Товар добавлен в корзину
Перейти в корзину
Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования.
Резидент Технопарка ИТМО
+7 (812) 612-99-82
Санкт-Петербург
+7 (964) 442-90-01
Новосибирск
+7 (964) 442-90-01
Владивосток
8 (800) 551-57-49
Звонок бесплатный по РФ
Перезвоните мне
Оставьте заявку
Ru En
0
Каталог

ИК фотодиоды

ИК фотодиод
Сортировать по:
Выберите сортировку
Высокоскоростной 25 Гбит чип серии CPC0002A
Высокоскоростной 25 Гбит чип серии CPC0002A
Диапазон длин волн
 1100-1640 нм
Диаметр чувствительной области
 20 мкм
Чувствительность
 0.85 А/Вт
Скорость
 25 Гбит
Ширина полосы (-3 дБ)
 22 ГГц
Серия высокоскоростных 25 Гбит/с чипов для Ethernet
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Высокоскоростной 56 Гбит чип серии CPL5012S
Высокоскоростной 56 Гбит чип серии CPL5012S
Диапазон длин волн
 1100-1640 нм
Диаметр чувствительной области
 12 мкм
Чувствительность
 0.8 А/Вт
Скорость
 56 Гбит
Ширина полосы (-3 дБ)
 37 ГГц
Серия высокоскоростных чипов для Ethernet
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод APD0200-17-TO
Фотодиод APD0200-17-TO
Спектральный диапазон
950 - 1650 нм
Тип корпуса
 ТО-46
Апертура
200 мкм
Обратный ток 
 1 мА
Прямой ток 
 5 мА
Лавинный InGaAs фотодиод с диаметром апертуры 200 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод APD0200-17-C
Фотодиод APD0200-17-C
Спектральный диапазон
950 - 1650 нм
Тип корпуса
 ТО-46
Апертура
200 мкм
Корпус
6CLCC (3.0SQ)
Обратный ток 
 1 мА
Лавинный InGaAs фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Чип фотодиода APD0200-17-D
Чип фотодиода APD0200-17-D
Спектральный диапазон
950 - 1650 нм
Тип корпуса
 Чип
Апертура
200 мкм
Темновой ток 
 5 - 50 нА
Рабочее напряжение
32 - 50 В
InGaAs лавинный фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
Спектральный диапазон
600 - 1700 нм
Тип корпуса
TO-46/3P; TO-39/3P
Апертура
950 - 3000 мкм
Темновой ток 
 2 - 30 нА
Сопротивление шунта
5 - 100 МОм
InGaAS PIN фотодиод с длиной волны отсечки 1,7 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
Спектральный диапазон
1200 - 2200 нм
Апертура
950 - 1850 мкм
Корпус 
TO-46/3P; TO-39/3P
Темновой ток 
 2 - 12 мкА
Сопротивление шунта
15 - 50 кОм
InGaAs PIN-фотодиод с длиной волны отсечки 2,2 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
Спектральный диапазон
600 - 1700 нм
Апертура
950 - 3000 мкм
Темновой ток 
 2 - 30 нА
Сопротивление шунта
5 - 100 МОм
Емкость
 120 - 1200 пФ (при 0 В); 60 - 600 пФ (при -5 В)
InGaAS PIN фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,7 мкм

