- 1260 - 1620 нм
- 830 - 860 нм
- 850 - 1620 нм
- 850/1310 нм
- Чип
- Темновой ток 1 нА
Официальный дистрибьютор Albis Optoelectronics в РФ и странах Таможенного Союза АО «ЛЛС» предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции Albis Optoelectronics, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.
Высокоскоростные чипы InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи и интегрированной линзой с обратной стороны. Эти фотодиоды со входом света снизу через линзу разработаны для одномодовой передачи данных в длинноволновом диапазоне для цифровых телекоммуникаций до 10-12 Гбит/с. Они имеют превосходную чувствительность во всем рабочем диапазоне от 1260 до 1620 нм, а широкополосное просветляющее покрытие обеспечивает низкие потери на отражение. Фотодиоды иеют низкую ёмкость и достигают полной скорости при низких напряжениях смещения. Находящаяся на задней стороне линза фокусирует входящее излучение на фотодиод, находящийся в верхней части, что облегчает соединение с оптическим волокном.
Компания Albis предлагает передовые технологии производства InGaAs/GaAs/InP фотодиодов как ключевого элемента в сборках TO-can, TOSA, PLC и других приемных оптических модулях. Используя свой более чем 20-летний опыт работы, специалисты компании Albis предлагают современные, надежные и высококачественные фотодиоды для передачи как цифровой, так и аналоговой информации.
Ключевые особенности PD10K1:
- InGaAs фотодиод со входом света снизу через интегрированную линзу
- Чувствительность 0.6 A/Вт @ 850 нм
- Низкая ёмкость: < 240 фФ
- Низкий темновой ток < 1 нА
Ключевые особенности PD10X1:
- InGaAs фотодиод со входом света снизу через интегрированную линзу
- Чувствительность 0,9 А/Вт
- Низкая ёмкость: 120 фФ
- Диаметр линзы 100 мкм
- Низкое напряжение смещения: 1,5 В
Ключевые особенности PD10W1:
- Оптимизация под соеднение как с одномодовым так и с многомодовым волокном
- Чувствительность 0,9 А/Вт
- Низкая ёмкость 180 фФ
- Низкий темновой ток 3 нА
Ключевые особенности PD10G1:
- Большая апертура
- Чувствительность 0,9 А/Вт при 1310 нм
- Низкая ёмкость 260 фФ
- Низкий темновой ток 3 нА
- Специальные просветляющие покрытия
Ключевые особенности PD10F1:
- Большая апертура
- Чувствительность 0,9 А/Вт
- Низкая ёмкость 220 фФ
- Низкий темновой ток 2 нА
- Упрощенное соединение с волокном
Ключевые особенности PD10Kx:
- Линейка из 4-х чипов
- Спектральный диапазон 830 - 860 нм
- Большая апертура
- Расстояние между фотодиодами 250 мкм
- Чувствительность 0.6 A/Вт @ 850 нм
- Низкая ёмкость 230 фФ
- Низкий темновой ток < 1 нА
Ключевые особенности PD10I4:
- Линейка из 4-х чипов
- Спектральный диапазон 850 нм и 1310 нм
- Большая апертура
- Расстояние между фотодиодами 250 мкм
- Чувствительность 0.9 A/Вт @ 1310 нм
- Низкая ёмкость 260 фФ
- Низкий темновой ток 3 нА
- AR покрытия
Ключевые особенности PS05F1:
- Чип на подложке
- Фотодиод InGaAs со скоростью 10 Гбит/с с верхней подсветкой
- Большая оптическая апертура: 60 мкм
- Высокая чувствительность: 0,9 A / Вт
- Разные способы монтажа
АО «ЛЛС» является официальным дистрибьютором компании Albis Optoelectronics на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.