Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
Заказать звонок
info@lenlasers.ru Скопировано!
ru en
Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
Личный
кабинет
Заказать
звонок
Отправить
письмо
Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
Товар добавлен в корзину
Перейти в корзину
Инфракрасный фотоприемник
каталог
Новости

Инфракрасный фотоприемник

Инфракрасный фотоприемник
Фотодиод APD0200-17-TO
Фотодиод APD0200-17-TO
Chunghwa Leading Photonics Tech
Спектральный диапазон
950 - 1650 нм
Тип корпуса
 ТО-46
Апертура
200 мкм
Обратный ток 
 1 мА
Прямой ток 
 5 мА
Лавинный InGaAs фотодиод с диаметром апертуры 200 мкм

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод APD0200-17-C
Фотодиод APD0200-17-C
Chunghwa Leading Photonics Tech
Спектральный диапазон
950 - 1650 нм
Тип корпуса
 ТО-46
Апертура
200 мкм
Корпус
6CLCC (3.0SQ)
Обратный ток 
 1 мА
Лавинный InGaAs фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм

PDF
PDF
В корзину
Чип фотодиода APD0200-17-D
Чип фотодиода APD0200-17-D
Chunghwa Leading Photonics Tech
Спектральный диапазон
950 - 1650 нм
Тип корпуса
 Чип
Апертура
200 мкм
Темновой ток 
 5 - 50 нА
Рабочее напряжение
32 - 50 В
InGaAs лавинный фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм

PDF
PDF
В корзину
InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
Chunghwa Leading Photonics Tech
Спектральный диапазон
600 - 1700 нм
Тип корпуса
TO-46/3P; TO-39/3P
Апертура
950 - 3000 мкм
Темновой ток 
 2 - 30 нА
Сопротивление шунта
5 - 100 МОм
InGaAS PIN фотодиод с длиной волны отсечки 1,7 мкм

PDF
PDF
В корзину
InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
Chunghwa Leading Photonics Tech
Спектральный диапазон
1200 - 2200 нм
Апертура
950 - 1850 мкм
Корпус 
TO-46/3P; TO-39/3P
Темновой ток 
 2 - 12 мкА
Сопротивление шунта
15 - 50 кОм
InGaAs PIN-фотодиод с длиной волны отсечки 2,2 мкм

PDF
PDF
В корзину
InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
Chunghwa Leading Photonics Tech
Спектральный диапазон
600 - 1700 нм
Апертура
950 - 3000 мкм
Темновой ток 
 2 - 30 нА
Сопротивление шунта
5 - 100 МОм
Емкость
 120 - 1200 пФ (при 0 В); 60 - 600 пФ (при -5 В)
InGaAS PIN фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,7 мкм

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод с ТЕС
Фотодиод с ТЕС
Wooriro
Спектральный диапазон
 1100-1600 нм
Тип корпуса
 Mini-Flat
Напряжение пробоя 
50 - 90 В
Темновой ток 
0.1 - 0.3 нА
Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт 
 2 кГц  
Лавинный фотодиод, оснащенный термоэлектрическим охладителем типа Mini-Flat
PDF
PDF
В корзину
Фотодиод с режимом Гейгера
Фотодиод с режимом Гейгера
Wooriro
Спектральный диапазон
 1100-1600 нм
Тип корпуса
 3-pin
Напряжение пробоя 
50 - 90 В
Темновой ток 
0.1 - 0.3 нА
Электрическая емкость 
0.25 пФ
Лавинный фотодиод, работающий в режиме счетчика Гейгера, для счета одиночных фотонов
PDF
PDF
В корзину
Фотодиод с ТЕС (6-pin, TO-8)
Фотодиод с ТЕС (6-pin, TO-8)
Wooriro
Спектральный диапазон
 1100-1600 нм
Тип корпуса
 TO-8
Напряжение пробоя 
50 - 90 В
Темновой ток 
0.1 - 0.3 нА
Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт 
 2 кГц  
Однофотонный лавинный диод (SPAD) для QKD и OTDR
PDF
PDF
В корзину
Линейный фотоприёмник PR-23-А-HS
Линейный фотоприёмник PR-23-А-HS
Optilab
Спектральный диапазон 
950 - 1650 нм
Входная оптическая мощность
+4 дБм
Частотная полоса 
23 ГГц
Усиление
1500 В/Вт
Темновой ток @ 25°C, 3.3 В
5 нА

Линейный фотоприемник с полосой пропускания до 23 ГГц

PDF
PDF
В корзину
14 Гб/с чипы серии PD10x1
14 Гб/с чипы серии PD10x1
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
830-860 нм, 1260 - 1620 нм
Скорость
14 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки
В корзину
32 Гб/с чип PD20B1
32 Гб/с чип PD20B1
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
32 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в форме "T"
В корзину
32 Гб/с чип PD20A1
32 Гб/с чип PD20A1
Albis Optoelectronics
Спектральный диапазон
1260 - 1620 нм
Скорость
32 Гбит/с
Тип корпуса
Чип
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
PIN
Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи
В корзину
Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-2M
Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-2M
Alphalas
Спектральный диапазон 
900 - 1700 нм
Диапазон частот
> 0.004 ГГц
Тип детектора
InGaAs
Тип входа
Free-space
Время нарастания
< 75000 пс
Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-2M

