Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
8 (800) 775-38-88
Бесплатно по РФ
+7 (812) 612-99-82
Санкт-Петербург
    Заказать звонок
    info@lenlasers.ru Скопировано!
    ru en
    Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
    Личный
    кабинет
    Заказать
    звонок
    Отправить
    письмо
    Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
    Инфракрасный фотоприемник
    каталог
    Новости

    Инфракрасный фотоприемник

    Инфракрасный фотоприемник
    Фотодиод APD0200-17-TO
    Фотодиод APD0200-17-TO
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    950 - 1650 нм
    Тип корпуса
     ТО-46
    Апертура
    200 мкм
    Обратный ток 
     1 мА
    Прямой ток 
     5 мА
    Лавинный InGaAs фотодиод с диаметром апертуры 200 мкм

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод APD0200-17-C
    Фотодиод APD0200-17-C
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    950 - 1650 нм
    Тип корпуса
     ТО-46
    Апертура
    200 мкм
    Корпус
    6CLCC (3.0SQ)
    Обратный ток 
     1 мА
    Лавинный InGaAs фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм

    PDF
    PDF
    В корзину
    Чип фотодиода APD0200-17-D
    Чип фотодиода APD0200-17-D
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    950 - 1650 нм
    Тип корпуса
     Чип
    Апертура
    200 мкм
    Темновой ток 
     5 - 50 нА
    Рабочее напряжение
    32 - 50 В
    InGaAs лавинный фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм

    PDF
    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
    InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    600 - 1700 нм
    Тип корпуса
    TO-46/3P; TO-39/3P
    Апертура
    950 - 3000 мкм
    Темновой ток 
     2 - 30 нА
    Сопротивление шунта
    5 - 100 МОм
    InGaAS PIN фотодиод с длиной волны отсечки 1,7 мкм

    PDF
    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
    InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    1200 - 2200 нм
    Апертура
    950 - 1850 мкм
    Корпус 
    TO-46/3P; TO-39/3P
    Темновой ток 
     2 - 12 мкА
    Сопротивление шунта
    15 - 50 кОм
    InGaAs PIN-фотодиод с длиной волны отсечки 2,2 мкм

    PDF
    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
    InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    600 - 1700 нм
    Апертура
    950 - 3000 мкм
    Темновой ток 
     2 - 30 нА
    Сопротивление шунта
    5 - 100 МОм
    Емкость
     120 - 1200 пФ (при 0 В); 60 - 600 пФ (при -5 В)
    InGaAS PIN фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,7 мкм

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод с ТЕС
    Фотодиод с ТЕС
    Wooriro
    Спектральный диапазон
     1100-1600 нм
    Тип корпуса
     Mini-Flat
    Напряжение пробоя 
    50 - 90 В
    Темновой ток 
    0.1 - 0.3 нА
    Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт 
     2 кГц  
    Лавинный фотодиод, оснащенный термоэлектрическим охладителем типа Mini-Flat
    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод с режимом Гейгера
    Фотодиод с режимом Гейгера
    Wooriro
    Спектральный диапазон
     1100-1600 нм
    Тип корпуса
     3-pin
    Напряжение пробоя 
    50 - 90 В
    Темновой ток 
    0.1 - 0.3 нА
    Электрическая емкость 
    0.25 пФ
    Лавинный фотодиод, работающий в режиме счетчика Гейгера, для счета одиночных фотонов
    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод с ТЕС (6-pin, TO-8)
    Фотодиод с ТЕС (6-pin, TO-8)
    Wooriro
    Спектральный диапазон
     1100-1600 нм
    Тип корпуса
     TO-8
    Напряжение пробоя 
    50 - 90 В
    Темновой ток 
    0.1 - 0.3 нА
    Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт 
     2 кГц  
    Однофотонный лавинный диод (SPAD) для QKD и OTDR
    PDF
    PDF
    В корзину
    Линейный фотоприёмник PR-23-А-HS
    Линейный фотоприёмник PR-23-А-HS
    Optilab
    Спектральный диапазон 
    950 - 1650 нм
    Входная оптическая мощность
    +4 дБм
    Частотная полоса 
    23 ГГц
    Усиление
    1500 В/Вт
    Темновой ток @ 25°C, 3.3 В
    5 нА

