Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
8 (800) 775-38-88
Бесплатно по РФ
+7 (812) 612-99-82
Санкт-Петербург
    Заказать звонок
    info@lenlasers.ru Скопировано!
    ru en
    Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
    Личный
    кабинет
    Заказать
    звонок
    Отправить
    письмо
    Разработка и поставка лазерно-оптических компонентов и оборудования. Резидент Технопарка ИТМО
    Инфракрасный фотоприемник
    каталог
    Новости

    Инфракрасный фотоприемник

    Инфракрасный фотоприемник
    Высокоскоростной 25 Гбит чип серии CPC0002A
    Высокоскоростной 25 Гбит чип серии CPC0002A
    Wooriro
    Диапазон длин волн
     1100-1640 нм
    Диаметр чувствительной области
     20 мкм
    Чувствительность
     0.85 А/Вт
    Скорость
     25 Гбит
    Ширина полосы (-3 дБ)
     22 ГГц
    Серия высокоскоростных 25 Гбит/с чипов для Ethernet
    PDF
    В корзину
    Высокоскоростной 56 Гбит чип серии CPL5012S
    Высокоскоростной 56 Гбит чип серии CPL5012S
    Wooriro
    Диапазон длин волн
     1100-1640 нм
    Диаметр чувствительной области
     12 мкм
    Чувствительность
     0.8 А/Вт
    Скорость
     56 Гбит
    Ширина полосы (-3 дБ)
     37 ГГц
    Серия высокоскоростных чипов для Ethernet
    PDF
    В корзину
    Оптический фотоприемник серии SCMR-100K20G от Miteq
    Оптический фотоприемник серии SCMR-100K20G от Miteq
    Ширина полосы
    100 кГц - 20 ГГц
    Вх. длина волны
    1280 - 1580 нм
    Микроволновая вх. мощность
    +5 дБм
    Обратные потери
    30 дБ
    Чувствительность
    0.8 - 0.97 А/Вт
    PDF
    В корзину
    Лавинный InGaAs фотодиод серии APD0200-17-TO
    Лавинный InGaAs фотодиод серии APD0200-17-TO
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    950 - 1650 нм
    Апертура
    200 мкм
    Корпус
    TO-46/3P
    Обратный ток 
     1 мА
    Прямой ток 
     5 мА
    Лавинный InGaAs фотодиод с диаметром апертуры 200 мкм

    PDF
    В корзину
    Лавинный InGaAs фотодиодный чип серии APD0200-17-C
    Лавинный InGaAs фотодиодный чип серии APD0200-17-C
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    950 - 1650 нм
    Апертура
    200 мкм
    Корпус
    6CLCC (3.0SQ)
    Обратный ток 
     1 мА
    Прямой ток 
     5 мА
    Лавинный InGaAs фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм

    PDF
    В корзину
    Лавинный InGaAs фотодиодный чип серии APD0200-17-D
    Лавинный InGaAs фотодиодный чип серии APD0200-17-D
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    950 - 1650 нм
    Апертура
    200 мкм
    Темновой ток 
     5 - 50 нА
    Рабочее напряжение
    32 - 50 В
    Предельное напряжение
    35 - 55 В
    InGaAs лавинный фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,65 мкм и диаметром апертуры 200 мкм

    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
    InGaAs PIN фотодиод 1,7 мкм
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    600 - 1700 нм
    Апертура
    950 - 3000 мкм
    Корпус
    TO-46/3P; TO-39/3P
    Темновой ток 
     2 - 30 нА
    Сопротивление шунта
    5 - 100 МОм
    InGaAS PIN фотодиод с длиной волны отсечки 1,7 мкм

    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
    InGaAs PIN-фотодиод 2,2 мкм
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    1200 - 2200 нм
    Апертура
    950 - 1850 мкм
    Корпус 
    TO-46/3P; TO-39/3P
    Темновой ток 
     2 - 12 мкА
    Сопротивление шунта
    15 - 50 кОм
    InGaAs PIN-фотодиод с длиной волны отсечки 2,2 мкм

