ZnGeP2 – положительный одноосный кристалл. Кристалл ZnGeP2 представляет собой высокоэффективный нелинейно-оптический материал для параметрического преобразования излучения среднего и дальнего ИК диапазонов, а также терагерцового излучения.
К основным эксплуатационным характеристикам ZnGeP2 можно отнести высокий показатель эффективной нелинейности (примерно в 160 раз больше, чем у KDP); широкий спектральный диапазон реализации фазового синхронизма (1.7 – 11 мкм); высокий порог оптического пробоя; хорошая теплопроводность, обеспечивающая возможность работы с излучением высокой мощности; большие значения температурной, угловой и спектральной ширин синхронизма, обеспечивают легкую юстировку; хорошая механическая прочность, позволяющая устойчиво работать в условиях вибраций; стойкость кристаллы к условиям повышенной влажности и даже к агрессивным средам.
Совокупность указанных характеристик, делает кристалл ZnGeP2 уникальным для нелинейно-оптических приложений.
Параметры кристалла ZnGeP2фирмы Altechna
Допуск по размерам |
+0/-0.1 мм |
Точность ориентации угла среза | ≤ 30 угловых минут |
Отклонение от параллельности | < 30 угловых секунд |
Искажение волнового фронта | < λ/4 @ 632.8 нм |
Перпендикулярность | < 5 угловых минут |
Защитные фаски | < 0.1 мм x 45° |
Качество поверхности | 20-10 S-D |
Опции для заказа
Апертура W x H, мм | Длина L, мм | Тип нелинейно-оптического преобразования | Направление среза в кристалле θ/φ, град | Угол отклонения ρ, град | Покрытия S1/S2, нм/нм (отдельное описание) | Коэффициент эффективной нелинейности deff, пм/В | Температурная ширина синхронизма 2∆Tcr, °C | Спектральная ширина синхронизма 2∆λcr, нм | Угловая ширина синхронизма 2∆θcr, град. | Угловая ширина синхронизма 2∆φcr, град. |
3 x 3 | 10 | ГВГ eoe 9600nm→4800nm |
65/0 |
0.56 | Код покрытия | 59.3 | 41.0 | - | 0.9 | - |
АО «ЛЛС» является дистрибьютором компании Altechna на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.
Тип кристалла
|
Отрицательный одноосный (nе>nо) |
Кристаллическая структура
|
Тетрагональная сингония, Точечная группа 42m |
Твёрдость по Моосу
|
5.5 |
Коэффициент теплопроводности
|
35 Вт/(м×К) (⊥c); 36 Вт/(м×К) (//c) |
Коэффициенты теплового расширения
|
α = 17.5×10−6K−1 (⊥c), α= 15.9×10−6K−1 (//c) |
Диапазон прозрачности на уровне "0"
|
0.75 − 12 мкм |
Диапазон генерации второй гармоники
|
Type I (еео) 3.19 – 10.55 мкм |
Оптическое повреждение материала
|
I = 0.003×109 Вт/см2 для 1064 нм, TEM00, 30 нс, (только полировка), 12.5 Гц; I = 0.0002×109 Вт/см2 для 10600 нм, TEM00, CW, (только полировка); I = 0.14×109 Вт/см2 для 9550 нм, TEM00, 30 нс, (только полировка); I = 0.08×109 Вт/см2 для 2050 нм, TEM00, 20 нс, (только полировка) |
Уравнения Селмейера
|
nо2=11.6413+0.69363/(λ2-0.21967)+1586.06/(λ2 - 832.75), nе2=12.1438+0.75255/(λ2-0.21913)+2061.68/(λ2 - 951.07) |
Линейный коэффициент поглощения
|
10.6 мкм: α=0.83 см-1, 9.6 мкм: α=0.33 см-1, 4.0 мкм: α=0.10 см-1, 1.064 мкм: α=1.52 см-1 |
Упрощенные выражения для эффективного нелинейного коэффициента второго порядка
|
Type II (оео, еоо): deff= d36sin(θ)sin(2φ); Type I (еео):deff= d36sin(2θ)cos(2φ) |
Области применения:
Кристалл ZnGeP2 нашёл широкое применение для преобразования излучения CO2 лазера, генерация суммарной частоты излучения СО и СО2 лазеров, а также параметрической генерации в среднем ИК диапазоне при накачке эрбиевым и гольмиевым лазерами.