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с ТЕС
Фотодиод с ТЕС
Спектральный диапазон
 1100-1600 нм
Тип корпуса
 Mini-Flat
Напряжение пробоя 
50 - 90 В
Темновой ток 
0.1 - 0.3 нА
Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт 
 2 кГц  
Лавинный фотодиод, оснащенный термоэлектрическим охладителем типа Mini-Flat
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с режимом Гейгера
Фотодиод с режимом Гейгера
Спектральный диапазон
 1100-1600 нм
Тип корпуса
 3-pin
Напряжение пробоя 
50 - 90 В
Темновой ток 
0.1 - 0.3 нА
Электрическая емкость 
0.25 пФ
Лавинный фотодиод, работающий в режиме счетчика Гейгера, для счета одиночных фотонов
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с ТЕС (6-pin, TO-8)
Фотодиод с ТЕС (6-pin, TO-8)
Спектральный диапазон
 1100-1600 нм
Тип корпуса
 TO-8
Напряжение пробоя 
50 - 90 В
Темновой ток 
0.1 - 0.3 нА
Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт 
 2 кГц  
Однофотонный лавинный диод (SPAD) для QKD и OTDR
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30619GH
Фотодиод с большой площадью C30619GH
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
0.2 мм^2
Тип корпуса
TO-18
Активный диаметр
0.5 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30619GH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30723GH
Фотодиод с большой площадью C30723GH
Спектральный диапазон
900-1700 нм
Активная зона
19.6 мм^2
Тип корпуса  
TO-8
Активный диаметр
5 мм
Тип корпуса
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30723GH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30665GH
Фотодиод с большой площадью C30665GH
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона  
7 мм^2
Тип корпуса 
TO-5
Активный диаметр
3 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30665GH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30642GH
Фотодиод с большой площадью C30642GH
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона  
3.1 мм^2
Тип корпуса
TO-5
Активный диаметр
2 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30642GH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30641GH
Фотодиод с большой площадью C30641GH
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
0.8 мм^2
Тип корпуса
TO-18
Активный диаметр
1 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30641GH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Высокоскоростные фотодиоды серии C30618
Высокоскоростные фотодиоды серии C30618
Форма
Круглая
Активная зона
0.096 мм^2
Активный диаметр
350 мкм
Чувствительность (тип)@ 1300 нм
0.90 А/Вт (ТО-18 керамика), 0.75 А/Вт (для FC/ SC)
Чувствительность (тип)@ 1550 нм
0.95 А/Вт (ТО-18 керамика), 0.80 А/Вт (для FC/ SC)
Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30618

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Высокоскоростные фотодиоды серии C30617
Высокоскоростные фотодиоды серии C30617
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
0.008 мм^2
Тип корпуса
 ТО-18, Керамическая подложка
Форма
Круглая
Активный диаметр
100 мкм
Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30617

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод C30637ECERH
Фотодиод C30637ECERH
Спектральный диапазон
900-1700 нм
Активная зона
75 мкм 
Тип корпуса
 Керамическая подложка 
Пиковая чувствительность
0.95 А/Вт
Ёмкость
0.4 пФ
InGaAs PIN-фотодиод C30637ECERH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод C30616ECERH
Фотодиод C30616ECERH
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
50 мкм
Тип корпуса
Керамическая подложка
Активный диаметр
 
Пиковая чувствительность
0.95 А/Вт
InGaAs PIN-фотодиод C30616ECERH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод C30644EH
Фотодиод C30644EH
Спектральный диапазон
 1100-1700 нм
Активная зона
50 мкм
Тип корпуса
 ТО-18
Ёмкость
0.6 пФ
Диапазон B_w
2000 МГц
Лавинный InGaAs фотодиод C30644EH