PDF
PDF
В корзину
Cверхбыстрый фотодетектор UPD-5N-IR2-P
Cверхбыстрый фотодетектор UPD-5N-IR2-P
Alphalas
Спектральный диапазон 
800 - 2600 нм
Диапазон частот 
> 0.3 ГГц
Тип детектора
 InGaAs
Тип входа
Free-space
Время нарастания
< 200 пс
Cверхбыстрый фотодетектор UPD-5N-IR2-P

PDF
PDF
В корзину
Cверхбыстрый фотодетектор UPD-3N-IR2-P
Cверхбыстрый фотодетектор UPD-3N-IR2-P
Alphalas
Спектральный диапазон
800 - 2100 нм
Диапазон частот
> 0.4 ГГц
Тип детектора
InGaAs
Тип входа 
 Free-space
Время нарастания
< 150 пс
Cверхбыстрый фотодетектор UPD-3N-IR2-P

PDF
PDF
В корзину
Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-70
Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-70
Alphalas
Спектральный диапазон
350 - 1700 нм
Диапазон частот
> 5.0 ГГц
Тип детектора
InGaAs
Тип входа
Free-space или волоконный
Время нарастания
< 70 пс
Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-70

PDF
PDF
В корзину
Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-40
Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-40
Alphalas
Спектральный диапазон
350 - 1700 нм
Диапазон частот
> 8.5 ГГц
Тип детектора
InGaAs
Тип входа
Free-space или волоконный
Время нарастания
< 40 пс
Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-40

PDF
PDF
В корзину
Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-35
Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-35
Alphalas
Спектральный диапазон 
350 - 1700 нм
Диапазон частот 
> 10 ГГц
Тип детектора
InGaAs
Тип входа
Free-space или волоконный
Время нарастания
< 35 пс
Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-35

PDF
PDF
В корзину
Сверхбыстрый фотодетектор UPD-30-VSG-P
Сверхбыстрый фотодетектор UPD-30-VSG-P
Alphalas
Спектральный диапазон
320 - 900 нм
Диапазон частот
> 10 ГГц
Тип детектора 
GaAs
Тип входа
Free-space 
Время нарастания
< 30 пс
Сверхбыстрый фотодетектор UPD-30-VSG-P

PDF
PDF
В корзину
Сверхбыстрый фотодетектор UPD-15-IR2-FC
Сверхбыстрый фотодетектор UPD-15-IR2-FC
Alphalas
Спектральный диапазон
800 - 1700 нм
Диапазон частот
> 25 ГГц
Тип детектора
 InGaAs
Тип входа
Волоконный
Время нарастания
< 15 пс
Сверхбыстрый фотодетектор UPD-15-IR2-FC

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод с большой площадью C30619GH
Фотодиод с большой площадью C30619GH
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
0.2 мм^2
Тип корпуса
TO-18
Активный диаметр
0.5 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30619GH

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод с большой площадью C30723GH
Фотодиод с большой площадью C30723GH
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
900-1700 нм
Активная зона
19.6 мм^2
Тип корпуса  
TO-8
Активный диаметр
5 мм
Тип корпуса
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30723GH

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод с большой площадью C30665GH
Фотодиод с большой площадью C30665GH
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона  
7 мм^2
Тип корпуса 
TO-5
Активный диаметр
3 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30665GH

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод с большой площадью C30642GH
Фотодиод с большой площадью C30642GH
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона  
3.1 мм^2
Тип корпуса
TO-5
Активный диаметр
2 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30642GH

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод с большой площадью C30641GH
Фотодиод с большой площадью C30641GH
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
0.8 мм^2
Тип корпуса
TO-18
Активный диаметр
1 мм
Чувствительность (тип)
0.20 А/Вт @850 нм, 0.90 А/Вт @1300, 0.95 А/Вт @1550 нм нм
InGaAs PIN-фотодиоды с большой площадью серии C30641GH

PDF
PDF
В корзину
Высокоскоростные фотодиоды серии C30617
Высокоскоростные фотодиоды серии C30617
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
0.008 мм^2
Тип корпуса
 ТО-18, Керамическая подложка
Форма
Круглая
Активный диаметр
100 мкм
Высокоскоростные InGaAs PIN фотодиоды серии C30617

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод C30637ECERH
Фотодиод C30637ECERH
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
900-1700 нм
Активная зона
75 мкм 
Тип корпуса
 Керамическая подложка 
Пиковая чувствительность
0.95 А/Вт
Ёмкость
0.4 пФ
InGaAs PIN-фотодиод C30637ECERH

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод C30616ECERH
Фотодиод C30616ECERH
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
 900-1700 нм
Активная зона
50 мкм
Тип корпуса
Керамическая подложка
Активный диаметр
 