    Линейный фотоприемник с полосой пропускания до 23 ГГц

    PDF
    PDF
    В корзину
    14 Гб/с чипы серии PD10x1
    14 Гб/с чипы серии PD10x1
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    830-860 нм, 1260 - 1620 нм
    Скорость
    14 Гбит/с
    Тип корпуса
    Чип
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки
    В корзину
    32 Гб/с чип PD20B1
    32 Гб/с чип PD20B1
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    1260 - 1620 нм
    Скорость
    32 Гбит/с
    Тип корпуса
    Чип
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в форме "T"
    В корзину
    32 Гб/с чип PD20A1
    32 Гб/с чип PD20A1
    Albis Optoelectronics
    Спектральный диапазон
    1260 - 1620 нм
    Скорость
    32 Гбит/с
    Тип корпуса
    Чип
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    PIN
    Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
    В корзину
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-2M
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-2M
    Alphalas
    Спектральный диапазон 
    900 - 1700 нм
    Диапазон частот
    > 0.004 ГГц
    Тип детектора
    InGaAs
    Тип входа
    Free-space
    Время нарастания
    < 75000 пс
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-2M

    PDF
    PDF
    В корзину
    Cверхбыстрый фотодетектор UPD-5N-IR2-P
    Cверхбыстрый фотодетектор UPD-5N-IR2-P
    Alphalas
    Спектральный диапазон 
    800 - 2600 нм
    Диапазон частот 
    > 0.3 ГГц
    Тип детектора
     InGaAs
    Тип входа
    Free-space
    Время нарастания
    < 200 пс
    Cверхбыстрый фотодетектор UPD-5N-IR2-P

    PDF
    PDF
    В корзину
    Cверхбыстрый фотодетектор UPD-3N-IR2-P
    Cверхбыстрый фотодетектор UPD-3N-IR2-P
    Alphalas
    Спектральный диапазон
    800 - 2100 нм
    Диапазон частот
    > 0.4 ГГц
    Тип детектора
    InGaAs
    Тип входа 
     Free-space
    Время нарастания
    < 150 пс
    Cверхбыстрый фотодетектор UPD-3N-IR2-P

    PDF
    PDF
    В корзину
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-70
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-70
    Alphalas
    Спектральный диапазон
    350 - 1700 нм
    Диапазон частот
    > 5.0 ГГц
    Тип детектора
    InGaAs
    Тип входа
    Free-space или волоконный
    Время нарастания
    < 70 пс
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-70

    PDF
    PDF
    В корзину
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-40
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-40
    Alphalas
    Спектральный диапазон
    350 - 1700 нм
    Диапазон частот
    > 8.5 ГГц
    Тип детектора
    InGaAs
    Тип входа
    Free-space или волоконный
    Время нарастания
    < 40 пс
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-40

    PDF
    PDF
    В корзину
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-35
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-35
    Alphalas
    Спектральный диапазон 
    350 - 1700 нм
    Диапазон частот 
    > 10 ГГц
    Тип детектора
    InGaAs
    Тип входа
    Free-space или волоконный
    Время нарастания
    < 35 пс
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-35

    PDF
    PDF
    В корзину
    Сверхбыстрый фотодетектор UPD-30-VSG-P
    Сверхбыстрый фотодетектор UPD-30-VSG-P
    Alphalas
    Спектральный диапазон
    320 - 900 нм
    Диапазон частот
    > 10 ГГц
    Тип детектора 
    GaAs
    Тип входа
    Free-space 
    Время нарастания
    < 30 пс
    Сверхбыстрый фотодетектор UPD-30-VSG-P