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Линейный фотоприёмник PD-40-TQ
Линейный фотоприёмник PD-40-TQ
Спектральный диапазон
850-1650 нм
Входная оптическая мощность
50 мВт
Частотная полоса
35 ГГц
Оптимальный рабочий диапазон длин волн
1260-1610 нм
S22 характеристики
< -10 дБ @20 ГГц
Высоколинейный InGaAs PIN фотодетектор
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Линейный фотоприёмник PD-40-MM
Линейный фотоприёмник PD-40-MM
Оптимальный рабочий диапазон длин волн
1260-1610 нм
Эффективный рабочий диапазон длин волн
850-1650 нм
Максимальная входная оптическая мощность
10 мВт
S21 3 дБ частотный диапазон
33 ГГц
S22 характеристики
< -10 дБ @ 20 ГГц
Высоколинейный InGaAs PIN фотодетектор с частотным диапазоном 40 ГГц
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Линейный фотоприёмник PD-40
Линейный фотоприёмник PD-40
Спектральный диапазон
850-1650 нм
Входная оптическая мощность
10 мВт
Частотная полоса
33 ГГц
Оптимальный рабочий диапазон длин волн
1260-1610 нм
S22 характеристики
< -10 дБ @30 ГГц
InGaAs PIN фотодетектор, который идеально подходит для использования в оптоэлектронных (O/E) периферийных устройствах
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Линейный фотоприёмник PD-30-MM
Линейный фотоприёмник PD-30-MM
Спектральный диапазон
850-1650 нм
Входная оптическая мощность
30 мВт
Частотная полоса
30 ГГц
Оптимальный рабочий диапазон длин волн
1260-1610 нм
S22 характеристики
< -10 дБ @20 ГГц
InGaAs PIN фотодетектор, который идеально подходит для использования в оптоэлектронных периферийных устройствах
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Линейный фотоприёмник PD-30-TQ
Линейный фотоприёмник PD-30-TQ
Спектральный диапазон
850-1650 нм
Входная оптическая мощность 
40 мВт
Частотная полоса 
31 ГГц
Оптимальный рабочий диапазон длин волн 
1260-1610 нм
S22 характеристики
< -10 дБ @20 ГГц
Высоколинейный InGaAs PIN фотодетектор с частотным диапазоном 30 ГГц
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Линейный фотоприёмник PD-30
Линейный фотоприёмник PD-30
Спектральный диапазон
850-1650 нм
Входная оптическая мощность
20 мВт
Частотная полоса
30 ГГц
Оптимальный рабочий диапазон длин волн
1260-1610 нм
S22 характеристики
< -10 дБ @ 20 ГГц
InGaAs PIN фотодетектор с частотным диапазоном 30 ГГц
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Линейный фотоприёмник PD-20-TQ
Линейный фотоприёмник PD-20-TQ
Спектральный диапазон
850-1650 нм
Входная оптическая мощность
40 мВт
Частотная полоса 
19 ГГц
Оптимальный рабочий диапазон длин волн
1260-1610 нм
S22 характеристики
< -10 дБ @20 ГГц
InGaAs PIN фотодетектор с частотным диапазоном 20 ГГц
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Линейный фотоприёмник PD-20
Линейный фотоприёмник PD-20
Спектральный диапазон
850-1650 нм
Входная оптическая мощность
40 мВт
Частотная полоса
19 ГГц
Оптимальный рабочий диапазон длин волн
1260-1610 нм
S22 характеристики
< -10 дБ @ 12 ГГц; < - 6 дБ @ 20 ГГц
InGaAs PIN фотодетектор с частотным диапазоном 20 ГГц
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод APD-10
Фотодиод APD-10
Спектральный диапазон
1250-1600 нм
Тип корпуса
 Коаксиальный
Напряжение пробоя
25-40 В
V_BR температурный коэффициент
0.07 В/°C
Темновой ток
20нА тип. ; 100 нА макс.

Высокочувствительный APD-TIA приемник в корпусе с волоконным пигтейлом

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
14 Гб/с чипы серии PD10x1
14 Гб/с чипы серии PD10x1
Спектральный диапазон
830-860 нм, 1260 - 1620 нм
Скорость
14 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
32 Гб/с чип PD20B1
32 Гб/с чип PD20B1
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
32 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в форме "T"
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
32 Гб/с чип PD20A1
32 Гб/с чип PD20A1
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
32 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30645
Фотодиод с большой площадью C30645
Спектральный диапазон
 1100-1700 нм
Тип корпуса
 ТО-18, Керамическая подложка
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
Лавинный
Диаметр активной области (мкм)
80

Высокоскоростные InGaAs/InP лавинные фотодиоды 

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодиод с большой площадью C30662
Фотодиод с большой площадью C30662
Спектральный диапазон
 1100-1700 нм
Тип корпуса
 ТО-18, Керамическая подложка
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
Лавинный
Диаметр активной области (мкм)
200

Высокоскоростные InGaAs/InP лавинные фотодиоды с большой площадью

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодетектор серии RPD3000
Фотодетектор серии RPD3000
Спектральный диапазон  
1100 - 1600 нм
Активная зона
40 - 80 мкм
Тип корпуса
 3-pin
Вх. мощность
10 мВт
Частот. полоса пропускания
1 - 3000 МГц
Фотодетектор серии RPD3000

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодетектор серии MRPD3100
Фотодетектор серии MRPD3100
Спектральный диапазон
1100 - 1600 нм
Активная зона
40 мкм
Тип корпуса
 3-pin
Вх. мощность
10 мВт
Частот. полоса пропускания
2 - 3 ГГц
Фотодетектор серии MRPD3100

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодетектор серии PD3000
Фотодетектор серии PD3000
Спектральный диапазон
1100 - 1650 нм
Активная зона 
40 - 80 мкм
Тип корпуса 
 3-pin
Вх. мощность
10 мВт
Частот. полоса пропускания
3000 МГц
Фотодетектор серии PD3000

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Фотодетектор серии PD1000
Фотодетектор серии PD1000
Спектральный диапазон
1100 - 1650 нм
Активная зона
 40 - 80 мкм
Тип корпуса
 3-pin
Диапазон длин волн
 
Диаметр активной области
 
Фотодетектор серии PD1000

Под заказ
Цена по запросу
Добавить к заказу
Связаться с инженером Бесплатный звонок