Товар добавлен в корзину
Перейти в корзину
Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования.
Резидент Технопарка ИТМО
8 (812) 612-99-82
Санкт-Петербург
+7 (964) 442-90-01
Новосибирск
+7 (964) 442-90-01
Владивосток
8 (800) 551-57-49
Звонок бесплатный по РФ
Перезвоните мне
Оставьте заявку
Ru En
0
Каталог
Полупроводниковые чипы усиления

Полупроводниковые чипы усиления

Сортировать по:
Выберите сортировку
Бустерные п/п усилители C-диапазона серии BOA1007x
Бустерные п/п усилители C-диапазона серии BOA1007x
Длина волны
1550 нм
Мощность
18 дБм
Тип корпуса
чип / чип на радиаторе
Усиление
30 дБ 
Оптическая полоса
 85 нм 
BOA - это однопроходные усилители бегущей волны, которые хорошо работают как с монохроматическими, так и с многоволновыми сигналами
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чипы с одной угловой гранью на 1620-1680 нм
Чипы с одной угловой гранью на 1620-1680 нм
Длина волны
1650 нм
Мощность
1.3 мВт
Тип корпуса
чип
Пиковое усиление
23 дБ 
Оптическая полоса
 90 нм 
SAF1091C предлагается на сабмаунте, а SAF1091H - с радиатором и подключенными катодным и анодным выводами
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чипы с одной угловой гранью на L-диапазон
Чипы с одной угловой гранью на L-диапазон
Длина волны
1568 - 1608 нм
Мощность
60 мВт
Тип корпуса
сабмаунт / сабмаунт на радиаторе
Отражательная способность угловых граней
0,005%
Нормальная светоотражающая способность
 10% 
SAF1118C предлагается на сабмаунте, а SAF1118H - с радиатором и подключенными катодным и анодным выводами.
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чипы с одной угловой гранью на C-диапазон
Чипы с одной угловой гранью на C-диапазон
Длина волны
1528 - 1568 нм
Мощность
60 мВт
Тип корпуса
сабмаунт / сабмаунт на радиаторе
Отражательная способность угловых граней
0,005%
Нормальная светоотражающая способность
 10% 
SAF1126C предлагается на сабмаунте, а SAF1126H - с радиатором и подключенными катодным и анодным выводами.
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чипы с одной угловой гранью на 1420-1480 нм
Чипы с одной угловой гранью на 1420-1480 нм
Длина волны
1450 нм
Мощность
20 мВт
Тип корпуса
сабмаунт / сабмаунт на радиаторе
Пиковое усиление
33 дБ 
Оптическая полоса
 95 нм 
Данный чип 1450 нм SAF доступен в двух конфигурациях. SAF1093C предлагается на сабмаунте, а SAF1093H - с радиатором и подключенными катодным и анодным выводами.
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чипы с одной угловой гранью на O-диапазон
Чипы с одной угловой гранью на O-диапазон
Длина волны
1320 нм
Мощность
20 мВт
Тип корпуса
сабмаунт / сабмаунт на радиаторе
Пиковое усиление
30 дБ 
Оптическая полоса
 50 нм 
Данный чип 1320 нм SAF доступен в двух конфигурациях. SAF1144C предлагается на сабмаунте, а SAF1144H - с радиатором и подключенными катодным и анодным выводами
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чипы с одной угловой гранью на 1190-1250 нм
Чипы с одной угловой гранью на 1190-1250 нм
Длина волны
1220 нм
Мощность
1,0 мВт
Тип корпуса
чип на сабмаунте
Пиковое усиление
20 дБ 
Оптическая полоса
 80 нм 
Доступен в двух конфигурациях. SAF1145C предлагается на сабмаунте, а SAF1145H - с радиатором и подключенными катодным и анодным выводами.
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чип SAF1900S в корпусе Half Butterfly на 1870-1930 нм
Чип SAF1900S в корпусе Half Butterfly на 1870-1930 нм
Длина волны
1900 нм
Мощность
7 мВт
Тип корпуса
 Half-Butterfly
Диапазон перестройки
170 нм
Разрешение регулировки
4 пм
Чипы усиления, установленные для легкой интеграции в лазеры с внешним резонатором
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чипы в корпусе Half Butterfly на C-диапазон
Чипы в корпусе Half Butterfly на C-диапазон
Длина волны
1550 нм
Мощность
40 мВт
Тип корпуса
 Half-Butterfly
Диапазон перестройки
120 нм
Разрешение регулировки
1 пм
Семейство чипов обеспечивает среду усиления для света в диапазонах длин волн с центром в 1220, 1320, 1450, 1550 или 1900 нм
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чип SAF1450S2 в корпусе Half Butterfly на 1430-1470 нм
Чип SAF1450S2 в корпусе Half Butterfly на 1430-1470 нм
Длина волны
1450 нм
Мощность
40 мВт
Тип корпуса
 Half-Butterfly
Диапазон перестройки
120 нм
Разрешение регулировки
3 пм
Семейство чипов обеспечивает среду усиления для света в диапазонах длин волн с центром в 1220, 1320, 1450, 1550 или 1900 нм
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чип SAF1174S в корпусе Half Butterfly на O-диапазон
Чип SAF1174S в корпусе Half Butterfly на O-диапазон
Длина волны
1310 нм
Мощность
70 мВт
Тип корпуса
 Half-Butterfly
Диапазон перестройки
130 нм
Разрешение регулировки
1 пм
Семейство чипов обеспечивает среду усиления для света в диапазонах длин волн с центром в 1220, 1320, 1450, 1550 или 1900 нм
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чип SAF1175S в корпусе Half Butterfly на 1200-1240 нм
Чип SAF1175S в корпусе Half Butterfly на 1200-1240 нм
Длина волны
1220 нм
Мощность
10 мВт
Тип корпуса
 Half-Butterfly
Диапазон перестройки
90 нм
Разрешение регулировки
1 пм
Семейство чипов обеспечивает среду усиления для света в диапазонах длин волн с центром в 1220, 1320, 1450, 1550 или 1900 нм
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления на 1060 нм QLF101A-AA
Полупроводниковый чип усиления на 1060 нм QLF101A-AA
Длина волны 
1040 - 1080 нм (1060 нм тип.)
Выходная мощность  
80 мВт
Ширина полосы перестройки
43 нм
ASE мощность
10 мВт
Рабочий ток 
100 - 180 мА
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GM-1140-120-YY-130
Полупроводниковый чип усиления GM-1140-120-YY-130
Центральная длина волны
1140 нм
Вых. мощность
21 дБм
Диапазон перестройки
120 нм
Длина волны с макс. мощностью
1170 нм
Полоса пропускания
30 нм

