Товар добавлен в корзину
Перейти в корзину
Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования.
Резидент Технопарка ИТМО
8 (812) 612-99-82
Санкт-Петербург
+7 (964) 442-90-01
Новосибирск
+7 (964) 442-90-01
Владивосток
8 (800) 551-57-49
Звонок бесплатный по РФ
Перезвоните мне
Оставьте заявку
Ru En
0
Каталог
Фотоприемники оптические

Фотоприемники оптические

Модули и оптоэлектронные конвертеры
InGaAs/GaAs и Si/Ge фотодетекторы производителей Alphalas, FEMTO, Menlo Systems, работающие в спектральном диапазоне 170 - 1700 нм
К ПРОДУКЦИИ
Фотоприёмники с РЧ-выходом
Линейные балансные и дифференциальные фотоприемники производителя Optilab, работающие в спектральном диапазоне 950 - 1650 нм
К ПРОДУКЦИИ
Фотодиоды

Фотодиод – устройство, преобразующее попавший на него свет в электрическую энергию. Его принцип действия обусловлен фундаментальными процессами в p – n переходе. В результате обратный ток, который повышается при попадании светового потока на фоточувствительные компоненты, возникает в таких устройствах....

К ПРОДУКЦИИ
Детекторы одиночных фотонов
Стандартные и сверхпроводящие детекторы одиночных фотонов в видимом и ближнем ИК - диапазоне производителя ID Quantique
К ПРОДУКЦИИ
ИК-детекторы
Фотогальванические, фотоэлектромагнитные детекторы, фотопроводники, пироэлектрические, SMD, изотермические термодетекторы и термодетектирующие модули производителей Excelitas Technologies и VIGO Systems
К ПРОДУКЦИИ
Усилители
Широкополосные и низкочастотные усилители напряжения, ультракомпактные программируемые предусилители, высокоскоростные и сверхмалошумные усилители тока, однофазные и двухфазные синхронные усилители производителей NeoPhotonics, Alphalas, VIGO Systems и FEMTO
К ПРОДУКЦИИ
Кремниевые фотоумножители
Кремниевые фотоумножители в ТО - корпусе, многопиксельные фотонные счетчики и MPPC матрицы производителей Hamamatsu Photonics KK и Excelitas Technologies
К ПРОДУКЦИИ
Фотовольтаические преобразователи
Фотовольтаические преобразователи с рабочей длиной волны 975 нм и выходной мощностью до 2080 мВт производителя MH GoPower Company
К ПРОДУКЦИИ
Устройства мониторинга мощности
Tap - детекторы и встраиваемые цифровые мониторы производителя NeoPhotonics
К ПРОДУКЦИИ
X-ray детекторы
Массив фотодиодов для сканирующих приложений и неразрушающего контроля производителя Excelitas Technologies
К ПРОДУКЦИИ
Сортировать по:
Выберите сортировку
HgCdTe фотовольтаический детектор VML10T4 с TEC
HgCdTe фотовольтаический детектор VML10T4 с TEC
Спектральный диапазон
2 - 10.6 мкм
Чувствительность
≥2.5x109 (см*√ Гц)/Вт
Постоянная времени 
 ≤4 нс
Активная область 
 1 x 1 мм
Сопротивление 
150-500 Ом
Фотодетектор с термоэлектрическим охладителем
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
HgCdTe фотовольтаический детектор VML10T0 без TEC
HgCdTe фотовольтаический детектор VML10T0 без TEC
Спектральный диапазон
2 - 10.6 мкм
Чувствительность
≥2.0x108 (см*√ Гц)/Вт
Постоянная времени 
 ≤1.5 нс
Активная область 
 1 x 1 мм
Сопротивление 
20 - 150 Ом
10.6 мкм Фотовольтаический детектор 
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
HgCdTe фотовольтаический детектор VML8T4 с TEC
HgCdTe фотовольтаический детектор VML8T4 с TEC
Спектральный диапазон
2 - 8 мкм
Чувствительность
≥8.0x109 (см*√ Гц)/Вт
Постоянная времени 
 ≤4 нс
Активная область 
 1 x 1 мм
Сопротивление 
500 - 1200 Ом
8 мкм фотовольтаический детектор с термоэлектрическим охладителем
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
HgCdTe фотовольтаический детектор VML8T0 без TEC
HgCdTe фотовольтаический детектор VML8T0 без TEC
Спектральный диапазон
2 - 8 мкм
Чувствительность
≥6.0x108 (см*√ Гц)/Вт
Постоянная времени 
 ≤4 нс
Активная область 
 1 x 1 мм
Сопротивление 
50 - 300 Ом
ИК-фотодетектор, спектральный диапазон 8 мкм
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
HgCdTe фотовольтаический детектор VL5T0
HgCdTe фотовольтаический детектор VL5T0
Спектральный диапазон
2.7 - 5 мкм
Чувствительность
≥1.5x1010 (см*√ Гц)/Вт
Постоянная времени 
 ≤120 нс
Отклик 
 ≥1 А⋅Вт-1
Активная область 
 1 x 1 мм
Фотовольтаический детектор с активной областью 1*1 мм
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
HgCdTe фотоприёмник PDA10JT-EC
HgCdTe фотоприёмник PDA10JT-EC
