Лазерный DFB диод PL-DFB-A1-850-R 850 нм производства LD-PD представляет собой экономичный высококогерентный лазерный источник
Подробности
Выходное волокно—HI1060
- PM980
- HI1060
Длина волны, нм—850 ± 2
- 850 ± 1
- 850 ± 2
Выходная мощность—20 мВт
- 20 мВт
Коннектор—FC/PC
- FC/PC
В корзину
Быстрый заказ
Характеристики
Длина волны
—
850 нм (849.5 - 850.5 нм)
Мощность
—
4 - 30 мВт
Вывод излучения
—
SM/PM
Ширина линии
—
< 2 МГц
Пороговый ток
—
20 мА
Рабочий ток
—
80 мА
Коэффицикент подавления боковой моды
—
40 дБ
Прямое напряжение
—
1.3 В
Сопротивление термистора
—
10 кОм
Температурный коэффициент термистра
—
-4.4 %/℃
Все характеристики
Пусконаладка и обучение персонала
Доступен лизинг, кредит, рассрочка
Подберем оборудование под ваши задачи
Гарантийное и постгарантийное обслуживание без привлечения производителя
Бесплатная доставка
Лазерный DFB диод PL-DFB-A1-850-R 850 нм производства LD-PD представляет собой экономичный высококогерентный лазерный источник. Чип лазерного DFB диода помещен в стандартный герметичный корпус типа 14 pin «бабочка» со встроенными TEC и PD. Специально оптимизирован под работу при комнатной температуре. Диод имеет отличные характеристики в диапазоне 20-30℃.
Ключевые особенности:
- Узкая ширина линии < 2 МГц
- Превосходный контроль длины волны и стабильность
- Настройка Mode-Hop
- Превосходная надежность
- Доступны длины волн по техническим заданиям заказчиков
АО «ЛЛС» предлагает весь спектр продукции компании LD-PD на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.
Документы
850nm-DFB-Laser-diode
426,1 кб
Длина волны
|
850 нм (849.5 - 850.5 нм) |
Мощность
|
4 - 30 мВт |
Вывод излучения
|
SM/PM |
Ширина линии
|
< 2 МГц |
Пороговый ток
|
20 мА |
Рабочий ток
|
80 мА |
Коэффицикент подавления боковой моды
|
40 дБ |
Прямое напряжение
|
1.3 В |
Сопротивление термистора
|
10 кОм |
Температурный коэффициент термистра
|
-4.4 %/℃ |
Коннектор
|
FC/APC |