Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
8 (800) 775-38-88
Бесплатно по РФ
+7 (812) 612-99-82
Санкт-Петербург
    Заказать звонок
    info@lenlasers.ru Скопировано!
    ru en
    Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
    Личный
    кабинет
    Заказать
    звонок
    Отправить
    письмо
    Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
    Лавинные фотодиоды
    каталог
    Новости

    Лавинные фотодиоды

    Лавинные фотодиоды
    Лавинный InGaAs фотодиод серии APD0200-17-TO
    Лавинный InGaAs фотодиод серии APD0200-17-TO
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    950 - 1650 нм
    Апертура
    200 мкм
    Корпус
    TO-46/3P
    Обратный ток 
     1 мА
    Прямой ток 
     5 мА
    Лавинный InGaAs фотодиод с диаметром апертуры 200 мкм

    PDF
    В корзину
    Лавинный InGaAs фотодиодный чип серии APD0200-17-C
    Лавинный InGaAs фотодиодный чип серии APD0200-17-C
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    950 - 1650 нм
    Апертура
    200 мкм
    Корпус
    6CLCC (3.0SQ)
    Обратный ток 
     1 мА
    Прямой ток 
     5 мА
    Лавинный InGaAs фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм

    PDF
    В корзину
    Лавинный InGaAs фотодиодный чип серии APD0200-17-D
    Лавинный InGaAs фотодиодный чип серии APD0200-17-D
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    950 - 1650 нм
    Апертура
    200 мкм
    Темновой ток 
     5 - 50 нА
    Рабочее напряжение
    32 - 50 В
    Предельное напряжение
    35 - 55 В
    InGaAs лавинный фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм

    PDF
    В корзину
    Лавинный фотодиод с ТЕС типа Mini Flat
    Лавинный фотодиод с ТЕС типа Mini Flat
    Wooriro
    Диапазон длин волн
    1100 - 1600 нм
    Напряжение пробоя 
    50 - 90 В
    Темновой ток 
    0.1 - 0.3 нА
    Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт 
     2 кГц  
    Макс. низкий уровень счета темнового тока - премиум
     0.5 кГц 
    Лавинный фотодиод, оснащенный термоэлектрическим охладителем типа Mini-Flat
    PDF
    В корзину
    Лавинный фотодетектор с режимом счетчика Гейгера
    Лавинный фотодетектор с режимом счетчика Гейгера
    Wooriro
    Диапазон длин волн
    1100 - 1600 нм
    Напряжение пробоя 
    50 - 90 В
    Темновой ток 
    0.1 - 0.3 нА
    Электрическая емкость 
    0.25 пФ
    Квантовая эффективность 
    70%
    Лавинный фотодиод, работающий в режиме счетчика Гейгера, для счета одиночных фотонов
    PDF
    В корзину
    Лавинный фотодетектор с ТЕС (6-pin, TO-8)
    Лавинный фотодетектор с ТЕС (6-pin, TO-8)
    Wooriro
    Диапазон длин волн
    1100 - 1600 нм
    Напряжение пробоя 
    50 - 90 В
    Темновой ток 
    0.1 - 0.3 нА
    Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт 
     2 кГц  
    Макс. низкий уровень счета темнового тока - премиум
     0.5кГц 
    Однофотонный лавинный диод (SPAD) для QKD и OTDR
    PDF
    В корзину
    Кремниевый лавинный фотодиод с большой площадью C30739ECERH
    Кремниевый лавинный фотодиод с большой площадью C30739ECERH
    Excelitas Technologies
    Фоточувствительный диаметр
    5.6x5.6 мм
    Чувствительность
    20 А/Вт @430 нм
    Темновой ток
    50 нА
    Спектральный шумовой ток
    1.4 пА/√Гц
    Ёмкость @100 кГц
    60 пФ
    Кремниевый лавинный фотодиод с большой площадью C30739ECERH

    PDF
    В корзину
    Кремниевый лавинный фотодиод с большой площадью C30703FH
    Кремниевый лавинный фотодиод с большой площадью C30703FH
    Excelitas Technologies
    Фоточувствительный диаметр
    10x10 мм
    Чувствительность
    16 А/Вт @530 нм
    Темновой ток
    10 нА
    Спектральный шумовой ток
    0.7 пА/√Гц
    Ёмкость @100 кГц
    120 пФ
    Кремниевый лавинный фотодиод с большой площадью C30703FH 