    PDF
    В корзину
    InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
    InGaAs PIN фотодиодный чип 1,7 мкм
    Chunghwa Leading Photonics Tech
    Спектральный диапазон
    600 - 1700 нм
    Апертура
    950 - 3000 мкм
    Темновой ток 
     2 - 30 нА
    Сопротивление шунта
    5 - 100 МОм
    Емкость
     120 - 1200 пФ (при 0 В); 60 - 600 пФ (при -5 В)
    InGaAS PIN фотодиодный чип с длиной волны отсечки 1,7 мкм

    PDF
    В корзину
    Лавинный фотодиод с ТЕС типа Mini Flat
    Лавинный фотодиод с ТЕС типа Mini Flat
    Wooriro
    Диапазон длин волн
    1100 - 1600 нм
    Напряжение пробоя 
    50 - 90 В
    Темновой ток 
    0.1 - 0.3 нА
    Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт 
     2 кГц  
    Макс. низкий уровень счета темнового тока - премиум
     0.5 кГц 
    Лавинный фотодиод, оснащенный термоэлектрическим охладителем типа Mini-Flat
    PDF
    В корзину
    Лавинный фотодетектор с режимом счетчика Гейгера
    Лавинный фотодетектор с режимом счетчика Гейгера
    Wooriro
    Диапазон длин волн
    1100 - 1600 нм
    Напряжение пробоя 
    50 - 90 В
    Темновой ток 
    0.1 - 0.3 нА
    Электрическая емкость 
    0.25 пФ
    Квантовая эффективность 
    70%
    Лавинный фотодиод, работающий в режиме счетчика Гейгера, для счета одиночных фотонов
    PDF
    В корзину
    Лавинный фотодетектор с ТЕС (6-pin, TO-8)
    Лавинный фотодетектор с ТЕС (6-pin, TO-8)
    Wooriro
    Диапазон длин волн
    1100 - 1600 нм
    Напряжение пробоя 
    50 - 90 В
    Темновой ток 
    0.1 - 0.3 нА
    Макс. низкий уровень счета темнового тока - стандарт 
     2 кГц  
    Макс. низкий уровень счета темнового тока - премиум
     0.5кГц 
    Однофотонный лавинный диод (SPAD) для QKD и OTDR
    PDF
    В корзину
    Фотодетектор серии RPD3000
    Фотодетектор серии RPD3000
    Applied Optoelectronic
    Диапазон длин волн
    1100 - 1600 нм
    Диаметр активной области
    40 - 80 мкм
    Вх. мощность
    10 мВт
    Частот. полоса пропускания
    1 - 3000 МГц
    Чувствительность
    0.80 - 0.85 мА/мВт
    Фотодетектор серии RPD3000

    PDF
    В корзину
    Фотодетектор серии MRPD3100
    Фотодетектор серии MRPD3100
    Applied Optoelectronic
    Диапазон длин волн
    1100 - 1600 нм
    Диаметр активной области
    40 мкм
    Вх. мощность
    10 мВт
    Частот. полоса пропускания
    2 - 3 ГГц
    Чувствительность
    0.75 - 0.80 мА/мВт
    Фотодетектор серии MRPD3100

    PDF
    В корзину
    Фотодетектор серии PD3000
    Фотодетектор серии PD3000
    Applied Optoelectronic
    Диапазон длин волн
    1100 - 1650 нм
    Диаметр активной области
    40 - 80 мкм
    Вх. мощность
    10 мВт
    Частот. полоса пропускания
    3000 МГц
    Обратные потери
    -45 дБ
    Фотодетектор серии PD3000

    PDF
    В корзину
    Фотодетектор серии PD1000
    Фотодетектор серии PD1000
    Applied Optoelectronic
    Диапазон длин волн
    1100 - 1650 нм
    Диаметр активной области
    40 - 80 мкм
    Вх. мощность
    10 мВт
    Частот. полоса пропускания
    1 - 1000 МГц
    Обратные потери
    -45/-40 дБ
    Фотодетектор серии PD1000

    PDF
    В корзину
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-2M
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-2M
    Alphalas
    Длина волны
    900 - 1700 нм
    Полоса пропускания
    > 0.004 ГГц
    Время нарастания
    < 75000 пс
    Материал
    InGaAs
    Квантовая эффективность
    80 %
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-2M

