- 830 - 860 нм
- Чип
- Темновой ток 0.1 нА
Официальный дистрибьютор Albis Optoelectronics в РФ и странах Таможенного Союза АО «ЛЛС» предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции Albis Optoelectronics, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.
PD20L1 - Фотодиодный чип GaAs 25 Гбит/с с большой оптической апертурой. Структура фотодиода с верхней подсветкой оптимизирована для приложений передачи данных со скоростью 25 Гбит/с и обеспечивает отличную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн от 830 до 860 нм.
Устройство имеет низкую емкость и достигает полной скорости при низких напряжениях смещения.
Ключевые особенности:
- Большая оптическая апертура
- Высокая чувствительность: 0,53 A / Вт при 850 нм
- Низкая емкость: 100 фФ
- Низкий темновой ток: 0,1 нА
PD20Kx - Масштабируемая матрица коротковолновых GaAs-фотодиодов 4 x 25 Гбит/с. Масштабируемая матрица 1 x 4 спроектирована таким образом, что шаг фотодиодов 250 мкм сохраняется на границе базовой ячейки 1 x 4. Шаг фотодиода 250 мкм подходит для подключения к волоконным ленточным кабелям. Базовая ячейка может быть повторена n раз, чтобы обеспечить масштабируемые массивы из 4, 8, 12 или более отдельных каналов фотодиодов.
Массивы оптимизированы для параллельных оптических межсоединений на основе VCSEL с коротким радиусом действия 850 нм со скоростью до 25 Гбит / с на канал. Структура фотодиода p-i-n с верхней подсветкой обеспечивает отличную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн от 830 до 860 нм.
Ключевые особенности:
- Масштабируемая матрица GaAs-фотодиодов 4 x 25 Гбит / с
- Высокое затухание перекрестных помех: 30 дБ
- Шаг фотодиода: 250 мкм
- Высокая чувствительность: 0,53 A / Вт
- Низкая емкость: 100 фФ
- Низкий темновой ток: 0,1 нА
АО «ЛЛС» является официальным дистрибьютором компании Albis Optoelectronics на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.