Спектральный диапазон
2.0 - 5.4 мкм
Пиковый отклик
300 В/Вт
Сопротивление
50 Ом 
Активная область
 1 x 1 мм (1 мм2 )
Диапазон регулировки усиления 
0 - 40 дБ
Оптический детектор с усилителем и термоэлектрическим охладителем
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
HgCdTe фотоприёмник PDAVJ5
HgCdTe фотоприёмник PDAVJ5
Спектральный диапазон
2.7 - 5.0 мкм
Чувствительность
1.5*10 8 *см*Гц1/2Вт-1
Сопротивление
50 Ом 
Активная область
 1 x 1 мм (1 мм2 )
Полоса пропускания 
DC - 100 МГц 
Оптический фотодетектор с активной областью 1*1 мм
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
HgCdTe фотоприёмник PDAVJ10
HgCdTe фотоприёмник PDAVJ10
Спектральный диапазон
2.0 - 10.6 мкм
Чувствительность
2.0*10 8 *см*Гц1/2Вт-1
Сопротивление
50 Ом 
Активная область
 1 x 1 мм (1 мм2 )
Полоса пропускания 
DC - 100 МГц 
Оптический фотоприёмник с усилителем
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
HgCdTe фотоприёмник PDAVJ8
HgCdTe фотоприёмник PDAVJ8
Спектральный диапазон
2.0 - 8.0 мкм
Чувствительность
6.0*10 8 *см*Гц1/2Вт-1
Сопротивление
50 Ом 
Активная область
 1 x 1 мм (1 мм2 )
Полоса пропускания 
DC - 100 МГц 
HgCdTe фотоприёмник с усилителем
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
InAsSb фотоприёмник PDA10PT-EC
InAsSb фотоприёмник PDA10PT-EC
Спектральный диапазон
 1.0 - 5.8 мкм
Пиковый отклик
 1.6 А/Вт
Сопротивление
50 Ом
Активная область
Ø1 мм
Диапазон регулировки усиления 
 40 дБ
InAsSb детектор с ТЭО
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
InAsSb фотоприёмник PDA07P2
InAsSb фотоприёмник PDA07P2
Спектральный диапазон
2.7 - 5.3 мкм
Пиковый отклик
 4.5 мА/Вт
Сопротивление
50 Ом
Активная область
 0.7 x 0.7 мм (0.49 мм2 )
Полоса пропускания 
9 МГц
InAsSb фотоприёмник с фиксированным коэффициентом усиления
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Усиливающий PIN-фотоприёмник до 5 ГГц
Усиливающий PIN-фотоприёмник до 5 ГГц
Диапазон длин волн
1000 - 1650 нм
Диапазон частот
L - диапазон; S - диапазон
Полоса пропускания
0.03 -  1 ГГц; 0.03 - 2.5 ГГц
Оптическая мощность насыщения
+5 дБм
Вх. мощность 
0 - +5 дБм
Усиливающий PIN-фотоприёмник на диапазон длин волн от 1000 до 1650 нм
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Миниатюрный высокоскоростной фотоприёмник
Миниатюрный высокоскоростной фотоприёмник
Диапазон длин волн
1000 - 1650 нм
Диапазон частот
Ku+ - диапазон; 
Полоса пропускания
0.3 -  20 ГГц
Оптическая мощность насыщения
+7 дБм
Вх. мощность 
+3 - +10 дБм
Компактный высокоскоростной InGaAs фотоприемник
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Высокоскоростной фотоприёмник с RF усилением
Высокоскоростной фотоприёмник с RF усилением
Диапазон длин волн
1000 - 1650 нм
Диапазон частот
X - диапазон; Ku - диапазон
Полоса пропускания
0.3 -  12 ГГц; 0.8 - 19.5 ГГц
Оптическая мощность насыщения
10 дБм
Вх. мощность 
0 - +10 дБм
Высокоскоростной InGaAs фотоприёмник с РЧ усилением
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Сверхвысокоскоростные фотоприёмники до 30 ГГц
Сверхвысокоскоростные фотоприёмники до 30 ГГц
Диапазон длин волн
1000 - 1650 нм
Диапазон частот
С - диапазон; X - диапазон; Ku - диапазон; Ku+ - диапазон; K+ - диапазон;
Полоса пропускания
0.1 -  30 ГГц
Оптическая мощность насыщения
+7 дБм
Вх. мощность 
+3 - +7 дБм
Сверхвысокоскоростной фотоприёмник для оптических коммуникаций
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотоприёмники с высоким порогом насыщения
Фотоприёмники с высоким порогом насыщения
Диапазон длин волн
1000 - 1650 нм
Диапазон частот
X - диапазон; Ku - диапазон
Полоса пропускания
0.3 -  12 ГГц; 0.8 - 18 ГГц
Оптическая мощность насыщения
13 дБм
Вх. мощность 
0 - +13 дБм
InGaAs фотоприёмник для волоконно-оптических систем связи
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Высокоскоростной фотоприёмник
Высокоскоростной фотоприёмник
Диапазон длин волн
1000 - 1650 нм
Диапазон частот
X - диапазон; Ku - диапазон
Полоса пропускания
0.3 -  12 ГГц; 2 - 20 ГГц
Оптическая мощность насыщения
+10 дБм
Вх. мощность 
0 - +10 дБм
Высокоскоростной фотоприёмник на диапазон длин волн 1000 - 1650 нм
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Мультиканальный высокоскоростной фотоприёмник
