Товар добавлен в корзину
Перейти в корзину
Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования.
Резидент Технопарка ИТМО
8 (812) 612-99-82
Санкт-Петербург
+7 (964) 442-90-01
Новосибирск
+7 (964) 442-90-01
Владивосток
8 (800) 551-57-49
Звонок бесплатный по РФ
Перезвоните мне
Оставьте заявку
Ru En
0
Каталог

Фотодиоды

InGaAs PIN фотодиоды
Высокоскоростные фотодиоды и диодные чипы, работающие в спектральном диапазоне 600 - 2200 нм
К ПРОДУКЦИИ
InGaAs лавинные фотодиоды
Стандартные фотодиоды, фотодиоды с внешним термоэлектрическим охладителем и фотодиодные чипы, работающие в спектральном диапазоне 950 - 1700 нм
К ПРОДУКЦИИ
Si PIN фотодиоды
Высокочувствительные фотодиоды в корпусах ТО-6, ТО-8, ТО-36 и фотодиодные чипы с пиковой чувствительностью на длине волны 880 - 1000 нм
К ПРОДУКЦИИ
Si лавинные фотодиоды
Стандартные фотодиоды, фотодиоды большой площади и массивы фотодиодов, работающие в спектральном диапазоне 400 - 1000 нм
К ПРОДУКЦИИ
Гибриды
PIN фотоприемники, APD фотоприемники и предусилительные модули с полосой пропускания до 1кГц
К ПРОДУКЦИИ
Сортировать по:
Выберите сортировку
Лавинные фотоприёмники с предусилителем серии CR
Лавинные фотоприёмники с предусилителем серии CR
Активная зона
3 мм / 200 мкм
Тип корпуса
TO8 
Диапазон длин волн 
400~1100 нм / 1100 - 1700 нм
Обратное напряжение пробоя VBR
130 - 250 В / 30 - 70 В
Рабочее напряжение 
 0,95×VBR В 
Фотодиод с низким уровенем шума и высокой надежностью
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
28 Гб/с чип APD20D1
28 Гб/с чип APD20D1
Скорость
28 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Тип фотоприемника
APD 
Диаметр линзы
100 мкм
APD20D1 - Сверхбыстрый лавинный фотодиод (APD) с Y-образным расположением контактных площадок
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
25 Гб/с чипы серии APx20x1
25 Гб/с чипы серии APx20x1
Скорость
25 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Тип фотоприемника
APD 
Диаметр линзы
100 мкм
Сверхвысокоскоростной лавинный фотодиод (APD) с Т-образным расположением контактных площадок
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
10 Гб/с чипы серии APD10xx
10 Гб/с чипы серии APD10xx
Полоса частот
 90 ГГц
Скорость
10 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Тип фотоприемника
APD 
Чувствительность  
-31 дБм
Высокоскоростной лавинный фотодиод для приложений передачи данных со скоростью 10 Гбит / с.
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
2.5 Гб/с чипы серии APD05x1
2.5 Гб/с чипы серии APD05x1
Полоса частот
 50 ГГц
Скорость
2.5Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Тип фотоприемника
APD 
Чувствительность  
-35 дБм
Высокоскоростные лавинные фотодиоды с двойной контактной площадкой и большой апертурой
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
25 Гб/с чипы серии PD20xx
25 Гб/с чипы серии PD20xx
Спектральный диапазон
830-860 нм
Скорость
25 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,53  A / Вт
Высокая чувствительность
 0,53 A / Вт
Фотодиод/матрица фотодиодов GaAs 25 Гбит/с с большой оптической апертурой
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
56 Гб/с чипы серии PS40xx
56 Гб/с чипы серии PS40xx
Спектральный диапазон
1260-1620 нм
Скорость
56 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,8  A / Вт
Фотодиоды для приложений по передачи данных со скоростью 56 Гбит / с
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
2.5 Гб/с чипы серии PD0xj1
2.5 Гб/с чипы серии PD0xj1
Спектральный диапазон
980-1620 нм, 1260-1620 нм
Активная зона
150 мкм
Скорость
2.5 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,9 - 1,0 A / Вт
Фотодиоды для мониторинга и передачи данных со скоростью до 2,5 Гбит / с
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
1 Гб/с чипы серии PD00x1
1 Гб/с чипы серии PD00x1
Спектральный диапазон
800-860 нм, 1260-1620 нм
Активная зона
250 мкм
Скорость
1 Гб/с
Тип корпуса
Чип
Чувствительность
0,6 - 1,1 A / Вт
1 Гб/с Фотодиоды для мониторинга
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
DC чипы серии PD00x1
DC чипы серии PD00x1
Спектральный диапазон
980-1620 нм, 1260-1620 нм
Темновой ток
 <1 нА
Чувствительность
0,95  A / Вт
Напряжение смещения
1,5 В
InGaAs Фотодиоды для мониторинга
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Высокомощный 20 Гб/с чип HPS20Y1
Высокомощный 20 Гб/с чип HPS20Y1
Спектральный диапазон
1310/1550 нм
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Полоса частот
22 ГГц 
HPS20Y1 - это высокомощный фотодиодный чип с высокой линейностью
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
40 Гб/с чипы серии PD40x1
40 Гб/с чипы серии PD40x1
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
43 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростные чипы InGaAs/InP
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
28 Гб/с чипы серии PD20xx
28 Гб/с чипы серии PD20xx
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
28 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
12 Гб/с чипы серии PD10x1
12 Гб/с чипы серии PD10x1
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
12 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
10 Гб/с чипы серии PD10x1
10 Гб/с чипы серии PD10x1
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм, 850 - 1620 нм
Скорость
10 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод APD0200-17-TO
Фотодиод APD0200-17-TO
Спектральный диапазон
950 - 1650 нм
Тип корпуса
 ТО-46
Апертура
200 мкм
Обратный ток 
 1 мА
Прямой ток 
 5 мА
Лавинный InGaAs фотодиод с диаметром апертуры 200 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод APD0200-17-C
Фотодиод APD0200-17-C
Спектральный диапазон
950 - 1650 нм
Тип корпуса
