Продукт представляет собой лазерный диод накачки в герметичном корпусе с высокой надежностью, доступный в различных вариантах выходной мощности для промышленного и телекоммуникационного применения. Устройство использует внешнюю волоконную брэгговскую решетку (ВБР) для точной стабилизации длины волны, что обеспечивает превосходные спектральные характеристики.
Ключевые особенности
- Соответствие высокому стандарту надежности GR-468-CORE для телекоммуникационного оборудования
- Стабилизация длины волны с помощью волоконной брэгговской решетки (ВБР)
- Центральная длина волны: 974 нм
- Тип волокна: одномодовое (SM)
- Размеры волокна: оболочка 125 мкм / покрытие 250 мкм
- 10-контактный корпус типа «мини-бабочка» с герметизацией
- Встроенный термоэлектрический охладитель (ТЕС) и терморезистор для точного контроля температуры
Информация для заказа
|
Модель |
Описание |
|
OC8075XX107 |
Лазерный диод накачки, 1000 мВт, центральная длина волны 974 нм, тип волокна SM |
|
OC8075XX106 |
Лазерный диод накачки, 930 мВт, центральная длина волны 974 нм, тип волокна SM |
|
OC807SXX105 |
Лазерный диод накачки, 850 мВт, центральная длина волны 974 нм, тип волокна SM |
|
OC8075XX101 |
Лазерный диод накачки, 750 мВт, центральная длина волны 974 нм, тип волокна SM |
|
OC807SXX102 |
Лазерный диод накачки, 660 мВт, центральная длина волны 974 нм, тип волокна SM |
|
OC8075XX103 |
Лазерный диод накачки, 600 мВт, центральная длина волны 974 нм, тип волокна SM |
Photoneast – это специализированная торговая марка АО «ЛЛС» на рынке комплектующих и расходных материалов оптики и фотоники.
|
Центральная длина волны
|
973 нм (Мин.), 975.3 нм (Макс.) |
|
Ширина спектра (–20 дБ)
|
2 нм (Тип.) |
|
Выходная мощность
|
600–1000 мВт (в зависимости от модели) |
|
Пороговый ток
|
80 мА (Мин.), 120 мА (Макс.) |
|
Рабочий ток (начало срока службы)
|
300–490 мА (Макс., в зависимости от модели) |
|
Рабочее напряжение
|
2.2–2.3 В (Макс., в зависимости от модели) |
|
Нестабильность выходной мощности
|
10% (Макс.) |
|
Чувствительность встроенного фотодиода
|
0.15 мкА/мВт (Тип.) |
|
Темновой ток фотодиода
|
300 нА (Макс.) |
|
Сопротивление терморезистора (при 40 °C)
|
10 кОм (Тип.) |
|
Ток элемента Пельтье (ТЕС)
|
–1.6 А (Мин.), 2.4 А (Макс.) |
|
Напряжение элемента Пельтье (ТЕС)
|
–2.6 В (Мин.), 2.8 В (Макс.) |
|
Тип волокна
|
SM1060, одномодовое |
|
Диаметр оболочки волокна
|
125 ± 1 мкм |
|
Диаметр покрытия волокна
|
245 ± 10 мкм |
|
Диаметр модового поля (λ = 980 нм)
|
5.9 ± 0.5 мкм (Тип.) |
|
Рабочая температура корпуса
|
–5 °C (Мин.), 75 °C (Макс.) |
|
Температура хранения
|
–40 °C (Мин.), 85 °C (Макс.) |
|
Температура пайки выводов
|
400 °C (Макс.), длительность < 10 с |
- Накачка эрбиевых волоконных усилителей (EDFA)
- Промышленное оборудование
- Волоконно-оптические лазерные системы
Нужна консультация?
Бесплатная консультация инженера