Мультиканальный высокоскоростной фотоприёмник
Диапазон длин волн
1000 - 1650 нм
Диапазон частот
X - диапазон; Ku - диапазон
Полоса пропускания
0.3 - 12 ГГц; 2 - 18 ГГц
Оптическая мощность насыщения
10 дБм
Вх. мощность 
0 - +10 дБм
Мультиканальный высокоскоростной фотоприёмник на диапазон длин волн 1000 - 1650 нм
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Малошумящий широкополосный фотоприёмник до 8 ГГц
Малошумящий широкополосный фотоприёмник до 8 ГГц
Диапазон длин волн
1000 - 1650 нм
Диапазон частот
L - диапазон; S - диапазон
Полоса пропускания
0.03 - 2.5 ГГц
Оптическая мощность насыщения
0 - +5 дБм
Вх. мощность 
+5 дБм
InGaAs фотоприемник на диапазон длин волн 1000 - 1650 нм
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотоприемник серии P40A до 40 ГГц (сделано в России)
Фотоприемник серии P40A до 40 ГГц (сделано в России)
Спектральный диапазон
от 1260 до 1620 нм
Частотная полоса 
 от 0 до 40 ГГЦ
Чувствительность 
 0,65 A / Вт
Рабочее напряжение смещения 
 +3 / +5 В
Входная оптическая мощность (макс.) 
 10 дБм
Высокопроизводительный фотодиод на основе InGaAs p-i-n, предназначенный для работы в диапазоне длин волн от 1260 до 1620 нм
В наличии
Цена по запросу
Добавить к заказу
28 Гб/с чип APD20D1
28 Гб/с чип APD20D1
Скорость
28 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Тип фотоприемника
APD 
Диаметр линзы
100 мкм
APD20D1 - Сверхбыстрый лавинный фотодиод (APD) с Y-образным расположением контактных площадок
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
25 Гб/с чипы серии APx20x1
25 Гб/с чипы серии APx20x1
Скорость
25 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Тип фотоприемника
APD 
Диаметр линзы
100 мкм
Сверхвысокоскоростной лавинный фотодиод (APD) с Т-образным расположением контактных площадок
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
10 Гб/с чипы серии APD10xx
10 Гб/с чипы серии APD10xx
Полоса частот
 90 ГГц
Скорость
10 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Тип фотоприемника
APD 
Чувствительность  
-31 дБм
Высокоскоростной лавинный фотодиод для приложений передачи данных со скоростью 10 Гбит / с.
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
2.5 Гб/с чипы серии APD05x1
2.5 Гб/с чипы серии APD05x1
Полоса частот
 50 ГГц
Скорость
2.5Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Тип фотоприемника
APD 
Чувствительность  
-35 дБм
Высокоскоростные лавинные фотодиоды с двойной контактной площадкой и большой апертурой
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
25 Гб/с чипы серии PD20xx
25 Гб/с чипы серии PD20xx
Спектральный диапазон
830-860 нм
Скорость
25 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,53  A / Вт
Высокая чувствительность
 0,53 A / Вт
Фотодиод/матрица фотодиодов GaAs 25 Гбит/с с большой оптической апертурой
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
56 Гб/с чипы серии PS40xx
56 Гб/с чипы серии PS40xx
Спектральный диапазон
1260-1620 нм
Скорость
56 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,8  A / Вт
Фотодиоды для приложений по передачи данных со скоростью 56 Гбит / с
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
2.5 Гб/с чипы серии PD0xj1
2.5 Гб/с чипы серии PD0xj1
Спектральный диапазон
980-1620 нм, 1260-1620 нм
Активная зона
150 мкм
Скорость
2.5 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,9 - 1,0 A / Вт
Фотодиоды для мониторинга и передачи данных со скоростью до 2,5 Гбит / с
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
1 Гб/с чипы серии PD00x1
1 Гб/с чипы серии PD00x1
Спектральный диапазон
800-860 нм, 1260-1620 нм
Активная зона
250 мкм
Скорость
1 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,6 - 1,1 A / Вт
1 Гб/с Фотодиоды для мониторинга
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
DC чипы серии PD00x1
DC чипы серии PD00x1
Спектральный диапазон
980-1620 нм, 1260-1620 нм
Темновой ток
 <1 нА
Чувствительность
0,95  A / Вт
Напряжение смещения
1,5 В
InGaAs Фотодиоды для мониторинга
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Высокомощный 20 Гб/с чип PQW20B-L
Высокомощный 20 Гб/с чип PQW20B-L
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Входная оптическая мощность
+20 дБм
Частотная полоса
22 ГГц
Линейность
+30 дБм при 20 ГГц, 30 мА.
