности
В корзину
Быстрый заказ
Характеристики
Диаметр активной зоны
—
5 мм
Спектральный диапазон
—
800-1700 нм
Токовый отклик
—
0.85; 0.90 мА/мВт
Время отклика
—
150 нс
Корпус
—
ТО-8
Темновой ток
—
0.1; 3 нА
Обратное напряжение пробоя
—
20 В
Емкость спая
—
4000; 1000 пФ
Рабочее напряжение
—
0-5 В
Сопротивление шунта
—
100 МОм
Все характеристики
Пусконаладка и обучение персонала
Доступен лизинг, кредит, рассрочка
Подберем оборудование под ваши задачи
Гарантийное и постгарантийное обслуживание без привлечения производителя
Бесплатная доставка
Ключевые особенности:
- Низкий темновой ток
- Большой диаметр активной зоны: 5 мм
- Герметичный корпус ТО-8
Документы
5mm InGaAs PIN photodiode
573,1 кб
Диаметр активной зоны
|
5 мм |
Спектральный диапазон
|
800-1700 нм |
Токовый отклик
|
0.85; 0.90 мА/мВт |
Время отклика
|
150 нс |
Корпус
|
ТО-8 |
Темновой ток
|
0.1; 3 нА |
Обратное напряжение пробоя
|
20 В |
Емкость спая
|
4000; 1000 пФ |
Рабочее напряжение
|
0-5 В |
Сопротивление шунта
|
100 МОм |
Прямой ток
|
16 мА |
Обратное напряжение
|
10 В |
Диапазон рабочей температуры
|
-40~+85 ℃ |
Диапазон температуры хранения
|
-40~+100 ℃ |
- Оптические датчики
- Научные исследования
- Спектральное тестирование откликов