Одиночные излучатели серии SES12-9XX-03

Характеристики

  • Длина волны (нм)
  • 915 - 975 (± 10)
  • Мощность (Вт)
  • 12
  • Ширина излучателя (мкм)
  • 90
  • Ширина спектральной линии FWHM (нм)
  • 4
  • Температурная зависимость длины волны (нм/C°)
  • 0.3
  • Описание
  • Характеристики
  • Рекомендации
    по Использованию

Одиночные лазерные излучатели II-VI Laser Enterprise - это лазерные диоды, разработанные для получения высокой выходной мощности излучения, высокой эффективности передачи мощности оптического излучения, а также высокой надежности и стабильности. Эти требования являются ключевыми в современных системах накачки твердотельных и волоконных лазеров, а также при прямом применении излучения лазерных диодов. Собственная запатентованная технология пассивации при создании выходного зеркала, разработанная в Цюрихе, предотвращает разрушения передней грани лазерного диода даже при чрезвычайно высокой оптической мощности. Одиночные чипы лазерных диодов монтированы p-стороной вниз на оптимизированные сабмаунты, что обеспечивает крайне низкое сопротивление теплопередаче.

Особенности серии:

  • Длина волны: 915 / 940 / 975 нм (другие по запросу)
  • Мощность: 12 Вт
  • Ширина излучателя: 90 мкм
  • Высоконадежная структура с одиночной квантовой ямой, созданная с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии

Опции для заказа:

  • SES12-915-03: 12W 915nm
  • SES12-940-03: 12W 940nm
  • SES12-975-01: 12W 975nm

Компания «Ленинградские лазерные системы (ЛЛС)» является официальным дистрибьютором компании  II - VI Laser Enterprise на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов. Компания «ЛЛС» гарантирует Вам высокое качество и быструю доставку компонентов. 

Характеристики
  • Параметр
    Значение
  • Длина волны (нм)
    915 - 975 (± 10)
  • Мощность (Вт)
    12
  • Ширина излучателя (мкм)
    90
  • Ширина спектральной линии FWHM (нм)
    4
  • Температурная зависимость длины волны (нм/C°)
    0.3
  • Расходимость пучка θ⊥×θ∥, FWHM
    28° x 8°
  • Поляризация
    Te
  • Пороговый ток (А)
    0.55
  • Дифференциальная эффективность (Вт/А)
    1.1
  • Эффективность преобразования (%)
    60
  • Рабочий ток (А)
    12
  • Рабочее напряжение (В)
    1.7
  • Ширина чипа (мкм)
    400
  • Толщина чипа (мкм)
    150
  • Размеры сабмаунта (мм)
    5.0 x 4.05
  • Накачка твердотельных лазеров
  • Обработка материалов
  • Медицина