GaSe – отрицательный одноосный слоистый полупроводниковый кристалл. Кристалл GaSe сочетает в себе большие значения коэффициента эффективной нелинейности, высокий порог пробоя и широкий диапазон прозрачности. Данный кристалл способен на ГВГ в диапазоне длин волн от 6.0 до 12.0 мкм и параметрическую генерацию в диапазоне от 3.5 до 18 мкм. Также кристалл GaSe используются для генерации ТГц излучения и отличается широким спектральным диапазоном вплоть до 41 ТГц.
Особенностями данного кристалла являются высокий порог оптического пробоя, большой коэффициент эффективной нелинейности (54 пм/В), широкий диапазон прозрачности и низкий коэффициент поглощения. Все это делает GaSe идеальным кристаллом для генерации широкополосного лазерного излучения в среднем ИК диапазоне.
Следует отметить, что из-за особенностей структуры, единственно возможная ориентация данных кристаллов - вдоль плоскости (001), что ограничивает их применение. Другим недостатком является относительная мягкость и хрупкость кристаллов GaSe.
Параметры кристалла GaSe фирмы Altechna
Допуск по размерам |
+0/-0.1 мм |
Точность ориентации угла среза | ≤ 30 угловых минут |
Отклонение от параллельности | < 40 угловых секунд |
Искажение волнового фронта | < λ/8 @ 632.8 нм |
Перпендикулярность | < 5 угловых минут |
Защитные фаски | < 0.1 мм x 45° |
Опции для заказа
Апертура W x H, мм | Длина L, мм | Тип нелинейно-оптического преобразования | Направление среза в кристалле θ/φ, град | Угол отклонения ρ, град | Покрытия S1/S2, нм/нм (отдельное описание) | Коэффициент эффективной нелинейности deff, пм/В | Температурная ширина синхронизма 2∆Tcr, °C | Спектральная ширина синхронизма 2∆λcr, нм | Угловая ширина синхронизма 2∆θcr, град. | Угловая ширина синхронизма 2∆φcr, град. |
3 x 3 | 10 | ГВГ eoe 2936nm→1468nm |
15/90 |
4.1 | Код покрытия | 56.0 | 22.0 | - | 0.042 | - |
Апертура W x H, мм | Длина L, мм | Тип нелинейно-оптического преобразования | Направление среза в кристалле θ/φ, град | Угол отклонения ρ, град | Покрытия S1/S2, нм/нм (отдельное описание) | Коэффициент эффективной нелинейности deff, пм/В | Температурная ширина синхронизма 2∆Tcr, °C | Спектральная ширина синхронизма 2∆λcr, нм | Угловая ширина синхронизма 2∆θcr, град. | Угловая ширина синхронизма 2∆φcr, град. |
3 x 3 | 10 | ГВГ оoe 10600nm→5300nm | 15/90 | 4.07 | Код покрытия | 51.112 | 250 | - | 0.16 | - |
АО «ЛЛС» является дистрибьютором компании Altechna на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.
Области применения:
Данный кристалл успешно используются для ГВГ CO и CO2 лазеров, а также химических DF лазеров (λ=2.36 мкм); преобразования с повышением частоты CO и CO2 лазеров до видимой области спектра; генерации ИК импульсов с помощью смешения разностных частот неодимового и лазеров на красителях или лазера на (F-)-центрах; оптической параметрической генерации в диапазоне 3.5 - 18 мкм. Тонкие пластины GaSe используются для генерации ТГц излучения.