Полупроводниковый чип усиления применяется при создании перестраиваемых лазеров с волоконным выходом. Чип устраняет необходимость в ряде компонентов, обычно используемых в схемах, что существенно ...

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GM-1060-150-YY-250
Полупроводниковый чип усиления GM-1060-150-YY-250
Центральная длина волны
1060 нм
Вых. мощность
24 дБм
Диапазон перестройки
150 нм
Длина волны с макс. мощностью
1100 нм
Полоса пропускания
30 нм

Полупроводниковый чип усиления применяется при создании перестраиваемых лазеров с волоконным выходом. Чип устраняет необходимость в ряде компонентов, обычно используемых в схемах, что существенно ...

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GM-1030-130-YY-200
Полупроводниковый чип усиления GM-1030-130-YY-200
Центральная длина волны
1030 нм
Вых. мощность
23 дБм
Диапазон перестройки
130 нм
Длина волны с макс. мощностью
1050 нм
Полоса пропускания
80 нм

Полупроводниковый чип усиления применяется при создании перестраиваемых лазеров с волоконным выходом. Чип устраняет необходимость в ряде компонентов, обычно используемых в схемах, что существенно ...

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GM-1030-150-YY-150
Полупроводниковый чип усиления GM-1030-150-YY-150
Центральная длина волны
1030 нм
Вых. мощность
22 дБм
Диапазон перестройки
150 нм
Длина волны с макс. мощностью
1060 нм
Полоса пропускания
60 нм

Полупроводниковый чип усиления применяется при создании перестраиваемых лазеров с волоконным выходом. Чип устраняет необходимость в ряде компонентов, обычно используемых в схемах, что существенно ...

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1330-70-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1330-70-TO-200-B
Средняя длина волны 
1325 нм
Рабочий диапазон 
1315 - 1335 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,7 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1330-70-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1310-60-TO-200-A
Полупроводниковый чип усиления GC-1310-60-TO-200-A
Средняя длина волны 
1310 нм
Рабочий диапазон 
1295 - 1325 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,5 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1310-60-TO-200-A от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1300-60-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1300-60-TO-200-B
Средняя длина волны 
1300 нм
Рабочий диапазон 
1285 - 1315 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,7 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1300-60-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1270-140-TO-200-A
Полупроводниковый чип усиления GC-1270-140-TO-200-A
Средняя длина волны 
1270 нм
Рабочий диапазон 
1260 - 1280 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,5 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1270-140-TO-200-A от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1270-130-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1270-130-TO-200-B
Средняя длина волны 
1270 нм
Рабочий диапазон 
1260 - 1280 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,7 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1270-130-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1270-60-TO-200-A
Полупроводниковый чип усиления GC-1270-60-TO-200-A
Средняя длина волны 
1270 нм
Рабочий диапазон 
1255 - 1285 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,6 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1270-60-TO-200-A от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1260-60-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1260-60-TO-200-B
Средняя длина волны 
1260 нм
Рабочий диапазон 
1245 - 1275 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,6 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1260-60-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1220-110-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1220-110-TO-200-B
Средняя длина волны 
1215 нм
Рабочий диапазон 
1200 - 1230 нм
Выходная мощность насыщения
 24 дБм
Ток 
800 мА
Прямое напряжение 
1,6 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1220-110-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1180-100-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1180-100-TO-200-B
Средняя длина волны 
1180 нм
Рабочий диапазон 
1155 - 1185 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
600 мА
Прямое напряжение 
1,6 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1180-100-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1180-80-TO-200-A
Полупроводниковый чип усиления GC-1180-80-TO-200-A
Средняя длина волны 
1180 нм
Рабочий диапазон 
1155 - 1185 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
600 мА
Прямое напряжение 
1,5 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1180-80-TO-200-A от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1160-90-TO-200-A
Полупроводниковый чип усиления GC-1160-90-TO-200-A
Средняя длина волны 
1160 нм
Рабочий диапазон 
1145 - 1175 нм
Выходная мощность насыщения
 24 дБм
Ток 
600 мА
Прямое напряжение 
1,5 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1160-90-TO-200-A от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1110-70-TO-300-A
Полупроводниковый чип усиления GC-1110-70-TO-300-A
Средняя длина волны 
1110 нм
Выходная мощность насыщения
 25 дБм
Ток 
600 мА
Прямое напряжение 
1,5 В
Температура термистора 
25 ° С