    PDF
    В корзину
    Кремниевый лавинный фотодиод с большой площадью C30626FH
    Кремниевый лавинный фотодиод с большой площадью C30626FH
    Excelitas Technologies
    Фоточувствительный диаметр
    5x5 мм
    Чувствительность
    22 А/Вт @900 нм
    Темновой ток
    250 нА
    Спектральный шумовой ток
    0.5 пА/√Гц
    Ёмкость @100 кГц
    30 пФ
    Кремниевый лавинный фотодиод с большой площадью C30626FH

    PDF
    В корзину
    Массив лавинных кремниевых фотодиодов C30985E
    Массив лавинных кремниевых фотодиодов C30985E
    Excelitas Technologies
    Число элементов
    25
    Фоточувствительный диаметр
    0.3 мм
    Чувствительность
    31 А/Вт (@ 900 нм)
    Темновой ток на элемент
    1 нА
    Спектральный шумовой ток
    0.1 пА/√Гц
    Массив лавинных кремниевых фотодиодов C30985E

    PDF
    В корзину
    Лавинные кремниевые фотодиоды для аналитических приложений C30927
    Лавинные кремниевые фотодиоды для аналитических приложений C30927
    Excelitas Technologies
    Число элементов
    4
    Фоточувствительный диаметр
    1.5 мм
    Чувствительность
    15 А/Вт (@ 1060 нм), 62 А/Вт (@ 900 нм), 55 А/Вт (@ 800 нм)
    Темновой ток на элемент
    25 нА
    Спектральный шумовой ток
    0.5 пА/√Гц
    Лавинные кремниевые фотодиоды для аналитических приложений C30927

    PDF
    В корзину
    Лавинный InGaAs фотодиод C30644EH
    Лавинный InGaAs фотодиод C30644EH
    Excelitas Technologies
    Активный диаметр
    50 мкм
    Ёмкость
    0.6 пФ
    Диапазон B_w
    2000 МГц
    Темновой ток
    25 нА
    Напряжение пробоя
    40 - 90 В
    Лавинный InGaAs фотодиод C30644EH

    PDF
    В корзину
    Лавинный кремниевый фотодиод C30956EH
    Лавинный кремниевый фотодиод C30956EH
    Excelitas Technologies
    Активный диаметр
    3 мм
    Ёмкость
    10 пФ
    Время нарастания/спада
    2 нс
    Темновой ток
    100 нА
    Напряжение пробоя
    325 - 500 В
    Лавиннный кремниевый фотодиод C30956EH

    PDF
    В корзину
    Лавинный кремниевый фотодиод C30955EH
    Лавинный кремниевый фотодиод C30955EH
    Excelitas Technologies
    Активный диаметр
    1.5 мм
    Ёмкость
    3 пФ
    Время нарастания/спада
    2 нс
    Темновой ток
    100 нА
    Напряжение пробоя
    315 - 490 В
    Лавиннный кремниевый фотодиод C30955EH

    PDF
    В корзину
    Лавинный кремниевый фотодиод C30954EH
    Лавинный кремниевый фотодиод C30954EH
    Excelitas Technologies
    Активный диаметр
    0.8 мм
    Ёмкость
    2 пФ
    Время нарастания/спада
    2 нс
    Темновой ток
    50 нА
    Напряжение пробоя
    300 - 475 В
    Лавинный кремниевый фотодиод C30954EH

    PDF
    В корзину
    Лавинный кремниевый фотодиод C30916EH
    Лавинный кремниевый фотодиод C30916EH
    Excelitas Technologies
    Активный диаметр
    1.5 мм
    Ёмкость
    3 пФ
    Время нарастания/спада
    3 нс
    Темновой ток
    100 нА
    Напряжение пробоя
    315 - 490 В
    Лавинный кремниевый фотодиод C30916EH

    PDF
    В корзину
    Лавинный кремниевый фотодиод C30902BSTH
    Лавинный кремниевый фотодиод C30902BSTH
    Excelitas Technologies
    Активный диаметр
    0.5 мм
    Ёмкость
    1.6 пФ
    Время нарастания/спада
    0.5 нс
    Темновой ток
    15 нА
    Напряжение пробоя
    185 - 265 В
    Лавинный кремниевый фотодиод C30902BSTH

