Товар добавлен в корзину
Перейти в корзину
Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования.
Резидент Технопарка ИТМО
8 (812) 612-99-82
Санкт-Петербург
+7 (964) 442-90-01
Новосибирск
+7 (964) 442-90-01
Владивосток
8 (800) 551-57-49
Звонок бесплатный по РФ
Перезвоните мне
Оставьте заявку
Ru En
0
Каталог

InGaAs лавинные фотодиоды

Сортировать по:
Выберите сортировку
28 Гб/с чип APD20D1
28 Гб/с чип APD20D1
Скорость
28 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Тип фотоприемника
APD 
Диаметр линзы
100 мкм
APD20D1 - Сверхбыстрый лавинный фотодиод (APD) с Y-образным расположением контактных площадок
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
25 Гб/с чипы серии APx20x1
25 Гб/с чипы серии APx20x1
Скорость
25 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Тип фотоприемника
APD 
Диаметр линзы
100 мкм
Сверхвысокоскоростной лавинный фотодиод (APD) с Т-образным расположением контактных площадок
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
10 Гб/с чипы серии APD10xx
10 Гб/с чипы серии APD10xx
Полоса частот
 90 ГГц
Скорость
10 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Тип фотоприемника
APD 
Чувствительность  
-31 дБм
Высокоскоростной лавинный фотодиод для приложений передачи данных со скоростью 10 Гбит / с.
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
2.5 Гб/с чипы серии APD05x1
2.5 Гб/с чипы серии APD05x1
Полоса частот
 50 ГГц
Скорость
2.5Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Тип фотоприемника
APD 
Чувствительность  
-35 дБм
Высокоскоростные лавинные фотодиоды с двойной контактной площадкой и большой апертурой
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод APD0200-17-TO
Фотодиод APD0200-17-TO
Спектральный диапазон
950 - 1650 нм
Тип корпуса
 ТО-46
Апертура
200 мкм
Обратный ток 
 1 мА
Прямой ток 
 5 мА
Лавинный InGaAs фотодиод с диаметром апертуры 200 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод APD0200-17-C
Фотодиод APD0200-17-C
Спектральный диапазон
950 - 1650 нм
Тип корпуса
 ТО-46
Апертура
200 мкм
Корпус
6CLCC (3.0SQ)
Обратный ток 
 1 мА
Лавинный InGaAs фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чип фотодиода APD0200-17-D
Чип фотодиода APD0200-17-D
Спектральный диапазон
950 - 1650 нм
Тип корпуса
 Чип
Апертура
200 мкм
Темновой ток 
 5 - 50 нА
Рабочее напряжение
32 - 50 В
InGaAs лавинный фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с ТЕС
Фотодиод с ТЕС
Спектральный диапазон
 1100-1600 нм
Тип корпуса
 Mini-Flat
Напряжение пробоя 
50 - 90 В
Темновой ток 
0.1 - 0.3 нА
Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт 
 2 кГц  
Лавинный фотодиод, оснащенный термоэлектрическим охладителем типа Mini-Flat
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с режимом Гейгера
Фотодиод с режимом Гейгера
Спектральный диапазон
 1100-1600 нм
Тип корпуса
 3-pin
Напряжение пробоя 
50 - 90 В
Темновой ток 
0.1 - 0.3 нА
Электрическая емкость 
0.25 пФ
Лавинный фотодиод, работающий в режиме счетчика Гейгера, для счета одиночных фотонов
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с ТЕС (6-pin, TO-8)
Фотодиод с ТЕС (6-pin, TO-8)
Спектральный диапазон
 1100-1600 нм
Тип корпуса
 TO-8
Напряжение пробоя 
50 - 90 В
Темновой ток 
0.1 - 0.3 нА
Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт 
 2 кГц  
Однофотонный лавинный диод (SPAD) для QKD и OTDR
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод C30645ECERH
Фотодиод C30645ECERH
Спектральный диапазон
 1100-1700 нм
Тип корпуса
 Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
Лавинный
Диаметр активной области 
80 мкм
Фотодиод C30645ECERH от Excelitas Technologies - это высокоскоростной InGaAs/InP лавинный фотодиод с большой площадью
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод C30662ECERH-1
Фотодиод C30662ECERH-1
Спектральный диапазон
 1100-1700 нм
Тип корпуса
 Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
Лавинный
Диаметр активной области 
200 мкм
Фотодиод C30662ECERH-1 от Excelitas Technologies - это высокоскоростной InGaAs/InP лавинный фотодиод с большой площадью
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод C30644EH
Фотодиод C30644EH
Спектральный диапазон
 1100-1700 нм
Активная зона
50 мкм
Тип корпуса
 ТО-18
Ёмкость
0.6 пФ
Диапазон B_w
2000 МГц
Лавинный InGaAs фотодиод C30644EH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30645
Фотодиод с большой площадью C30645
Спектральный диапазон
 1100-1700 нм
Тип корпуса
 ТО-18, Керамическая подложка
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
Лавинный
Диаметр активной области (мкм)
80

Высокоскоростные InGaAs/InP лавинные фотодиоды 

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30662
Фотодиод с большой площадью C30662
Спектральный диапазон
 1100-1700 нм
Тип корпуса
 ТО-18, Керамическая подложка
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
Лавинный
Диаметр активной области (мкм)
200

Высокоскоростные InGaAs/InP лавинные фотодиоды с большой площадью

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод APD-10
Фотодиод APD-10
Спектральный диапазон
1250-1600 нм
Тип корпуса
 Коаксиальный
Напряжение пробоя
25-40 В
V_BR температурный коэффициент
0.07 В/°C
Темновой ток
20нА тип. ; 100 нА макс.

Высокочувствительный APD-TIA приемник в корпусе с волоконным пигтейлом

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Лавинный фотодиод для OTDR серии MAP
Лавинный фотодиод для OTDR серии MAP
Прямой ток
10 мА
Обратный ток
0,5 мА
Обратное напряжение пробоя
45 В
Темновой ток
3 нА
Умноженный темновой ток
5 нА

Лавинный фотодиод InGaAs

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
В разделе InGaAs лавинные фотодиоды в городе Москва представлено 17 товаров в наличии и под заказ. Удобный фильтр, подбор по параметрам: Производитель, Спектральный диапазон, Темновой ток. В каталоге представлены товары следующих производителей:
* Excelitas Technologies
* Shengshi Optical
* Albis Optoelectronics
* Optilab
* Wooriro

Региональное представительство в Москве

Подробную информацию о продукции и сроках поставки можно узнать у наших консультантов по телефонам +7 (800) 505-63-28, +7 (495) 128-96-88 или в чате.
Связаться с инженером Бесплатный звонок