    PDF
    PDF
    В корзину
    Сверхбыстрый фотодетектор UPD-15-IR2-FC
    Сверхбыстрый фотодетектор UPD-15-IR2-FC
    Alphalas
    Спектральный диапазон
    800 - 1700 нм
    Диапазон частот
    > 25 ГГц
    Тип детектора
     InGaAs
    Тип входа
    Волоконный
    Время нарастания
    < 15 пс
    Сверхбыстрый фотодетектор UPD-15-IR2-FC

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод с большой площадью C30619GH
    Фотодиод с большой площадью C30619GH
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
     900-1700 нм
    Активная зона
    0.2 мм^2
    Тип корпуса
    TO-18
    Активный диаметр
    0.5 мм
    Чувствительность (тип)
    0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30619GH

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод с большой площадью C30723GH
    Фотодиод с большой площадью C30723GH
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
    900-1700 нм
    Активная зона
    19.6 мм^2
    Тип корпуса  
    TO-8
    Активный диаметр
    5 мм
    Тип корпуса
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30723GH

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод с большой площадью C30665GH
    Фотодиод с большой площадью C30665GH
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
     900-1700 нм
    Активная зона  
    7 мм^2
    Тип корпуса 
    TO-5
    Активный диаметр
    3 мм
    Чувствительность (тип)
    0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30665GH

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод с большой площадью C30642GH
    Фотодиод с большой площадью C30642GH
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
     900-1700 нм
    Активная зона  
    3.1 мм^2
    Тип корпуса
    TO-5
    Активный диаметр
    2 мм
    Чувствительность (тип)
    0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30642GH

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод с большой площадью C30641GH
    Фотодиод с большой площадью C30641GH
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
     900-1700 нм
    Активная зона
    0.8 мм^2
    Тип корпуса
    TO-18
    Активный диаметр
    1 мм
    Чувствительность (тип)
    0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
    InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30641GH

    PDF
    PDF
    В корзину
    Высокоскоростные фотодиоды серии C30617
    Высокоскоростные фотодиоды серии C30617
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
     900-1700 нм
    Активная зона
    0.008 мм^2
    Тип корпуса
     ТО-18, Керамическая подложка
    Форма
    Круглая
    Активный диаметр
    100 мкм
    Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30617

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод C30637ECERH
    Фотодиод C30637ECERH
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
    900-1700 нм
    Активная зона
    75 мкм 
    Тип корпуса
     Керамическая подложка 
    Пиковая чувствительность
    0.95 А/Вт
    Ёмкость
    0.4 пФ
    InGaAs PIN-фотодиод C30637ECERH

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод C30616ECERH
    Фотодиод C30616ECERH
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
     900-1700 нм
    Активная зона
    50 мкм
    Тип корпуса
    Керамическая подложка
    Активный диаметр
     
    Пиковая чувствительность
    0.95 А/Вт
    InGaAs PIN-фотодиод C30616ECERH

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод C30644EH
    Фотодиод C30644EH
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
     1100-1700 нм
    Активная зона
    50 мкм
    Тип корпуса
     ТО-18
    Ёмкость
    0.6 пФ
    Диапазон B_w
    2000 МГц
    Лавинный InGaAs фотодиод C30644EH

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод с большой площадью C30645
    Фотодиод с большой площадью C30645
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
     1100-1700 нм
    Тип корпуса
     ТО-18, Керамическая подложка
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    Лавинный
    Диаметр активной области (мкм)
    80

    Высокоскоростные InGaAs/InP лавинные фотодиоды 

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотодиод с большой площадью C30662
    Фотодиод с большой площадью C30662
    Excelitas Technologies
    Спектральный диапазон
     1100-1700 нм
    Тип корпуса
     ТО-18, Керамическая подложка
    Активный материал
    InGaAs
    Тип фотоприемника
    Лавинный
    Диаметр активной области (мкм)
    200