    PDF
    В корзину
    Лавинный кремниевый фотодиод C30902BFCH
    Лавинный кремниевый фотодиод C30902BFCH
    Excelitas Technologies
    Активный диаметр
    0.5 мм
    Ёмкость
    1.6 пФ
    Время нарастания/спада
    0.5 нс
    Темновой ток
    15 нА
    Напряжение пробоя
    185 - 265 В
    Лавинный кремниевый фотодиод C30902BFCH

    PDF
    В корзину
    Лавинный кремниевый фотодиод C30884E
    Лавинный кремниевый фотодиод C30884E
    Excelitas Technologies
    Активный диаметр
    0.8 мм
    Ёмкость
    4 пФ
    Время нарастания/спада
    1 нс
    Темновой ток
    100 нА
    Напряжение пробоя
    190 - 290 В
    Лавинный кремниевый фотодиод C30884E

    PDF
    В корзину
    Лавинный кремниевый фотодиод C30872EH
    Лавинный кремниевый фотодиод C30872EH
    Excelitas Technologies
    Активный диаметр
    3 мм
    Ёмкость
    10 пФ
    Время нарастания/спада
    2 нс
    Темновой ток
    100 нА
    Напряжение пробоя
    325 - 500 В
    Лавинный кремниевый фотодиод C30872EH

    PDF
    В корзину
    Лавинный кремниевый фотодиод C30817EH
    Лавинный кремниевый фотодиод C30817EH
    Excelitas Technologies
    Активный диаметр
    0.8 мм
    Ёмкость
    2 пФ
    Время нарастания/спада
    2 нс
    Темновой ток
    50 нА
    Напряжение пробоя
    300 - 475 В
    Лавинный кремниевый фотодиод C30817EH

    PDF
    В корзину
    Лавинный InGaAs фотодиод APD-10
    Лавинный InGaAs фотодиод APD-10
    Optilab
    Диапазон рабочих длин волн
    1250-1600 нм
    Напряжение пробоя
    25-40 В
    V_BR температурный коэффициент
    0.07 В/°C
    Темновой ток
    20нА тип. ; 100 нА макс.
    Чувствительность
    -27.5 - -26.5 дБм

    Высокочувствительный APD-TIA приемник в корпусе с волоконным пигтейлом

    PDF
    В корзину
    Лавиннный кремниевый фотодиод для счёта фотонов C30902SH
    Лавиннный кремниевый фотодиод для счёта фотонов C30902SH
    Excelitas Technologies
    Активный материал
    Кремний
    Тип фотоприемника
    Лавинный
    Спектральный диапазон (нм)
    400 - 1000
    Диаметр активной области (мм)
    0.5
    Оптимизация под длину волны (нм)
    830, 900

    кремниевые лавинные фотодиоды, использующие двухдиффузионную структуру с эффектом прокола базы. 

    PDF
    В корзину
    Лавиннный кремниевый высокочувствительный фотодиод C30902EH
    Лавиннный кремниевый высокочувствительный фотодиод C30902EH
    Excelitas Technologies
    Активный материал
    Кремний
    Тип фотоприемника
    Лавинный
    Спектральный диапазон (нм)
    400 - 1000
    Диаметр активной области (мм)
    0.5
    Оптимизация под длину волны (нм)
    830, 900
    PDF
    В корзину
    Лавиннный InGaAs фотодиод с большой площадью C30645
    Лавиннный InGaAs фотодиод с большой площадью C30645
    Excelitas Technologies
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    Лавинный
    Спектральный диапазон (нм)
    1100 - 1700
    Диаметр активной области (мкм)
    80
    Оптимизация под длину волны (нм)
    1550

    Высокоскоростные InGaAs/InP лавинные фотодиоды 

    PDF
    В корзину
    Лавиннный InGaAs фотодиод с большой площадью C30662
    Лавиннный InGaAs фотодиод с большой площадью C30662
    Excelitas Technologies
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    Лавинный
    Спектральный диапазон (нм)
    1100 - 1700
    Диаметр активной области (мкм)
    200
    Оптимизация под длину волны (нм)
    1550

    Высокоскоростные InGaAs/InP лавинные фотодиоды с большой площадью

    PDF
    В корзину