LD-PD на основе InP изготовленный методом MOCVD и технологией планарной диффузии.
Подробности
В корзину
Быстрый заказ
Характеристики
Спектральный диапазон
—
1000 - 1680 нм
Активная зона
—
1000 мкм
Тип корпуса
—
чип
Чувсвительность
—
0.95 А/Вт
Прямое напряжение
—
0.6 В
Обратное напряжение пробоя
—
35 В
Темновой ток
—
2.5 нА
Емкость
—
70 пФ
Время нарастания
—
7 нс
Пусконаладка и обучение персонала
Доступен лизинг, кредит, рассрочка
Подберем оборудование под ваши задачи
Гарантийное и постгарантийное обслуживание без привлечения производителя
Бесплатная доставка
Описание
InGaAs LD-PD на основе InP изготовленный методом MOCVD и технологией планарной диффузии. Чувствительные области продуктов серии фотодиодов TO составляют φ75мкм, φ300мкм, φ500мкм φ1мм, φ 2мм, φ3мм соответственно. Продукты с другой чувствительной областью, формой или стилем корпуса также могут быть предоставлены в соответствии с требованиями пользователей.
Ключевые особенности:
- Высокая чувствительность, передняя подсветка, двухсторонняя конструкция
- Φ= 1мм, круглое оптическое окно
- Оптимизирован для обнаружения Machane(CH4) (1654нм), повышая чувствительность при низких температурах
АО «ЛЛС» предлагает весь спектр продукции компании LD-PD на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.
Документы
PD1000-InGaAs-Photodiode-Chip
125,3 кб