    Высокоскоростные InGaAs/InP лавинные фотодиоды с большой площадью

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотоприёмник со сверхнизким шумом PWPR-2K-IN
    Фотоприёмник со сверхнизким шумом PWPR-2K-IN
    FEMTO
    Спектральный диапазон
    900 - 1700 нм
    Диапазон частот
    DC ... 2 кГц
    Тип детектора 
    ∅ 0.5 мм InGaAs-PIN
    Тип входа
    Free-space или волоконный
    Усиление сопротивления
    1.0 x 10^9 В/А
    Пиковаттный фотоприемник PWPR-2K-IN

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотоприёмник с переменным усилением OE-300-IN-03
    Фотоприёмник с переменным усилением OE-300-IN-03
    FEMTO
    Спектральный диапазон
    800 - 1700 нм
    Диапазон частот
    0.22 - 200 кГц
    Тип детектора
    InGaAs-PIN
    Тип входа
    Free-space
    Усиление преобразования
    10^2 - 10^8 В/Вт
    200 МГц Фотоприемник с изменением усиления OE-300-IN-03

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотоприёмник с переменным усилением OE-300-IN-01
    Фотоприёмник с переменным усилением OE-300-IN-01
    FEMTO
    Спектральный диапазон
    900 - 1700 нм
    Диапазон частот
    0.22 - 200 кГц
    Тип детектора
    InGaAs-PIN
    Тип входа
    Волоконный
    Усиление преобразования
    10^2 - 10^8 В/Вт
    200 МГц Фотоприемник с изменением усиления OE-300-IN-01

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотоприёмник с переменным усилением OE-200-IN2
    Фотоприёмник с переменным усилением OE-200-IN2
    FEMTO
    Спектральный диапазон
    900 - 1700 нм
    Диапазон частот
    1.1 - 500 кГц
    Тип детектора
    InGaAs PIN
    Тип входа
    Волоконный
    Усиление преобразования
    10^3 - 10^11 В/Вт
    Фотоприемник с изменением усиления  OE-200-IN2

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотоприёмник с переменным усилением OE-200-IN1
    Фотоприёмник с переменным усилением OE-200-IN1
    FEMTO
    Спектральный диапазон 
    900 - 1700 нм
    Диапазон частот
    1.1 - 500 кГц
    Тип детектора 
    InGaAs PIN
    Тип входа
    Free-space или волоконный
    Встроенный усилитель
    Фотоприемник с изменением усиления  OE-200-IN1

    PDF
    PDF
    В корзину
    Ультрабыстрый фотоприёмник HSPR-X-I-2G-IN
    Ультрабыстрый фотоприёмник HSPR-X-I-2G-IN
    FEMTO
    Спектральный диапазон 
    900 - 1700 нм
    Диапазон частот 
    10 кГц - 2 ГГц
    Тип детектора 
    Ø 0.1 мм InGaAs-PIN
    Тип входа
    Free-space или волоконный
    Усиление сопротивления
    5 x 10^3 В/А инвентор.
    Ультрабыстрый фотоприемник HSPR-X-I-2G-IN инверсия

    PDF
    PDF
    В корзину
    Ультрабыстрый фотоприёмник HSA-X-S-2G-IN
    Ультрабыстрый фотоприёмник HSA-X-S-2G-IN
    FEMTO
    Спектральный диапазон 
    900 - 1700 нм
    Диапазон частот 
    10 кГц - 2 ГГц
    Тип детектора 
    Ø 0.1 мм InGaAs-PIN
    Тип входа 
    Free-space или волоконный
    Усиление сопротивления
    5 x 10^3 В/А
    Ультрабыстрый фотоприемник HSA-X-S-2G-IN

    PDF
    PDF
    В корзину
    Фотоприёмник HCA-S-400M-IN
    Фотоприёмник HCA-S-400M-IN
    FEMTO
    Спектральный диапазон 
    900 - 1700 нм
    Диапазон частот
    DC ... 400 МГц
    Тип детектора
    0.3 мм Ø InGaAs PIN
    Тип входа
    Free-space или волоконный
    Усиление сопротивления
    5 x 10^3 В/А

    400 МГц фотоприемник HCA-S-400M-IN

    PDF
    PDF
    В корзину