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1110-70-TO-300-A от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1105-130-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1105-130-TO-200-B
Средняя длина волны 
1105 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
400 мА
Прямое напряжение 
1,9 В
Температура термистора 
25 ° С

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1105-130-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1060-150-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1060-150-TO-200-B
Средняя длина волны 
1060 нм
Рабочий диапазон 
1045 - 1075 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
400 мА
Прямое напряжение 
1,9 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1060-150-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1030-160-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1030-160-TO-200-B
Средняя длина волны 
1030 нм
Рабочий диапазон 
1015 - 1045 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
400 мА
Прямое напряжение 
1,9 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1030-160-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-1030-150-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-1030-150-TO-200-B
Средняя длина волны 
1025 нм
Рабочий диапазон 
1015 - 1035 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
400 мА
Прямое напряжение 
1,7 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-1030-150-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-950-110-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-950-110-TO-200-B
Средняя длина волны 
950 нм
Рабочий диапазон 
935 - 965 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
400 мА
Прямое напряжение 
1,8 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-950-110-TO-200-B  от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-920-90-TO-200-B
Полупроводниковый чип усиления GC-920-90-TO-200-B
Средняя длина волны 
905 нм
Рабочий диапазон 
890 - 920 нм
Выходная мощность насыщения
 23 дБм
Ток 
400 мА
Прямое напряжение 
2,1 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-920-90-TO-200-B от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-800-40-TO-130-B
Полупроводниковый чип усиления GC-800-40-TO-130-B
Средняя длина волны 
 800 нм
Рабочий диапазон 
790 - 810 нм
Выходная мощность насыщения
 21 дБм
Ток 
250 мА
Прямое напряжение 
1,8 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-800-40-TO-130-B от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-800-40-TO-100-B
Полупроводниковый чип усиления GC-800-40-TO-100-B
Средняя длина волны 
 795 нм
Рабочий диапазон 
780 - 810 нм
Выходная мощность насыщения
 20 дБм
Ток 
250 мА
Прямое напряжение 
1,8 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-800-40-TO-100-B от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-780-40-TO-100-B
Полупроводниковый чип усиления GC-780-40-TO-100-B
Средняя длина волны 
 775 нм
Рабочий диапазон 
760 - 790 нм
Выходная мощность насыщения
 20 дБм
Ток 
250 мА
Прямое напряжение 
2 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-780-40-TO-100-B от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Полупроводниковый чип усиления GC-780-40-TO-30-B
Полупроводниковый чип усиления GC-780-40-TO-30-B
Средняя длина волны 
 775 нм
Рабочий диапазон 
760 - 790 нм
Выходная мощность насыщения
 14 дБм
Ток 
150 мА
Прямое напряжение 
1,9 В

Полупроводниковый оптический чип усиления с антиотражающим покрытием серии GC-780-40-TO-30-B от Innolume

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Конусный усилитель серии TA-1080-50-CM-3W
Конусный усилитель серии TA-1080-50-CM-3W
Длина волна при макс. мощности 
1080 нм
Выходная мощность 
35 дБм
Диапазон настройки 
50 нм
Входная мощность 
30 мВт
Расхождение луча 
18 градусов
Полупроводниковый конусный усилитель, сочетающий в себе высокую мощность лазеров широкого спектра действия и хорошее качество луча на выходе
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
В разделе Полупроводниковые чипы усиления в городе Москва представлено 41 товар в наличии и под заказ. Удобный фильтр, подбор по параметрам: Производитель, Диапазон длин волн, Выходная мощность. В каталоге представлены товары следующих производителей:
* Innolume
* Thorlabs
* QD Laser

Региональное представительство в Москве

Подробную информацию о продукции и сроках поставки можно узнать у наших консультантов по телефонам +7 (800) 505-63-28, +7 (495) 128-96-88 или в чате.
Связаться с инженером Бесплатный звонок