Пиковая чувствительность
0.95 А/Вт
InGaAs PIN-фотодиод C30616ECERH

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод C30644EH
Фотодиод C30644EH
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
 1100-1700 нм
Активная зона
50 мкм
Тип корпуса
 ТО-18
Ёмкость
0.6 пФ
Диапазон B_w
2000 МГц
Лавинный InGaAs фотодиод C30644EH

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод с большой площадью C30645
Фотодиод с большой площадью C30645
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
 1100-1700 нм
Тип корпуса
 ТО-18, Керамическая подложка
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
Лавинный
Диаметр активной области (мкм)
80

Высокоскоростные InGaAs/InP лавинные фотодиоды 

PDF
PDF
В корзину
Фотодиод с большой площадью C30662
Фотодиод с большой площадью C30662
Excelitas Technologies
Спектральный диапазон
 1100-1700 нм
Тип корпуса
 ТО-18, Керамическая подложка
Активный материал
InGaAs
Тип фотоприемника
Лавинный
Диаметр активной области (мкм)
200

Высокоскоростные InGaAs/InP лавинные фотодиоды с большой площадью

PDF
PDF
В корзину
Фотоприёмник со сверхнизким шумом PWPR-2K-IN
Фотоприёмник со сверхнизким шумом PWPR-2K-IN
FEMTO
Спектральный диапазон
900 - 1700 нм
Диапазон частот
DC ... 2 кГц
Тип детектора 
∅ 0.5 мм InGaAs-PIN
Тип входа
Free-space или волоконный
Усиление сопротивления
1.0 x 10^9 В/А
Пиковаттный фотоприемник PWPR-2K-IN

PDF
PDF
В корзину
Фотоприёмник с переменным усилением OE-300-IN-03
Фотоприёмник с переменным усилением OE-300-IN-03
FEMTO
Спектральный диапазон
800 - 1700 нм
Диапазон частот
0.22 - 200 кГц
Тип детектора
InGaAs-PIN
Тип входа
Free-space
Усиление преобразования
10^2 - 10^8 В/Вт
200 МГц Фотоприемник с изменением усиления OE-300-IN-03

PDF
PDF
В корзину
Фотоприёмник с переменным усилением OE-300-IN-01
Фотоприёмник с переменным усилением OE-300-IN-01
FEMTO
Спектральный диапазон
900 - 1700 нм
Диапазон частот
0.22 - 200 кГц
Тип детектора
InGaAs-PIN
Тип входа
Волоконный
Усиление преобразования
10^2 - 10^8 В/Вт
200 МГц Фотоприемник с изменением усиления OE-300-IN-01

PDF
PDF
В корзину
Фотоприёмник с переменным усилением OE-200-IN2
Фотоприёмник с переменным усилением OE-200-IN2
FEMTO
Спектральный диапазон
900 - 1700 нм
Диапазон частот
1.1 - 500 кГц
Тип детектора
InGaAs PIN
Тип входа
Волоконный
Усиление преобразования
10^3 - 10^11 В/Вт
Фотоприемник с изменением усиления  OE-200-IN2

PDF
PDF
В корзину
Фотоприёмник с переменным усилением OE-200-IN1
Фотоприёмник с переменным усилением OE-200-IN1
FEMTO
Спектральный диапазон 
900 - 1700 нм
Диапазон частот
1.1 - 500 кГц
Тип детектора 
InGaAs PIN
Тип входа
Free-space или волоконный
Встроенный усилитель
Фотоприемник с изменением усиления  OE-200-IN1

PDF
PDF
В корзину
Ультрабыстрый фотоприёмник HSPR-X-I-2G-IN
Ультрабыстрый фотоприёмник HSPR-X-I-2G-IN
FEMTO
Спектральный диапазон 
900 - 1700 нм
Диапазон частот 
10 кГц - 2 ГГц
Тип детектора 
Ø 0.1 мм InGaAs-PIN
Тип входа
Free-space или волоконный
Усиление сопротивления
5 x 10^3 В/А инвентор.
Ультрабыстрый фотоприемник HSPR-X-I-2G-IN инверсия

PDF
PDF
В корзину
Ультрабыстрый фотоприёмник HSA-X-S-2G-IN
Ультрабыстрый фотоприёмник HSA-X-S-2G-IN
FEMTO
Спектральный диапазон 
900 - 1700 нм
Диапазон частот 
10 кГц - 2 ГГц
Тип детектора 
Ø 0.1 мм InGaAs-PIN
Тип входа 
Free-space или волоконный
Усиление сопротивления
5 x 10^3 В/А
Ультрабыстрый фотоприемник HSA-X-S-2G-IN

PDF
PDF
В корзину
Фотоприёмник HCA-S-400M-IN
Фотоприёмник HCA-S-400M-IN
FEMTO
Спектральный диапазон 
900 - 1700 нм
Диапазон частот
DC ... 400 МГц
Тип детектора
0.3 мм Ø InGaAs PIN
Тип входа
Free-space или волоконный
Усиление сопротивления
5 x 10^3 В/А

400 МГц фотоприемник HCA-S-400M-IN

PDF
PDF
В корзину