Лавинные фотодиоды
Лавинные фотодиоды
Фотодиод APD0200-17-TO
Спектральный диапазон
950 - 1650 нм
Тип корпуса
ТО-46
Апертура
200 мкм
Обратный ток
1 мА
Прямой ток
5 мА
Лавинный InGaAs фотодиод с диаметром апертуры 200 мкм
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод APD0200-17-C
Спектральный диапазон
950 - 1650 нм
Тип корпуса
ТО-46
Апертура
200 мкм
Корпус
6CLCC (3.0SQ)
Обратный ток
1 мА
Лавинный InGaAs фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм
Под заказ
Цена по запросу
Чип фотодиода APD0200-17-D
Спектральный диапазон
950 - 1650 нм
Тип корпуса
Чип
Апертура
200 мкм
Темновой ток
5 - 50 нА
Рабочее напряжение
32 - 50 В
InGaAs лавинный фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод с ТЕС
Спектральный диапазон
1100-1600 нм
Тип корпуса
Mini-Flat
Напряжение пробоя
50 - 90 В
Темновой ток
0.1 - 0.3 нА
Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт
2 кГц
Лавинный фотодиод, оснащенный термоэлектрическим охладителем типа Mini-Flat
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод с режимом Гейгера
Спектральный диапазон
1100-1600 нм
Тип корпуса
3-pin
Напряжение пробоя
50 - 90 В
Темновой ток
0.1 - 0.3 нА
Электрическая емкость
0.25 пФ
Лавинный фотодиод, работающий в режиме счетчика Гейгера, для счета одиночных фотонов
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод с ТЕС (6-pin, TO-8)
Спектральный диапазон
1100-1600 нм
Тип корпуса
TO-8
Напряжение пробоя
50 - 90 В
Темновой ток
0.1 - 0.3 нА
Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт
2 кГц
Однофотонный лавинный диод (SPAD) для QKD и OTDR
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод с большой площадью C30739ECERH
Спектральный диапазон
400-1100 нм
Активная зона
5.6x5.6 мм
Тип корпуса
Керамическая подложка
Чувствительность
20 А/Вт @430 нм
Темновой ток
50 нА
Кремниевый лавинный фотодиод с большой площадью C30739ECERH
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод с большой площадью C30703FH
Спектральный диапазон
400-1100 нм
Активная зона
10x10 мм
Тип корпуса
Керамическая подложка
Чувствительность
16 А/Вт @530 нм
Темновой ток
10 нА
Кремниевый лавинный фотодиод с большой площадью C30703FH
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод с большой площадью C30626FH
Спектральный диапазон
420-1100 нм
Активная зона
5x5 мм
Тип корпуса
Керамическая подложка
Чувствительность
22 А/Вт @900 нм
Темновой ток
250 нА
Кремниевый лавинный фотодиод с большой площадью C30626FH
Под заказ
Цена по запросу
Массив фотодиодов C30985E
Спектральный диапазон
400-1000 нм
Активная зона
0.3 мм
Число элементов
25
Чувствительность
31 А/Вт (@ 900 нм)
Темновой ток на элемент
1 нА
Массив лавинных кремниевых фотодиодов C30985E
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиоды серии C30927
Спектральный диапазон
400-1100 нм
Активная зона
1.5 мм
Тип корпуса
TO-8
Число элементов
4
Чувствительность
15 А/Вт (@ 1060 нм), 62 А/Вт (@ 900 нм), 55 А/Вт (@ 800 нм)
Лавинные кремниевые фотодиоды для аналитических приложений C30927
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод C30644EH
Спектральный диапазон
1100-1700 нм
Активная зона
50 мкм
Тип корпуса
ТО-18
Ёмкость
0.6 пФ
Диапазон B_w
2000 МГц
Лавинный InGaAs фотодиод C30644EH
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиоды серии C30956EH
Спектральный диапазон
400-1100 нм
Активная зона
