Высокоскоростной InGaAs фотоприёмник с РЧ усилением
Подробности
Описание—Фотоприёмник, 1000-1650 нм, до 10 дБм, RF усиление 15 дБ, 0.3-12 ГГц, SMF, FC/APC
- Фотоприёмник, 1000-1650 нм, до 10 дБм, RF усиление 15 дБ, 0.3-12 ГГц, SMF, FC/APC
- Фотоприёмник, 1000-1650 нм, до 10 дБм, RF усиление 15 дБ, 0.3-12 ГГц, SMF, FC/PC
- Фотоприёмник, 1000-1650 нм, до 10 дБм, RF усиление 15 дБ, 0.3-12 ГГц, SMF, без коннектора
- Фотоприёмник, 1000-1650 нм, до 10 дБм, RF усиление 15 дБ, 0.8-19.5 ГГц, SMF, FC/APC
- Фотоприёмник, 1000-1650 нм, до 10 дБм, RF усиление 15 дБ, 0.8-19.5 ГГц, SMF, FC/PC
- Фотоприёмник, 1000-1650 нм, до 10 дБм, RF усиление 15 дБ, 0.8-19.5 ГГц, SMF, без коннектора
В корзину
Быстрый заказ
Характеристики
Диапазон длин волн
—
1000 - 1650 нм
Диапазон частот
—
X - диапазон; Ku - диапазон
Полоса пропускания
—
0.3 - 12 ГГц; 0.8 - 19.5 ГГц
Оптическая мощность насыщения
—
10 дБм
Вх. мощность
—
0 - +10 дБм
Вых. мощность насыщения (RF)
—
+3 дБм
Усиление RF сигнала
—
15 ±1 дБ
Отклик
—
≥ 0.85 А/Вт (@1310 нм); ≥ 0.85 А/Вт (@1550 нм)
Вых. сопротивление
—
50 Ом
Диапазон рабочих температур
—
-45~+85 °C
Все характеристики
Пусконаладка и обучение персонала
Доступен лизинг, кредит, рассрочка
Подберем оборудование под ваши задачи
Гарантийное и постгарантийное обслуживание без привлечения производителя
Бесплатная доставка
Высокоскоростной фотоприёмник серии AMPD-S включает в конструкцию широкополосный InGaAs фотодиод и малошумящий усилитель. Длина волны отклика варьируется от 1000 до 1650 нм. RF усиление составляет 15 дБ. Модуль работает от напряжения питания +5 В. Выходной РЧ порт представляет собой разъём типа SMA с импедансом 50 Ом.
Сертифицирован ROHS 2.0.
- Широкая полоса пропускания
- Высокий уровень усиления
- Низкий уровень шума
- Разъем SMA
АО «ЛЛС» является дистрибьютором компании NEON на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.
Документы
AMPD-S
359,4 кб
Диапазон длин волн
|
1000 - 1650 нм |
Диапазон частот
|
X - диапазон; Ku - диапазон |
Полоса пропускания
|
0.3 - 12 ГГц; 0.8 - 19.5 ГГц |
Оптическая мощность насыщения
|
10 дБм |
Вх. мощность
|
0 - +10 дБм |
Вых. мощность насыщения (RF)
|
+3 дБм |
Усиление RF сигнала
|
15 ±1 дБ |
Отклик
|
≥ 0.85 А/Вт (@1310 нм); ≥ 0.85 А/Вт (@1550 нм) |
Вых. сопротивление
|
50 Ом |
Диапазон рабочих температур
|
-45~+85 °C |
Диапазон температур хранения
|
-55~+100 °C |
Применение:
- Обработка радиолокационной информации
- Коммуникационные системы