Лазерный диод PL-DFB-1653.7-A81 1653.7 нм представляет собой экономичный высококогерентный лазерный источник
Подробности
В корзину
Быстрый заказ
Характеристики
Длина волны
—
1653.7 нм
Мощность
—
4 - 8 мВт
Тип волокна или параметры пучка
—
SM/PM
Спектральная ширина линии
—
< 2 МГц
Пороговый ток
—
5 мА
Рабочий ток
—
40 мА
Коэффициент перестройки по току
—
0.015 нм/мА
Коэффициент перестройки по температуре
—
0.12 нм/К
Прямое напряжение
—
1.3 В
Сопротивление термистора
—
10 кОм
Все характеристики
Пусконаладка и обучение персонала
Доступен лизинг, кредит, рассрочка
Подберем оборудование под ваши задачи
Гарантийное и постгарантийное обслуживание без привлечения производителя
Бесплатная доставка
Лазерный диод PL-DFB-1653.7-A81 1653.7 нм представляет собой экономичный высококогерентный лазерный источник. Чип лазерного DFB диода упакован в стандартный герметичный корпус типа 14 pin«бабочка» со встроенными TEC и PD.
Ключевые особенности:
- Узкая ширина спектральной линии < 2 МГц
- Превосходный контроль длины волны и стабильность
- Промышленный стандарт - корпус 14 pin Butterfly
- Mode-Hop перестройка
- Превосходная надежность
- Доступны другие длины волн (под заказ)
АО «ЛЛС» предлагает весь спектр продукции компании LD-PD на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.
Документы
DFB-Laser-diode-for-O2-Sensing
315,1 кб
Длина волны
|
1653.7 нм |
Мощность
|
4 - 8 мВт |
Тип волокна или параметры пучка
|
SM/PM |
Спектральная ширина линии
|
< 2 МГц |
Пороговый ток
|
5 мА |
Рабочий ток
|
40 мА |
Коэффициент перестройки по току
|
0.015 нм/мА |
Коэффициент перестройки по температуре
|
0.12 нм/К |
Прямое напряжение
|
1.3 В |
Сопротивление термистора
|
10 кОм |
Коннектор
|
FC/APC |