    PDF
    В корзину
    Cверхбыстрый фотодетектор UPD-5N-IR2-P
    Cверхбыстрый фотодетектор UPD-5N-IR2-P
    Alphalas
    Длина волны
    800 - 2600 нм
    Полоса пропускания
    > 0.3 ГГц
    Время нарастания
    < 200 пс
    Материал
    InGaAs
    Квантовая эффективность
    70 %
    Cверхбыстрый фотодетектор UPD-5N-IR2-P

    PDF
    В корзину
    Cверхбыстрый фотодетектор UPD-3N-IR2-P
    Cверхбыстрый фотодетектор UPD-3N-IR2-P
    Alphalas
    Длина волны
    800 - 2100 нм
    Полоса пропускания
    > 0.4 ГГц
    Время нарастания
    < 150 пс
    Материал
    InGaAs
    Квантовая эффективность
    75 %
    Cверхбыстрый фотодетектор UPD-3N-IR2-P

    PDF
    В корзину
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-70
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-70
    Alphalas
    Длина волны
    350 - 1700 нм
    Полоса пропускания
    > 5.0 ГГц
    Время нарастания
    < 70 пс
    Материал
    InGaAs
    Квантовая эффективность
    85 %
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-70

    PDF
    В корзину
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-40
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-40
    Alphalas
    Длина волны
    350 - 1700 нм
    Полоса пропускания
    > 8.5 ГГц
    Время нарастания
    < 40 пс
    Материал
    InGaAs
    Квантовая эффективность
    40 - 80 %
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-40

    PDF
    В корзину
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-35
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-35
    Alphalas
    Длина волны
    350 - 1700 нм
    Полоса пропускания
    > 10 ГГц
    Время нарастания
    < 35 пс
    Материал
    InGaAs
    Квантовая эффективность
    80 %
    Серия сверхбыстрых фотодетекторов UPD-35

    PDF
    В корзину
    Сверхбыстрый фотодетектор UPD-30-VSG-P
    Сверхбыстрый фотодетектор UPD-30-VSG-P
    Alphalas
    Длина волны
    320 - 900 нм
    Полоса пропускания
    > 10 ГГц
    Время нарастания
    < 30 пс
    Материал
    GaAs
    Квантовая эффективность
    40 %
    Сверхбыстрый фотодетектор UPD-30-VSG-P

    PDF
    В корзину
    Сверхбыстрый фотодетектор UPD-15-IR2-FC
    Сверхбыстрый фотодетектор UPD-15-IR2-FC
    Alphalas
    Длина волны
    800 - 1700 нм
    Полоса пропускания
    > 25 ГГц
    Время нарастания
    < 15 пс
    Материал
    InGaAs
    Квантовая эффективность
    75 %
    Сверхбыстрый фотодетектор UPD-15-IR2-FC