3 мм
Тип корпуса
ТО-8
Ёмкость
10 пФ
Время нарастания/спада
2 нс
Лавиннный кремниевый фотодиод C30956EH
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиоды серии C30955EH
Спектральный диапазон
400-1100 нм
Активная зона
1.5 мм
Тип корпуса
TO-5
Ёмкость
3 пФ
Время нарастания/спада
2 нс
Лавиннный кремниевый фотодиод C30955EH
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиоды серии C30954EH
Спектральный диапазон
400-1100 нм
Активная зона
0.8 мм
Тип корпуса
TO-5
Ёмкость
2 пФ
Время нарастания/спада
2 нс
Лавинный кремниевый фотодиод C30954EH
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиоды серии C30916EH
Спектральный диапазон
400-1100 нм
Активная зона
1.5 мм
Тип корпуса
TO-5
Ёмкость
3 пФ
Время нарастания/спада
3 нс
Лавинный кремниевый фотодиод C30916EH
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод C30902BSTH
Спектральный диапазон
400-1100 нм
Активная зона
0.5 мм
Тип корпуса
3-pin
Ёмкость
1.6 пФ
Время нарастания/спада
0.5 нс
Лавинный кремниевый фотодиод C30902BSTH
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод C30902BFCH
Спектральный диапазон
400-1100 нм
Активная зона
0.5 мм
Тип корпуса
3-pin
Ёмкость
1.6 пФ
Время нарастания/спада
0.5 нс
Лавинный кремниевый фотодиод C30902BFCH
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод C30884E
Спектральный диапазон
400-1100 нм
Активная зона
0.8 мм
Тип корпуса
TO-5
Ёмкость
4 пФ
Время нарастания/спада
1 нс
Лавинный кремниевый фотодиод C30884E
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод C30872EH
Спектральный диапазон
400-1100 нм
Активная зона
3 мм
Тип корпуса
TO-8
Ёмкость
10 пФ
Время нарастания/спада
2 нс
Лавинный кремниевый фотодиод C30872EH
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод C30817EH
Спектральный диапазон
400-1100 нм
Активная зона
0.8 мм
Тип корпуса
TO-5
Ёмкость
2 пФ
Время нарастания/спада
2 нс
Лавинный кремниевый фотодиод C30817EH
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод APD-10
Спектральный диапазон
1250-1600 нм
Тип корпуса
Коаксиальный
Напряжение пробоя
25-40 В
V_BR температурный коэффициент
0.07 В/°C
Темновой ток
20нА тип. ; 100 нА макс.
Высокочувствительный APD-TIA приемник в корпусе с волоконным пигтейлом
Под заказ
Цена по запросу
Высокочувствительный фотодиод C30902SH
Спектральный диапазон
400-1100 нм
Активная зона
0.5 мм
Тип корпуса
TO-18, TO-66
Активный материал
Кремний
Тип фотоприемника
Лавинный
кремниевые лавинные фотодиоды, использующие двухдиффузионную структуру с эффектом прокола базы.
Под заказ
Цена по запросу
Высокочувствительный фотодиод C30902EH
Спектральный диапазон
400-1100 нм
Активная зона
0.5 мм
Тип корпуса
TO-18, TO-66
Активный материал
Кремний
Тип фотоприемника
Лавинный
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод с большой площадью C30645
Спектральный диапазон
1100-1700 нм
Тип корпуса
ТО-18, Керамическая подложка
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
Лавинный
Диаметр активной области (мкм)
80
Высокоскоростные InGaAs/InP лавинные фотодиоды
Под заказ
Цена по запросу
Фотодиод с большой площадью C30662
Спектральный диапазон
1100-1700 нм
Тип корпуса
ТО-18, Керамическая подложка
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
Лавинный
Диаметр активной области (мкм)
200
Высокоскоростные InGaAs/InP лавинные фотодиоды с большой площадью
Под заказ
Цена по запросу