Чувствительность
0,5 A / Вт
PQW20B-L - это высокомощный микроволновый фотодиодный модуль для преобразования оптических сигналов с частотой до 20 ГГц.
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Высокомощный 20 Гб/с чип HPS20Y1
Высокомощный 20 Гб/с чип HPS20Y1
Спектральный диапазон
1310/1550 нм
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Полоса частот
22 ГГц 
HPS20Y1 - это высокомощный фотодиодный чип с высокой линейностью
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
40 Гб/с чипы серии PD40x1
40 Гб/с чипы серии PD40x1
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
43 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростные чипы InGaAs/InP
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
28 Гб/с чипы серии PD20xx
28 Гб/с чипы серии PD20xx
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
28 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
12 Гб/с чипы серии PD10x1
12 Гб/с чипы серии PD10x1
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
12 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
10 Гб/с чипы серии PD10x1
10 Гб/с чипы серии PD10x1
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм, 850 - 1620 нм
Скорость
10 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Балансный фотоприёмник EBR370010-02
Балансный фотоприёмник EBR370010-02
Спектральный диапазон
900 - 1700 нм
Диапазон частот
0.03 - 100 МГц
Тип детектора
InGaAs
Тип входа
волоконный
Встроенный усилитель
40×103
Балансный фотоприёмник EXALOS (EBR) разработан специально для таких приложений, где критически важно высокое соотношение сигнал / шум
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Балансный фотоприёмник EBR370009-02
Балансный фотоприёмник EBR370009-02
Спектральный диапазон
900 - 1700 нм
Диапазон частот
DC - 100 МГц
Тип детектора
InGaAs
Тип входа
волоконный
Встроенный усилитель
40×103
Балансный фотоприёмник EXALOS (EBR) разработан специально для таких приложений, где критически важно высокое соотношение сигнал / шум
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Балансный фотоприёмник EBR370004-02
Балансный фотоприёмник EBR370004-02
Спектральный диапазон
900 - 1700 нм
Диапазон частот
0.03 - 80/350 МГц
Тип детектора
InGaAs
Тип входа
волоконный
Встроенный усилитель
5×103
Балансный фотоприёмник EXALOS (EBR) разработан специально для таких приложений, где критически важно высокое соотношение сигнал / шум
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Балансный фотоприёмник EBR370003-02
Балансный фотоприёмник EBR370003-02
Спектральный диапазон
900 - 1700 нм
Диапазон частот
DC - 80/350 МГц
Тип детектора
InGaAs
Тип входа
волоконный
Встроенный усилитель
5×103
Балансный фотоприёмник EXALOS (EBR) разработан специально для таких приложений, где критически важно высокое соотношение сигнал / шум
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Балансный фотоприёмник EBR370012-02
Балансный фотоприёмник EBR370012-02
Спектральный диапазон
1200 - 1700 нм
Диапазон частот
0.03 - 80/350 МГц
Тип детектора
InGaAs
Тип входа
волоконный
Встроенный усилитель
40×103
Балансный фотоприёмник EXALOS (EBR) разработан специально для таких приложений, где критически важно высокое соотношение сигнал / шум
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
В разделе Фотоприемники оптические в городе Москва представлено 377 товаров в наличии и под заказ. Удобный фильтр, подбор по параметрам: Производитель, Спектральный диапазон, Диапазон частот . В каталоге представлены товары следующих производителей:
* Alphalas
* Excelitas Technologies
* FEMTO
* II-VI
* ID Quantique

Региональное представительство в Москве

Подробную информацию о продукции и сроках поставки можно узнать у наших консультантов по телефонам +7 (800) 505-63-28, +7 (495) 128-96-88 или в чате.
Связаться с инженером Бесплатный звонок