- 0.1 - 1.0 нм
- 2.1 - 4.0 нм
- 1275 - 1345
- 6
- диод от QD Laser
Официальный дистрибьютор Applied Optoelectronic в РФ и странах Таможенного Союза АО «ЛЛС» предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции Applied Optoelectronic, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.
Компании Applied Optoelectronic и QD Laser поставляют лазерные DFB диоды, излучающие на 1310 нм. Диоды имеют корпус TO-can.
DFB-1310-T5-5-2.5 - это линейка лазерных диодов, использующих технологию квантовых ям MQW, от компании Applied Optoelectronic. Они технологически приспособлены для использования в бюджетных высокоскоростных трансмиттерах. Продукты данной серии отличаются высокой выходной мощностью и широким диапазоном рабочих температур.
Ключевые особенности диодов от Applied Optoelectronic:
- Распределенная обратная связь
- Достаточно высокий коэффициент подавления боковой моды равный 40 дБ
- Корпус 5.6 мм ТО
QLF1339-AA - это лазерный диод, основанный на квантовых точках. Его излучение приходится на длину волны 1310 нм. Диод был разработан для телекоммуникационных приложений и передачи информации со скоростью до 2.5 Гбит/с. Лазер помещен в TO-56 корпус без фотодиода, который герметично закрыт крышкой с линзой. Благодаря технологии квантовых точек диод демонстрирует отличные температурные характеристики и низкое энергопотребление
Ключевые особенности диодов от QD Laser:
- FP-LD 1310 нм
- Корпус TO-CAN, Ø5.6 мм
- Широкий диапазон рабочих температур: -10 - +85°С
- Без встроенного фотодиода для мониторинга
Длина волны в зависимости от температуры
- 1289 нм @ -10°C
- 1305 нм @ 25°C
- 1335 нм @ 85°C
АО «ЛЛС» является дистрибьютором компаний Applied Optoelectronic и QD Laser на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.
Длина волны
|
1300 - 1320 нм |
Мощность
|
5 - 6 мВт |
Вывод излучения
|
свободное пространство |
Ширина спектральной линии
|
0.1 - 4.0 нм |
Пороговый ток
|
7 - 15 мА |
Прямой ток
|
120 мА |
Прямое напряжение
|
1.1 - 1.6 В |
Диф. эффективность
|
0.30 мВт/мА |
Коэф. подавление боковой моды
|
30 - 40 дБ |
Время нарастания/спада
|
0.1 - 0.5 нс |
Частота релаксационных колебаний
|
4.5 ГГц |
Диапазон рабочих температур
|
-20/+85 ℃ |
Диапазон температур хранения
|
-40/+100 ℃ |
Области применения:
- Трансмиттеры SONET
- Оптическая связь "point to point"
- Оптические коммуникационные системы