 ТО-46
Апертура
200 мкм
Корпус
6CLCC (3.0SQ)
Обратный ток 
 1 мА
Лавинный InGaAs фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чип фотодиода APD0200-17-D
Чип фотодиода APD0200-17-D
Спектральный диапазон
950 - 1650 нм
Тип корпуса
 Чип
Апертура
200 мкм
Темновой ток 
 5 - 50 нА
Рабочее напряжение
32 - 50 В
InGaAs лавинный фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
Спектральный диапазон
600 - 1700 нм
Тип корпуса
TO-46/3P; TO-39/3P
Апертура
950 - 3000 мкм
Темновой ток 
 2 - 30 нА
Сопротивление шунта
5 - 100 МОм
InGaAS PIN фотодиод с длиной волны отсечки 1,7 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
Спектральный диапазон
1200 - 2200 нм
Апертура
950 - 1850 мкм
Корпус 
TO-46/3P; TO-39/3P
Темновой ток 
 2 - 12 мкА
Сопротивление шунта
15 - 50 кОм
InGaAs PIN-фотодиод с длиной волны отсечки 2,2 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
Спектральный диапазон
600 - 1700 нм
Апертура
950 - 3000 мкм
Темновой ток 
 2 - 30 нА
Сопротивление шунта
5 - 100 МОм
Емкость
 120 - 1200 пФ (при 0 В); 60 - 600 пФ (при -5 В)
InGaAS PIN фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,7 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с ТЕС
Фотодиод с ТЕС
Спектральный диапазон
 1100-1600 нм
Тип корпуса
 Mini-Flat
Напряжение пробоя 
50 - 90 В
Темновой ток 
0.1 - 0.3 нА
Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт 
 2 кГц  
Лавинный фотодиод, оснащенный термоэлектрическим охладителем типа Mini-Flat
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с режимом Гейгера
Фотодиод с режимом Гейгера
Спектральный диапазон
 1100-1600 нм
Тип корпуса
 3-pin
Напряжение пробоя 
50 - 90 В
Темновой ток 
0.1 - 0.3 нА
Электрическая емкость 
0.25 пФ
Лавинный фотодиод, работающий в режиме счетчика Гейгера, для счета одиночных фотонов
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с ТЕС (6-pin, TO-8)
Фотодиод с ТЕС (6-pin, TO-8)
Спектральный диапазон
 1100-1600 нм
Тип корпуса
 TO-8
Напряжение пробоя 
50 - 90 В
Темновой ток 
0.1 - 0.3 нА
Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт 
 2 кГц  
Однофотонный лавинный диод (SPAD) для QKD и OTDR
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
5 Гб/с чипы серии PD05x1
5 Гб/с чипы серии PD05x1
Спектральный диапазон
 1260-1620 нм, 830 - 860 нм, 
Скорость
5 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Фотодиоды с большой апертурой для цифровой и аналоговой передачи данных до 5 Гбит/с.
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
14 Гб/с чипы серии PD10x1
14 Гб/с чипы серии PD10x1
Спектральный диапазон
830-860 нм, 1260 - 1620 нм
Скорость
14 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
32 Гб/с чип PD20B1
32 Гб/с чип PD20B1
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
32 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в форме "T"
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
32 Гб/с чип PD20A1
32 Гб/с чип PD20A1
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
32 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод серии PDS
Фотодиод серии PDS
Длина волны
1000 - 1650 нм
Темновой ток 
0,1-0,5 нА
Чувствительность
 0,85 - 0,90 А/Вт, λ =1310нм
Чувствительность
 0,90 - 0,95 А/Вт, λ =1550нм
Емкость
0,45 - 0,65 пФ
3-pin коаксиальный фотодиод, диаметр 0,25 мм SM, черный пигтейл без разъема
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод C30645ECERH
Фотодиод C30645ECERH
Спектральный диапазон
 1100-1700 нм
Тип корпуса
 Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
Лавинный
Диаметр активной области 
80 мкм
Фотодиод C30645ECERH от Excelitas Technologies - это высокоскоростной InGaAs/InP лавинный фотодиод с большой площадью
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод C30662ECERH-1
Фотодиод C30662ECERH-1
Спектральный диапазон
 1100-1700 нм
Тип корпуса
 Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
Лавинный
Диаметр активной области 
200 мкм
Фотодиод C30662ECERH-1 от Excelitas Technologies - это высокоскоростной InGaAs/InP лавинный фотодиод с большой площадью
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30619GH
Фотодиод с большой площадью C30619GH
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
0.2 мм^2
Тип корпуса
TO-18
Активный диаметр
0.5 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30619GH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30723GH
Фотодиод с большой площадью C30723GH
Спектральный диапазон
900-1700 нм
Активная зона
19.6 мм^2
Тип корпуса  
TO-8
Активный диаметр
5 мм
Тип корпуса
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30723GH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30665GH
Фотодиод с большой площадью C30665GH
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона  
7 мм^2
Тип корпуса 
TO-5
Активный диаметр
3 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30665GH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30642GH
Фотодиод с большой площадью C30642GH
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона  
3.1 мм^2
Тип корпуса
TO-5
Активный диаметр
2 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30642GH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30641GH
Фотодиод с большой площадью C30641GH
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
0.8 мм^2
Тип корпуса
TO-18
Активный диаметр
1 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30641GH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Высокоскоростные фотодиоды серии C30617
Высокоскоростные фотодиоды серии C30617
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
0.008 мм^2
Тип корпуса
 ТО-18, Керамическая подложка
Форма
Круглая
Активный диаметр
100 мкм
Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30617

