AgGaSe2 (AGSe) – отрицательный одноосный кристалл. AgGaSe2 являются одними из наиболее распространённых нелинейно-оптических кристаллов, коммерчески доступных для генераций гармоник и параметрической генерации в среднем и дальнем ИК диапазоне, особенно для газовых CO2 лазеров, благодаря большим коэффициентам эффективной нелинейности и высокой пропускной способностью в ИК диапазоне.
Ключевые особенности:
- Большой нелинейный коэффициент
- Широкий диапазон прозрачности
- Идеален для нелинейных взаимодействий
- Отличный кристалл для трехволновых взаимодействий
- Генерация сверхкоротких импульсов в среднем ИК диапазоне
- Подходит для использования с CO2-лазером
Параметры кристалла AGSe фирмы Altechna
Допуск по размерам |
+0/-0.1 мм |
Точность ориентации угла среза | ≤ 30 угловых минут |
Отклонение от параллельности | < 40 угловых секунд |
Искажение волнового фронта | < λ/8 @ 632.8 нм |
Перпендикулярность | < 5 угловых минут |
Защитные фаски | < 0.1 мм x 45° |
Качество поверхности | 20-10 S-D |
Опции для заказа
Апертура W x H, мм | Длина L, мм | Тип нелинейно-оптического преобразования | Направление среза в кристалле θ/φ, град | Угол отклонения ρ, град | Покрытия S1/S2, нм/нм (отдельное описание) | Коэффициент эффективной нелинейности deff, пм/В | Температурная ширина синхронизма 2∆Tcr, °C | Спектральная ширина синхронизма 2∆λcr, нм | Угловая ширина синхронизма 2∆θcr, град. | Угловая ширина синхронизма 2∆φcr, град. |
3 x 3 | 10 | ГВГ eoe 10600nm→5300nm |
65/45 |
0.67 | Код покрытия | 27.4 | 130 | - | 1.0 | - |
АО «ЛЛС» является дистрибьютором компании Altechna на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.
Тип кристалла
|
Отрицательный одноосный (n0>ne) |
Кристаллическая структура
|
Тетрагональная сингония, Точечная группа 42m |
Твёрдость по Моосу
|
3 - 3.5 |
Коэффициент теплопроводности
|
1.1 Вт/(м×К) (⊥c); 1.0 Вт/(м×К) (//c) |
Коэффициенты теплового расширения
|
α = 23.4×10−6K−1(⊥c), α= 6.4×10−6K−1 (//c) |
Диапазон прозрачности на уровне "---"
|
0.9 − 16 мкм |
Диапазон генерации второй гармоники
|
Type I (оое) 3.11 – 13.25 мкм, Type II (оее, еое) 4.75 – 8.35 мкм |
Оптическое повреждение материала
|
Поверхность: I = 0.013-0.04×109 Вт/см2 для 1064 нм, TEM00, 23 нс, (только полировка); I = 0.15×109 Вт/см2 для 9550 нм, TEM00, 30 нс, (только полировка); I = 0.01-0.02×109 Вт/см2 для 10600 нм, TEM00, 150 нс, (только полировка) |
Уравнения Селмейера
|
nо2=6.8507+0.4297/(λ2-0.1584)-0.00125λ2, nе2=6.6792+0.4598/(λ2-0.2122)-0.00126λ2 |
Линейный коэффициент поглощения
|
10.6 мкм: α<0.089 см-1, 1.06 мкм: α<0.02 см-1 |
Упрощенные выражения для эффективного нелинейного коэффициента второго порядка
|
Type II (еое, оее): deff= d36sin(2θ)cos(2φ); Type I (оое):deff= d36sin(θ)sin(2φ) |
Области применения:
Кристаллы AgGaSe2 эффективно используются в оптических параметрических генераторах с накачкой Nd:YAG лазером; в различных экспериментах с генерацией разностных частот диодных, Ti:Sapphire, Nd:YAG и ИК лазеров на красителях в диапазоне длин волн от 3 до 12 мкм; непосредственно в для генерации второй гармоники CO2 лазеров.
Тонкие пластины кристаллов AgGaSe2 часто используются для генерации сверхкоротких импульсов в среднем ИК диапазоне с помощью генерации разностных частот, используя импульсы с длинами волн в ближнем ИК диапазоне.