    PDF
    В корзину
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVMI-4TE
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVMI-4TE
    VIGO System
    Длина волны
    8-10,6 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 2.5×10^(9) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 2.0×10^(9) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    3 – 4 нс
    Сопротивление
    150 – 1200 Ом
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVMI-4TE
    PDF
    В корзину
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVMI-3TE
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVMI-3TE
    VIGO System
    Длина волны
    8-10,6 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 2.0×10^(9) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 1.5×10^(9) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    3 – 4 нс
    Сопротивление- Оптическая область
    100 – 1200 Ом
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVMI-3TE
    PDF
    В корзину
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVMI-2TE
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVMI-2TE
    VIGO System
    Длина волны
    8-10,6 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 1.5×10^(9) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 1.0×10^(9) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    3 – 4 нс
    Сопротивление
    100 – 600 Ом
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVMI-2TE
    PDF
    В корзину
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVMI
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVMI
    VIGO System
    Длина волны
    8-10,6 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 2.0×10^(8) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 1.0×10^(8) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    1.5 – 4 нс
    Сопротивление
    20 – 300 Ом
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVMI
    PDF
    В корзину
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVM-2TE
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVM-2TE
    VIGO System
    Длина волны
    8-10,6 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 2.0×10^(8) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 1.0×10^(8) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    3 – 4 нс
    Сопротивление
    100 – 600 Ом
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVM-2TE
    PDF
    В корзину
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVM
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVM
    VIGO System
    Длина волны
    8-10,6 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 2.0×10^(7) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 1.0×10^(6) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    1.5 – 4 нс
    Сопротивление
    20 – 300 Ом
    8-11 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVM
    PDF
    В корзину
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVI - 4TE
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVI - 4TE
    VIGO System
    Длина волны
    3-10,6 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 4.0×10^(9) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 2.0×10^(9) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    10 – 280 нс
    Сопротивление- Оптическая область
    0.05 - 30000 Ом*см^2
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVI - 4TE
    PDF
    В корзину
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVI - 3TE
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVI - 3TE
    VIGO System
    Длина волны
    3-10,6 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 3.0×10^(9) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 1.5×10^(9) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    10 – 280 нс
    Сопротивление- Оптическая область
    0.02 – 24000 Ом*см^2
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVI - 3TE
    PDF
    В корзину
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVI - 2TE
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVI - 2TE
    VIGO System
    Длина волны
    3-10,6 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 2.0×10^(9) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 1.0×10^(9) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    10 – 280 нс
    Сопротивление- Оптическая область
    0.01 – 15000 Ом*см^2
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVI - 2TE
    PDF
    В корзину
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVI
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVI
    VIGO System
    Длина волны
    3 - 8 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 8.0×10^(8) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 4.0×10^(8) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    4– 350 нс
    Сопротивление
    0,01 – 100 Ом
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PVI
    PDF
    В корзину
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PV-4TE
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PV-4TE
    VIGO System
    Длина волны
    3 –10,6 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 4.0×10^(8) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 2.0×10^(8) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    10– 280 нс
    Сопротивление- Оптическая область
    0.0005 – 300 Ом*см^2
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PV-4TE  
    PDF
    В корзину
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PV-3TE
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PV-3TE
    VIGO System
    Длина волны
    3 –10,6 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 3.0×10^(8) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 1.5×10^(8) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    10– 280 нс
    Сопротивление- Оптическая область
    0.0002 – 250 Ом*см^2
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PV-3TE  
    PDF
    В корзину
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PV-2TE
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PV-2TE
    VIGO System
    Длина волны
    3 – 10,6 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 2.0×10^(8) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 1.0×10^(8) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    10– 280 нс
    Сопротивление- Оптическая область
    0.0001 – 150 Ом*см^2
    2-12 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PV-2TE  
    PDF
    В корзину
    3-8 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PV
    3-8 мкм ИК-фотогальванические детекторы серии PV
    VIGO System
    Длина волны
    3 - 8 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 8.0×10^(7) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 4.0×10^(7) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    4– 350 нс
    Сопротивление- Оптическая область
    40 – 1000 Ом*см^2
    PDF
    В корзину
    2-11 мкм фотоэлектромагнитные детекторы серии PEMI
    2-11 мкм фотоэлектромагнитные детекторы серии PEMI
    VIGO System
    Длина волны
    10,6 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 1.0×10^(8) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 5.0×10^(7) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    ≤1 нс
    Ток смещения
    1 – 30 мА⋅мм^(-1)
    2-11 мкм фотоэлектромагнитные детекторы серии PEMI
    PDF
    В корзину
    2-11 мкм фотоэлектромагнитные детекторы серии PEM
    2-11 мкм фотоэлектромагнитные детекторы серии PEM
    VIGO System
    Длина волны
    10,6 мкм
    Чувствительность @ λpeak, 20 кГц
    ≥ 3.0×10^(7) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Чувствительность @ λopt, 20 кГц
    ≥ 1.0×10^(7) см ⋅Гц^(1/2)⋅Вт^(-1)
    Постоянная времени
    ≤1 нс
    Ток смещения
    1 – 30 мА⋅мм^(-1)
    2-11 мкм фотоэлектромагнитные детекторы серии PEM
    PDF
    В корзину