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод C30637ECERH
Фотодиод C30637ECERH
Спектральный диапазон
900-1700 нм
Активная зона
75 мкм 
Тип корпуса
 Керамическая подложка 
Пиковая чувствительность
0.95 А/Вт
Ёмкость
0.4 пФ
InGaAs PIN-фотодиод C30637ECERH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод C30616ECERH
Фотодиод C30616ECERH
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
50 мкм
Тип корпуса
Керамическая подложка
Активный диаметр
 
Пиковая чувствительность
0.95 А/Вт
InGaAs PIN-фотодиод C30616ECERH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод C30644EH
Фотодиод C30644EH
Спектральный диапазон
 1100-1700 нм
Активная зона
50 мкм
Тип корпуса
 ТО-18
Ёмкость
0.6 пФ
Диапазон B_w
2000 МГц
Лавинный InGaAs фотодиод C30644EH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
В разделе Фотодиоды в городе Москва представлено 106 товаров в наличии и под заказ. Удобный фильтр, подбор по параметрам: Производитель, Спектральный диапазон, Темновой ток. В каталоге представлены товары следующих производителей:
* Excelitas Technologies
* Shengshi Optical
* Thorlabs
* SWT
* Albis Optoelectronics

Региональное представительство в Москве

Подробную информацию о продукции и сроках поставки можно узнать у наших консультантов по телефонам +7 (800) 505-63-28, +7 (495) 128-96-88 или в чате.
Связаться с инженером Бесплатный звонок